2010 IEEE International Memory Workshop

611

微信好友朋友圈 QQ好友复制链接

查看最新文献

发文信息

2010 IEEE International Memory Workshop - 最新文献

查看全部

A comprehensive study of degradation behavior of select transistors in the Charge Trap Flash memories

Pub Date : 2010-05-16 DOI: 10.1109/IMW.2010.5488386 Byeong-In Choe, Sung-Il Chang, Chang-seok Kang, Jintaek Park, Joohyuck Chung, Young-woo Park, Jungdal Choi, C. Chung

Lifetime and wearout current modeling of ultra-thin oxide antifuse bitcells using transient characterization

Pub Date : 2010-05-16 DOI: 10.1109/IMW.2010.5488412 M. Deloge, B. Allard, P. Candelier, J. Damiens, E. Le-Roux, M. Rafik

Novel 3-D stacked NAND flash string without body cross-talk effect

Pub Date : 2010-05-16 DOI: 10.1109/IMW.2010.5488410 M. Jeong, Joo-Wan Lee, I. Cho, Byung-Gook Park, Hyungcheol Shin, Jang-Sik Lee

免责声明：
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。

Book学术文献互助群
群号：481959085

文献互助智能选刊最新文献互助须知联系我们：info@booksci.cn