RF SOI CMOS technology on commercial trap-rich high resistivity SOI wafer

2012 IEEE International SOI Conference (SOI) Pub Date : 2012-10-01 DOI:10.1109/SOI.2012.6404404

K. Ben Ali, C. Roda Neve, A. Gharsallah, J. Raskin

引用次数: 17

Abstract

In this paper we aim at comparing the static and RF performances of passive and active fully-depleted (FD) SOI MOSFETs fabricated on top of either a standard or a trap-rich HR-SOI UNIBOND wafer both provided by SOITEC.

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