Эмиссия света двумерными островками дисульфида молибдена

Двумерные халькогениды переходных металлов являются перспективными материалами для создания быстродействующих компонентов электронной техники и оптоэлектронных приборов. Особый интерес среди данного класса материалов представляет двумерный дисульфид молибдена (MoS2), обладающий уникальными электронными и оптическими свойствами. Так, при уменьшении толщины пленки дисульфида молибдена до нескольких монослоёв происходит изменение его электронной зонной структуры, что проявляется в изменениях спектров комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ). Таким образом, исследование взаимосвязи структурных и оптических свойств MoS2 является актуальной задачей.