Б. С. Юлдашев, И. Нуритдинов, З. У. Эсанов, Ш. Ирисов
Исследованы оптическое поглощение и фотолюминесценция органических сцинтилляторов UPS-923A с полистирольной основой и добавками птерфенила (рTP) и 1,4-бис(5фенилоксазолилбензола (POPOP), край поглощения которых находится на уровне ∼390 нм. В спектре фотолюминесценции образцов в спектральной области 300−380 нм и 380−500 нм наблюдаются группы свечений, относящихся к флуоресценции люминесцирующей добавки рTP и спектросмещающей добавки POPOP соответственно. После γ-облучения, начиная с дозы 106 рад, происходит увеличение поглощения и появление широкой полосы поглощения (ПП), простирающейся до 550 нм, а также уменьшение интенсивности люминесценции в указанных полосах ФЛ, которые обусловлены деградацией структуры ароматического бензольного кольца в матрице полимерной основы и деструкцией добавок.
{"title":"Радиационно-стимулированные эффекты в органических сцинтилляторах UPS-923A","authors":"Б. С. Юлдашев, И. Нуритдинов, З. У. Эсанов, Ш. Ирисов","doi":"10.52304/.v26i1.502","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v26i1.502","url":null,"abstract":"Исследованы оптическое поглощение и фотолюминесценция органических сцинтилляторов UPS-923A с полистирольной основой и добавками птерфенила (рTP) и 1,4-бис(5фенилоксазолилбензола (POPOP), край поглощения которых находится на уровне ∼390 нм. В спектре фотолюминесценции образцов в спектральной области 300−380 нм и 380−500 нм наблюдаются группы свечений, относящихся к флуоресценции люминесцирующей добавки рTP и спектросмещающей добавки POPOP соответственно. После γ-облучения, начиная с дозы 106 рад, происходит увеличение поглощения и появление широкой полосы поглощения (ПП), простирающейся до 550 нм, а также уменьшение интенсивности люминесценции в указанных полосах ФЛ, которые обусловлены деградацией структуры ароматического бензольного кольца в матрице полимерной основы и деструкцией добавок.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":"19 14","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-04-08","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"140728699","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
A.G. Qakhkhorov, A. Sherniyozov, Shermaxamat D. Payziyev
We studied transversely solar-pumped Nd3+ doped fiber laser with parabolic trough via simulation models developed by Monte Carlo photon tracing method. Our analysis involved estimating losses at cavity walls and the absorption efficiency within the fiber core. Factoring in the absorption distribution of pumped solar radiation in the fiber, we determined an absorption efficiency of 8% for a 287 meter long fiber arranged in a semicircular configuration. Subsequently, our calculations found a laser output of 3.03 W for this fiber laser system, resulting in an overall conversion efficiency of 4.29% from solar to laser beam.
{"title":"Transversely solar-pumped fiber laser with parabolic trough","authors":"A.G. Qakhkhorov, A. Sherniyozov, Shermaxamat D. Payziyev","doi":"10.52304/.v26i1.500","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v26i1.500","url":null,"abstract":"We studied transversely solar-pumped Nd3+ doped fiber laser with parabolic trough via simulation models developed by Monte Carlo photon tracing method. Our analysis involved estimating losses at cavity walls and the absorption efficiency within the fiber core. Factoring in the absorption distribution of pumped solar radiation in the fiber, we determined an absorption efficiency of 8% for a 287 meter long fiber arranged in a semicircular configuration. Subsequently, our calculations found a laser output of 3.03 W for this fiber laser system, resulting in an overall conversion efficiency of 4.29% from solar to laser beam.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":"56 S3","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-04-08","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"140731925","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В работе исследовано влияние температуры (300 и 600 К) и давления (1.5 и 10 бар) на процесс адсорбции атомов азота двухслойной углеродной нанотрубкой (ДУНТ, (5.5+10.10)) методом молекулярной динамики (МД) с использованием потенциала ReaxFF. Результаты исследований показывают, что температура и давление оказывают значительное влияние на степень адсорбции атомов азота поверхностью ДУНТ, наилучший показатель адсорбции для выбранной ДУНТ получен при температуре 300 К и давлении 10 бар (79%).
{"title":"Изучение процессов адсорбции атомов азота двухстенной углеродной нанотрубкой в зависимости от температуры","authors":"Ш.А. Муминова Муминова, Д.В. Алябьев, Ф.Ф. Умаров, И.Д. Ядгаров","doi":"10.52304/.v26i1.501","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v26i1.501","url":null,"abstract":"В работе исследовано влияние температуры (300 и 600 К) и давления (1.5 и 10 бар) на процесс адсорбции атомов азота двухслойной углеродной нанотрубкой (ДУНТ, (5.5+10.10)) методом молекулярной динамики (МД) с использованием потенциала ReaxFF. Результаты исследований показывают, что температура и давление оказывают значительное влияние на степень адсорбции атомов азота поверхностью ДУНТ, наилучший показатель адсорбции для выбранной ДУНТ получен при температуре 300 К и давлении 10 бар (79%).","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":"46 4","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-04-08","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"140729760","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Методами квантовохимического моделирования исследовано влияние аргонового окружения на структуру и колебательные спектры метанола. Методом DFT в приближении B3LYP/cc-pVTZ рассчитаны оптимальные геометрические параметры и спектры инфракрасного поглощения молекулы метанола в вакууме и в аргоне. Показано, что в присутствии аргона изменяются длины химических связей, а также углы между ними, что приводит к смещению полос в спектре ИК поглощения. Полосы валентных С–Н и О–Н колебаний сдвигаются в низкочастотную сторону, в то время как полосы деформационных колебаний смещаются в сторону более высоких частот.
{"title":"Квантово-химическое моделирование влияния аргонового окружения на колебательные спектры метанола","authors":"А.А. Некбоев, Б.Т. Куйлиев, M.M. Онук, И.Ю. Дорошенко, Д.Б. Гулмуратова","doi":"10.52304/.v25i4.470","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i4.470","url":null,"abstract":"Методами квантовохимического моделирования исследовано влияние аргонового окружения на структуру и колебательные спектры метанола. Методом DFT в приближении B3LYP/cc-pVTZ рассчитаны оптимальные геометрические параметры и спектры инфракрасного поглощения молекулы метанола в вакууме и в аргоне. Показано, что в присутствии аргона изменяются длины химических связей, а также углы между ними, что приводит к смещению полос в спектре ИК поглощения. Полосы валентных С–Н и О–Н колебаний сдвигаются в низкочастотную сторону, в то время как полосы деформационных колебаний смещаются в сторону более высоких частот.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":" 3","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-01-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"139616921","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Рост оксидных слоев различных диэллектриков на поверхности кремния осуществляют при высокой температуре (1150-1200) по цельсию в атмосфере сухого кислорода O2. Цвет покрытия определяется его толщиной и показателем преломления. При наблюдении света, отраженного под прямым углом (перпендикулярный свет), с учетом того что показатель преломления SiO2 равен 1.46, цветовые оттенки покрытия повторяются по всему спектру от фиолетового до темно-красного через 160-240 нм. SiO2 показывает значительный статистический разброс значений напряжения пробоя (от 15 В до 190 В и выше). Ширина запрещенной зоны с использованием закона отражения (HR-4000) находится в диапазоне от 1.14 до 2.36 эВ. Исследования на IRTracer-100 указывают на образование химической связи между Si-O. Расчеты показали, что напряжённость поля, достаточная для электрического пробоя диоксида кремния, находится в пределах 5 10 5 -5 10 6 В/см.
{"title":"Формирование диэлектрических подложек для магнетрон-ного осаждения силицидных покрытий","authors":"Б.Д. Игамов, А.И. Камардин, Илхом Рустамович Бекпулатов","doi":"10.52304/.v25i4.469","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i4.469","url":null,"abstract":"Рост оксидных слоев различных диэллектриков на поверхности кремния осуществляют при высокой температуре (1150-1200) по цельсию в атмосфере сухого кислорода O2. Цвет покрытия определяется его толщиной и показателем преломления. При наблюдении света, отраженного под прямым углом (перпендикулярный свет), с учетом того что показатель преломления SiO2 равен 1.46, цветовые оттенки покрытия повторяются по всему спектру от фиолетового до темно-красного через 160-240 нм. SiO2 показывает значительный статистический разброс значений напряжения пробоя (от 15 В до 190 В и выше). Ширина запрещенной зоны с использованием закона отражения (HR-4000) находится в диапазоне от 1.14 до 2.36 эВ. Исследования на IRTracer-100 указывают на образование химической связи между Si-O. Расчеты показали, что напряжённость поля, достаточная для электрического пробоя диоксида кремния, находится в пределах 5 10 5 -5 10 6 В/см.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":"5 6","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-01-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"139527272","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
A. Jumabaev, A. Absanov, B. Khudaykulov, Z.I. Ernazarov
In this work, on the example of butyl acetate, the nature of intermolecular interactions was studied using vibrational spectroscopy (Raman and FTIR) and non-empirical calculations. The geometric structures of the most stable dimer and trimer aggregates of butyl acetate were optimized using the Density Functional Theory (DFT) method based on the B3LYP/6-311++G(d,p) basis set. Molecular aggregations in liquid butyl acetate were shown to be formed by dipole-dipole interactions and weak C-H…O hydrogen bonds. A potential energy distribution (PED) analysis was performed for the butyl acetate molecule, and experimental and calculated frequencies were found to be in good agreement. Frontier molecular orbitals such as the highest occupied molecular orbital (HOMO) and lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the butyl acetate molecule were analyzed.
{"title":"Investigation of intermolecular interactions in butyl acetate using vibrational spectroscopy and non-empirical calculations","authors":"A. Jumabaev, A. Absanov, B. Khudaykulov, Z.I. Ernazarov","doi":"10.52304/.v25i4.471","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i4.471","url":null,"abstract":"In this work, on the example of butyl acetate, the nature of intermolecular interactions was studied using vibrational spectroscopy (Raman and FTIR) and non-empirical calculations. The geometric structures of the most stable dimer and trimer aggregates of butyl acetate were optimized using the Density Functional Theory (DFT) method based on the B3LYP/6-311++G(d,p) basis set. Molecular aggregations in liquid butyl acetate were shown to be formed by dipole-dipole interactions and weak C-H…O hydrogen bonds. A potential energy distribution (PED) analysis was performed for the butyl acetate molecule, and experimental and calculated frequencies were found to be in good agreement. Frontier molecular orbitals such as the highest occupied molecular orbital (HOMO) and lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the butyl acetate molecule were analyzed.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":"52 13","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-01-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"139526792","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Быстрое развитие технологий полимерных солнечных элементов (ПСЭ) в последние годы позволили достичь впечатляющих успехов в повышении эффективности преобразования энергии (ЭПЭ), достигнув значения последней более 19 процентов, что демонстрирует большие перспективы их практического применения в будущем. Достижения в области новых материалов для указанных целей, в том числе: донорных из сопряженных полимеров, олигомеро-подобных органических молекул, а также полимерных акцепторов на основе фуллеренов и нефуллереновых молекул, однокомпонентных ПСЭ и водно/спирто-растворимых интерфейсных материалов в качестве буферного слоя, стали основой для исследований новых перспективных ПСЭ. Исходя из этого, в настоящей статье проанализированы различные типы материалов, используемых для ПСЭ, их преимущества и недостатки для практического применения в солнечной энергетике.
近年来，聚合物太阳能电池（PSC）技术发展迅速，能量转换效率（ECE）达到 19% 以上，取得了令人瞩目的进步，为未来的应用展示了广阔前景。在用于这些目的的新材料领域所取得的成就，包括：共轭聚合物供体材料、类低聚物有机分子以及基于富勒烯和非富勒烯分子的聚合物受体、单组分 PSE 和作为缓冲层的水/醇溶性界面材料，已成为研究新型前景广阔的 PSE 的基础。在此基础上，本文分析了用于 PSE 的不同类型材料及其在太阳能实际应用中的优缺点。
{"title":"Разработки и ключевые проблемы в области полимерных солнечных элементов","authors":"Э. А. Захидов, А. А. Сапарбаев","doi":"10.52304/.v25i4.477","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i4.477","url":null,"abstract":"Быстрое развитие технологий полимерных солнечных элементов (ПСЭ) в последние годы позволили достичь впечатляющих успехов в повышении эффективности преобразования энергии (ЭПЭ), достигнув значения последней более 19 процентов, что демонстрирует большие перспективы их практического применения в будущем. Достижения в области новых материалов для указанных целей, в том числе: донорных из сопряженных полимеров, олигомеро-подобных органических молекул, а также полимерных акцепторов на основе фуллеренов и нефуллереновых молекул, однокомпонентных ПСЭ и водно/спирто-растворимых интерфейсных материалов в качестве буферного слоя, стали основой для исследований новых перспективных ПСЭ. Исходя из этого, в настоящей статье проанализированы различные типы материалов, используемых для ПСЭ, их преимущества и недостатки для практического применения в солнечной энергетике.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":"52 8","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-01-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"139526797","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
У.Ф. Бердиев, И. Х. Худайкулов, Ш.Ч. Искандаров, Т.К. Турдалиев
В работе исследовались композитные протонно-обменные мембраны на основе поливинилового спирта, содержащие наночастицы диоксида кремния, которые разрабатывались с целью улучшения их механических свойств и химической стабильности, что критически важно для использования в ванадиевых проточных аккумуляторах. Эксперименты проводили добавлением различных процентов наночастиц диоксида кремния в мембраны. Механическая прочность и удлинение при разрыве мембран измеряли до и после электрохимических процессов внутри проточного аккумулятора. Результаты показали, что включение наночастиц диоксида кремния в состав мембран влияет на их механические свойства. Оптимальное количество наночастиц составило 10%, при этом мембраны остались стабильными и могли эффективно использоваться в ванадиевых проточных аккумуляторах. Также выявлено, что добавление более 10% наночастиц диоксида кремния приводит к недопустимому ухудшению механических свойств мембран, что делает их непригодными для использования. Эти результаты имеют важное значение для развития эффективных и экологически чистых электрохимических систем, таких как ванадиевые проточные аккумуляторы.
{"title":"Механические свойства протонно-обменной композитной мембраны, синтезированной на основе поливинилового спирта","authors":"У.Ф. Бердиев, И. Х. Худайкулов, Ш.Ч. Искандаров, Т.К. Турдалиев","doi":"10.52304/.v25i4.479","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i4.479","url":null,"abstract":"В работе исследовались композитные протонно-обменные мембраны на основе поливинилового спирта, содержащие наночастицы диоксида кремния, которые разрабатывались с целью улучшения их механических свойств и химической стабильности, что критически важно для использования в ванадиевых проточных аккумуляторах. Эксперименты проводили добавлением различных процентов наночастиц диоксида кремния в мембраны. Механическая прочность и удлинение при разрыве мембран измеряли до и после электрохимических процессов внутри проточного аккумулятора. Результаты показали, что включение наночастиц диоксида кремния в состав мембран влияет на их механические свойства. Оптимальное количество наночастиц составило 10%, при этом мембраны остались стабильными и могли эффективно использоваться в ванадиевых проточных аккумуляторах. Также выявлено, что добавление более 10% наночастиц диоксида кремния приводит к недопустимому ухудшению механических свойств мембран, что делает их непригодными для использования. Эти результаты имеют важное значение для развития эффективных и экологически чистых электрохимических систем, таких как ванадиевые проточные аккумуляторы.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":"52 6","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-01-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"139526799","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В работе представлены результаты изучения природы энергетических уровней электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs, содержащих тонкий нанослой InAs. Численными и аналитическими методами проанализированы зависимости этих энергетических уровней от толщины слоя InAs En(b). В модели бесконечно глубокой ямы получена аналитическая формула зависимости En(b). Найденная в модели параболических зон зависимость энергетических уровней от толщины b нанослоя InAs оказалась сильной и сложной. В модели непараболических зон из-за роста массы электрона по энергии число энергетических уровней в яме увеличилось, а зависимости En(b) заметно подавлены. Анализируются природа и причины этих закономерностей.
{"title":"Влияние тонкого слоя InAs на энергию электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs","authors":"П.Ж. Байматов, Б.Т. Абдулазизов, М.С. Тохиржонов","doi":"10.52304/.v25i4.474","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i4.474","url":null,"abstract":"В работе представлены результаты изучения природы энергетических уровней электрона в квантовой яме гетероструктур AlAs/InxGa1-xAs/AlAs, содержащих тонкий нанослой InAs. Численными и аналитическими методами проанализированы зависимости этих энергетических уровней от толщины слоя InAs En(b). В модели бесконечно глубокой ямы получена аналитическая формула зависимости En(b). Найденная в модели параболических зон зависимость энергетических уровней от толщины b нанослоя InAs оказалась сильной и сложной. В модели непараболических зон из-за роста массы электрона по энергии число энергетических уровней в яме увеличилось, а зависимости En(b) заметно подавлены. Анализируются природа и причины этих закономерностей.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":" January","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-01-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"139618119","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
А. А. Хакимов, Ахмат Зайнидинович Рахматов, С. И. Герасименко, Р.Г. Закиров, O.A. Aбдулхаев, Шукурулло Мустафаевич Кулиев, Д.Б. Истамов, А.Р. Абдулхаева, Дильбара Мустафаевна Ёдгорова
Предложен и экспериментально реализован макет усилителя малых электрических сигналов с возможностью получения устойчивого усиления сигнала для использования его в схеме электронных термометров, который объединяет возможность функционирования в одно- и двухполярном режиме, что обеспечивает удобство и простоту в работе, поскольку удается обойтись без полноценного двухполярного питания. Чувствительность усилителя в пределах величин от 150 до 310 мВ на 1оС, что показывает перспективность использования его в схемах электронных термометров.
{"title":"Экспериментальные исследования усиления сигнала в электрической цепи электронного термометра","authors":"А. А. Хакимов, Ахмат Зайнидинович Рахматов, С. И. Герасименко, Р.Г. Закиров, O.A. Aбдулхаев, Шукурулло Мустафаевич Кулиев, Д.Б. Истамов, А.Р. Абдулхаева, Дильбара Мустафаевна Ёдгорова","doi":"10.52304/.v25i4.473","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i4.473","url":null,"abstract":"Предложен и экспериментально реализован макет усилителя малых электрических сигналов с возможностью получения устойчивого усиления сигнала для использования его в схеме электронных термометров, который объединяет возможность функционирования в одно- и двухполярном режиме, что обеспечивает удобство и простоту в работе, поскольку удается обойтись без полноценного двухполярного питания. Чувствительность усилителя в пределах величин от 150 до 310 мВ на 1оС, что показывает перспективность использования его в схемах электронных термометров.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":"59 11","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2024-01-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"139526837","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：