多层周期结构的结构和光学特性与假形态层相对应

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-78

В. А. Тимофеев, В И Машанов, А. И. Никифоров

{"title":"多层周期结构的结构和光学特性与假形态层相对应","authors":"В. А. Тимофеев, В И Машанов, А. И. Никифоров","doi":"10.34077/rcsp2021-78","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В работе изучен рост многослойных периодических структур и сверхрешеток, включающих\nупругонапряженные слои GeSiSn с содержанием олова от 0 до 18 %. Установлена кинетическая\nдиаграмма роста слоев GeSiSn с высоким содержанием Sn в диапазоне температур 100 – 300 °C. На\nоснове кинетических диаграмм роста пленок GeSiSn выбиралась область толщин, соответствующая\nпсевдоморфному состоянию. В","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"16 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Структурные и оптические свойства многослойных периодических структур с\\nпсевдоморфными слоями GeSiSn\",\"authors\":\"В. А. Тимофеев, В И Машанов, А. И. Никифоров\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-78\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В работе изучен рост многослойных периодических структур и сверхрешеток, включающих\\nупругонапряженные слои GeSiSn с содержанием олова от 0 до 18 %. Установлена кинетическая\\nдиаграмма роста слоев GeSiSn с высоким содержанием Sn в диапазоне температур 100 – 300 °C. На\\nоснове кинетических диаграмм роста пленок GeSiSn выбиралась область толщин, соответствующая\\nпсевдоморфному состоянию. В\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"16 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-78\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-78","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

它研究了多层周期结构和超晶格的增长，包括hesn薄膜应力层，锡含量从0到18%不等。与高浓度кинетическаядиаграмм增长层GeSiSn Sn在100 - 300°C的温度范围内。根据电影胶片生长的动力学图，选择了一个与伪形态状态相对应的厚度区域。在

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文

微信好友朋友圈 QQ好友复制链接

本刊更多论文

Структурные и оптические свойства многослойных периодических структур с псевдоморфными слоями GeSiSn

В работе изучен рост многослойных периодических структур и сверхрешеток, включающих упругонапряженные слои GeSiSn с содержанием олова от 0 до 18 %. Установлена кинетическая диаграмма роста слоев GeSiSn с высоким содержанием Sn в диапазоне температур 100 – 300 °C. На основе кинетических диаграмм роста пленок GeSiSn выбиралась область толщин, соответствующая псевдоморфному состоянию. В

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量