Плазмообразование в сильных магнитных полях на поверхности двухслойных проводников

Abstract

Ранее было показано, что использование двухслойной структуры проводника с внешним слоем меньшей проводимости приводит как к задержке начала плазмообразования на его поверхности, так и к подавлению развития неустойчивостей плазмы по сравнению с однородным проводником в полях с максимальной индукцией магнитного поля 200–400 Т. В качестве внешнего слоя использовались титан и цирконий, которые наносились на медный или дюралюминиевый проводник методом вакуумного напыления. В экспериментах, проводившихся на установке МИГ (амплитуда импульса тока до 2.5 МА, фронт нарастания тока 100 нс), в качестве внешнего слоя проводника были использованы молибден и висмут, представлявшимися более перспективными с точки зрения увеличения времени задержки плазмообразования и уменьшения скорости разлета уже образовавшейся плазмы. Было экспериментально показано, что использование молибдена и висмута в качестве внешнего слоя двухслойных проводников не приводит к улучшению результатов по сравнению с титаном и цирконием.