{"title":"非晶化无定形半导体水生缺陷和缺陷吸收光谱","authors":"Б.Т. Абдулазизов, Р.Г. Икрамов, М.А. Нуриддинова, Б.К. Султанов, О.Т. Холмирзаев","doi":"10.52304/.v25i3.447","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В настоящей работе теоретически исследованы спектры поглощения дефектов, характерных для гидрогенизированного аморфного кремния. Установлено, что основную роль в определении спектра дефектного поглощения играют парциальные спектры, определяемые оптическими переходами электронов между разрешенными зонами и дефектами. Показано, что при степенном распределении плотности электронных состоя-ний в разрешенных зонах, спектры оптических переходов между ними и дефектами не зависят от значения этой степени.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"52 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Дефекты, характерные для гидрогенизированных аморф-ных полупроводников, и спектры дефектного поглощения\",\"authors\":\"Б.Т. Абдулазизов, Р.Г. Икрамов, М.А. Нуриддинова, Б.К. Султанов, О.Т. Холмирзаев\",\"doi\":\"10.52304/.v25i3.447\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В настоящей работе теоретически исследованы спектры поглощения дефектов, характерных для гидрогенизированного аморфного кремния. Установлено, что основную роль в определении спектра дефектного поглощения играют парциальные спектры, определяемые оптическими переходами электронов между разрешенными зонами и дефектами. Показано, что при степенном распределении плотности электронных состоя-ний в разрешенных зонах, спектры оптических переходов между ними и дефектами не зависят от значения этой степени.\",\"PeriodicalId\":498992,\"journal\":{\"name\":\"Uzbek journal of physics\",\"volume\":\"52 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2023-10-07\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Uzbek journal of physics\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.52304/.v25i3.447\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Uzbek journal of physics","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.447","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Дефекты, характерные для гидрогенизированных аморф-ных полупроводников, и спектры дефектного поглощения
В настоящей работе теоретически исследованы спектры поглощения дефектов, характерных для гидрогенизированного аморфного кремния. Установлено, что основную роль в определении спектра дефектного поглощения играют парциальные спектры, определяемые оптическими переходами электронов между разрешенными зонами и дефектами. Показано, что при степенном распределении плотности электронных состоя-ний в разрешенных зонах, спектры оптических переходов между ними и дефектами не зависят от значения этой степени.
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
分享
求助内容：
应助结果提醒方式：
扫码关注我们
