Арсенид-галлиевые структуры с углеродным покрытием: многофункциональное применение для приборов оптоэлектроники и бета-вольтаики

Использование углеродных (С) слоев (однослойного и многослойного графена) для разработки комбинированных с полупроводниками A3B 5 приборов наноэлектроники затруднено из-за отсутствия подходящих методов формирования С-слоев непосредственно на поверхности полупроводниковых структур с сохранением их свойств. В данной работе показана возможность получения углеродных нанослоев непосредственно на поверхности GaAs структур методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Для нанесения С-слоев использован лазер YAG:Nd (длина волны 532 нм). Подложка при выращивании поддерживалась при 500°С, а толщина С-слоя определялась временем испарения и составляла от 4 до 20 нм. По результатам исследований комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии полученные углеродные слои представляют собой сплошную пленку нанокристаллического графита, состоящую из зерен многослойного графена.