Пассивация собственным окислом поверхности CdHgTe, подвергнутой жидкостному травлению

При изготовлении фотоприемных матриц для улучшения их частотно-контрастной характеристики (ЧКХ) необходимо уменьшить фотоэлектрическую связь между фотоприемными элементами. Поскольку влияние диффузии носителей заряда в CdHgTe (КРТ) увеличивается с уменьшением расстояния между фотодиодами, улучшение ЧКХ достигается за счет физического разделения при помощи травления меза-структуры. В настоящее время меза-структуры создаются с помощью жидкостного травления водным раствором Br+HBr. При таком травлении на поверхности КРТ образуется избыточный теллур, а также появляются другие дефекты, которые влияют на электрофизические свойства фотодетекторов. Для уменьшения влияния этих дефектов перспективным направлением является проведение дополнительных обработок КРТ после травления перед нанесением диэлектрика. Таким образом, целью данной работы является изучение влияния собственного окисла КРТ после жидкостного травления Br+HBr на электрофизические свойства границы раздела КРТ – Al2O3.