Дмитрий Владимирович Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский
{"title":"马赫- sender光电调制器磷化/InAlAs异质结构","authors":"Дмитрий Владимирович Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский","doi":"10.34077/rcsp2021-87","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств\nгетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для\nсоздания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта\nШтарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из\nнескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем\nпреломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой\nмножественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода\nс небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя\nIn0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное\nсоединение с оптическим волокном.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"106 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для\\nэлектрооптического модулятора Маха-Цендера\",\"authors\":\"Дмитрий Владимирович Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-87\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств\\nгетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для\\nсоздания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта\\nШтарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из\\nнескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем\\nпреломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой\\nмножественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода\\nс небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя\\nIn0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное\\nсоединение с оптическим волокном.\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"106 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-87\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-87","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для
электрооптического модулятора Маха-Цендера
В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств
гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для
создания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта
Штарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из
нескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем
преломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой
множественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода
с небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя
In0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное
соединение с оптическим волокном.
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
分享
求助内容：
应助结果提醒方式：
扫码关注我们
