Fernanda Mora Rey, Ana María López Aristizábal, Alvaro Luis Morales Aramburo, Carlos Alberto Duque Echeverri
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摘要
从一个量子井锥形结构图(CQDs)纵向耦合GaAs周围的AlxGa1-xAs含量为0.3,正在研究首先作为系统的方方面面造成改变,为此,监禁不等高等量子井高度优化了工作,用这个定义,评估了静水压力(0 GPa ~ 3 GPa)和温度(0 K ~ 300 K)对系统有效质量、间隙、介电常数及其对系统自能和自函数的影响。此外,通过包括位于下量子阱的结构中杂质的存在来评估影响。利用有限元方法,证明了系统的能量和波函数的变化,这是由于有效质量和新势能的变化。通过分析结合能的行为,可以注意到当系统处于200 K左右的温度时介电常数的变化,因为在这个值以上的间隙由直接变为间接。最后,系统中杂质的存在产生了额外的势能,因此,在评估的影响下,结构中的能量降低,由于这个势能,波函数和能量发生了更剧烈的变化。
Punto cuántico cónico doble verticalmente acoplado de GaAs/AlxGa1-xAs bajo efectos de presión hidrostática y temperatura
Partiendo de una estructura compuesta de dos pozos cuánticos cónicos (CQDs) verticalmente acoplados de GaAs rodeados de AlxGa1-xAs en una concentración de 0,3, se estudia en primer lugar como las dimensiones del sistema causan un cambio en el confinamiento, para esto se varía la altura del pozo cuántico superior y se encuentra la óptima para trabajar, con esto definido, se evalúan los efectos de la presión hidrostática (entre 0 GPa y 3 GPa) y la temperatura (entre 0 K y 300 K) en la masa efectiva, el ancho de banda prohibida (Gap), la constante dieléctrica y su impacto sobre las autoenergías y autofunciones del sistema. Además, se evalúan los efectos al incluir la presencia de una impureza en la estructura ubicada en el pozo cuántico inferior. Haciendo uso del método de elementos finitos, se evidencian variaciones en las energías y funciones de onda del sistema, las cuales se deben a la alteración de la masa efectiva y de la nueva energía potencial. Analizando el comportamiento de la energía de enlace se nota un cambio en la constante dieléctrica cuando el sistema se encuentra sometido a una temperatura alrededor de 200 K debido a que sobre este valor el Gap pasa de ser directo a ser indirecto. Finalmente, la presencia de la impureza en el sistema genera un potencial adicional, en consecuencia, las energías en la estructura disminuyen bajo los efectos evaluados, haciendo cambios más contundentes en las funciones de onda y energías debido a este potencial.