{"title":"СВЧ-фотокондактанс квантового точечного контакта","authors":"В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, А. С. Ярошевич","doi":"10.34077/rcsp2021-59","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"представлены первые результаты измерений отклика КТК на СВЧоблучение структуры с частотой 2.4 ГГц и результаты разработки модели отклика, охватывающей\nтуннельный и многомодовый режимы короткого (100 нм) сужения. Стандартные 4-x терминальные\nизмерения и расчеты кондактанса по этой модели, будучи в хорошем согласии во всем интервале\nинтенсивностей облучения, показали гигантский фотокондактанс КТК (рост кондактанса до двух\nпорядков величины) в туннельном режиме и отрицательный фотокондактанс с понижением\nкондактанса до двух раз в открытом режиме [3]. Впервые для этих структур измерения проведены в\nмаксимально большом диапазоне, начиная от затворного напряжения Vg=0 (невозмущенный ДЭГ) до\nнаиболее обедняющего напряжения, отвечающего кондактансу на 5 порядков ниже кванта 2e\n2\n/h.\nОтметим, что при использованных интенсивностях облучения можно пренебречь нагревом ДЭГ.\nРезультат измерений фотокондактанса КТК был качественно одинаковым в случае нескольких\nобразцов с расщепленным и сплошным затвором, формирующих сужения, хотя интервал изменения\nуправляющего затворного напряжения мог меняться в пределах 1 В для разных типов затвора.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"62 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-59","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

摘要

ctc对2.4 ghz波段的微波反应的早期测量结果,以及覆盖短隧道和多模模式(100纳米)的响应模式的开发结果。按照这种模式,标准的4-x终端测量和计算显示,在整个辐射强度范围内,在隧道模式下显示了巨大的光电阻尼(condaktan上升到两个数量级)和负光电阻尼(3)。这些测量结构首次在最大范围内进行,从闭合电压Vg=0(未扰动的dg)开始,最贫乏的电压比2e2/h低5个数量级。我们注意到,在使用过的辐射强度下,可能会忽略dag的热量。ktc光电通路测量的结果在数个裂变且连续闭合的霍比特人的情况下是相同的,尽管封闭电压控制的变化范围可能在不同类型的快门内变化1。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
СВЧ-фотокондактанс квантового точечного контакта
представлены первые результаты измерений отклика КТК на СВЧоблучение структуры с частотой 2.4 ГГц и результаты разработки модели отклика, охватывающей туннельный и многомодовый режимы короткого (100 нм) сужения. Стандартные 4-x терминальные измерения и расчеты кондактанса по этой модели, будучи в хорошем согласии во всем интервале интенсивностей облучения, показали гигантский фотокондактанс КТК (рост кондактанса до двух порядков величины) в туннельном режиме и отрицательный фотокондактанс с понижением кондактанса до двух раз в открытом режиме [3]. Впервые для этих структур измерения проведены в максимально большом диапазоне, начиная от затворного напряжения Vg=0 (невозмущенный ДЭГ) до наиболее обедняющего напряжения, отвечающего кондактансу на 5 порядков ниже кванта 2e 2 /h. Отметим, что при использованных интенсивностях облучения можно пренебречь нагревом ДЭГ. Результат измерений фотокондактанса КТК был качественно одинаковым в случае нескольких образцов с расщепленным и сплошным затвором, формирующих сужения, хотя интервал изменения управляющего затворного напряжения мог меняться в пределах 1 В для разных типов затвора.
求助全文
通过发布文献求助,成功后即可免费获取论文全文。 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых растворов CdHgTe Квантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазных наноструктурах Фотоприемные устройства на основе InGaAs О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников специальным пространственным профилированием потока излучения Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для оптоэлектронных приложений
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1