Евгений Александрович Емельянов, М. О. Петрушков, Иван Дмитриевич Лошкарев
{"title":"胶片成分偏差影响","authors":"Евгений Александрович Емельянов, М. О. Петрушков, Иван Дмитриевич Лошкарев","doi":"10.34077/rcsp2021-38","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100)\nв направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдого\nраствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекул\nAs2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцы\nбыли исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"28 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения\\nна состав пленок\",\"authors\":\"Евгений Александрович Емельянов, М. О. Петрушков, Иван Дмитриевич Лошкарев\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-38\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100)\\nв направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдого\\nраствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекул\\nAs2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцы\\nбыли исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"28 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-38\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-38","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
摘要
在这种工作是探索影响支架砷化镓偏离奇点方向边缘(100)[110]0°,1°,2°、3°、5°和7°并入固体溶解GaPxAs1 x。一层固态溶液同时在所有方向的架子上生长。用P2молекулAs2流动和增长速度为1 ms / s, Ts =薄膜厚度500°c - 1μm。生长的标本被高分辨率x射线衍射测定法研究。
МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения
на состав пленок
В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100)
в направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдого
раствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекул
As2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцы
были исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
分享
求助内容：
应助结果提醒方式：
扫码关注我们
