Неупругое рассеяние горячих фотоэлектронов при выходе в вакуум из p-GaAs(Cs,O)

Полупрозрачные p-GaAs(Cs,O)-фотокатоды с эффективным отрицательным электронным сродством (ОЭС) применяются в настоящее время в электронно-оптических преобразователях, координатно-чувствительных детекторах, в источниках спин-поляризованных и монохроматических электронов. Каждая из областей практического применения требует оптимизации параметров pGaAs(Cs,O)-фотокатода. Научно-обоснованный подход к такой оптимизации предполагает, что хорошо известны: атомная структура ОЭС-интерфейса, его энергетическая диаграмма и процессы рассеяния, сопровождающие выход фотоэлектронов в вакуум. Наиболее информативный метод изучения энергетической диаграммы и процессов рассеяния основан на анализе энергетических и угловых распределений эмитированных в вакуум фотоэлектронов. С помощью данного метода, ранее, были проанализированы энергетические [1] и угловые [2] распределения термализованных фотоэлектронов. В результате, была предложена модель, в которой предполагалось, что выход в вакуум представляет собой “двухступенчатый процесс” и сопровождается “промежуточным захватом” фотоэлектронов в приповерхностные зоны размерного квантования.