{"title":"选择光敏混合底座低温器的最佳结构","authors":"П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов","doi":"10.34077/rcsp2021-151","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на\nохлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин:\nGaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки,\nпозволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре\nсо стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов\nфиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом\nкриостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой\nнапряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв\nравнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм,\nкомпенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше\nисследованных толщин GaAs и кремния.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки на\\nохлаждаемом пьедестале криостата\",\"authors\":\"П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-151\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на\\nохлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин:\\nGaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки,\\nпозволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре\\nсо стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов\\nфиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом\\nкриостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой\\nнапряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв\\nравнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм,\\nкомпенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше\\nисследованных толщин GaAs и кремния.\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"1 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-151\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-151","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

摘要

通过比较已知的方法来定位光敏混合动力车的低温底座。它是在一个板块模型中完成的:可选补偿层(GaAs / In / Si / GaAs)。固定方法:在冷却时可以自由弯曲的装配,硅电路蓝宝石破碎时的固定装置。在比较固定的方式下,厚度的变化使得在冷却冷却器中选择混合安装的最佳结构。研究是用径向对称模型进行的,在这种模型中,冷却电压是由有限元素模拟的。它的直径是10毫米。GaAs和硅的厚度从50 m到700 m不等,补偿层从0 m到700 m不等。蓝宝石层厚度吸收了许多被探索过的GaAs和硅厚度。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки на охлаждаемом пьедестале криостата
Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на охлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин: GaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки, позволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре со стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов фиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом криостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой напряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв равнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм, компенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше исследованных толщин GaAs и кремния.
求助全文
通过发布文献求助,成功后即可免费获取论文全文。 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых растворов CdHgTe Квантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазных наноструктурах Фотоприемные устройства на основе InGaAs О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников специальным пространственным профилированием потока излучения Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для оптоэлектронных приложений
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1