Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.298.299
А.А. Давлятшина, В.А. Исправникова, Антон Сергеевич Самсонов
Проанализировано текущее состояние и обозначены перспективы развития отечественной ЭКБ СВЧ электроники. Выделены перспективные и критические технологии производства отечественных СВЧ-изделий ЭКБ.
分析当前状态，并显示国内微波电子产品的发展前景。ecb国内微波产品的未来和关键技术已经被开发出来。
{"title":"ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗРАБОТКИ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ЭКБ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКИ","authors":"А.А. Давлятшина, В.А. Исправникова, Антон Сергеевич Самсонов","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.298.299","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.298.299","url":null,"abstract":"Проанализировано текущее состояние и обозначены перспективы развития отечественной ЭКБ СВЧ электроники. Выделены перспективные и критические технологии производства отечественных СВЧ-изделий ЭКБ.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"29 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115468583","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.17.23
И.Л. Корнеев, Александр Степанович Кузнецов, Владимир Степанович Королев
Рассмотрен проект КОНСУЛ, выполненный на основе локальной системы навигации, дополняющей системы ГНСС в случаях поставленных помех или отсутствия сигнала ГНСС в точке приема. Рассмотрены задачи, режимы и методы, реализуемые в ЛСН системы КОНСУЛ. Приведен расчет инструментальной ошибки позиционирования и синхронизации в ЛСН. Указаны основные сферы применения результатов проекта.
{"title":"РЕЖИМЫ РАБОТЫ ЛОКАЛЬНОЙ СИСТЕМЫ НАВИГАЦИИ В ПРОЕКТЕ КОНСУЛ. ПОТРЕБИТЕЛИ СИСТЕМЫ КОНСУЛ","authors":"И.Л. Корнеев, Александр Степанович Кузнецов, Владимир Степанович Королев","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.17.23","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.17.23","url":null,"abstract":"Рассмотрен проект КОНСУЛ, выполненный на основе локальной системы навигации, дополняющей системы ГНСС в случаях поставленных помех или отсутствия сигнала ГНСС в точке приема. Рассмотрены задачи, режимы и методы, реализуемые в ЛСН системы КОНСУЛ. Приведен расчет инструментальной ошибки позиционирования и синхронизации в ЛСН. Указаны основные сферы применения результатов проекта.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"12 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125215484","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.568.571
А. А. Орлов, Е.А. Ганькина, А. А. Резванов
В работе приведен анализ возможности использования пористого low-k-диэлектрика в качестве буферного слоя в структурах с эффектом памяти. Рассмотрена физика работы мемристора с кобальтитом лития в качестве основного переключающего слоя.
{"title":"МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ В СТРУКТУРЕ С ЭФФЕКТОМ ПАМЯТИ С ПОРИСТЫМ LOWK-ДИЭЛЕКТРИКОМ В КАЧЕСТВЕ БУФЕРНОГО СЛОЯ","authors":"А. А. Орлов, Е.А. Ганькина, А. А. Резванов","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.568.571","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.568.571","url":null,"abstract":"В работе приведен анализ возможности использования пористого low-k-диэлектрика в качестве буферного слоя в структурах с эффектом памяти. Рассмотрена физика работы мемристора с кобальтитом лития в качестве основного переключающего слоя.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"37 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130172711","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.384.388
С.Ю. Переверзева, Ю. П. Шаман, Е. А. Лебедев, А. В. Сыса, Р. М. Рязанов, Д. Г. Громов, Е. П. Кицюк
Продемонстрирована возможность создания энергетического композиционного материала на основе нанопорошковых систем Al/Ni/Fe3O4 с использованием функциональной добавки углеродных нанотрубок и клея БФ-4. Установлено, что протекание самоподдерживающейся экзотермической реакции в энергетическом композиционном материале возможно после его термообработки при 300 °C.
{"title":"ПОЛУЧЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ КОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ НАНОПОРОШКОВ AL/NI/FE3O4 ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В АДДИТИВНОЙ ТЕХНОЛОГИИ","authors":"С.Ю. Переверзева, Ю. П. Шаман, Е. А. Лебедев, А. В. Сыса, Р. М. Рязанов, Д. Г. Громов, Е. П. Кицюк","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.384.388","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.384.388","url":null,"abstract":"Продемонстрирована возможность создания энергетического композиционного материала на основе нанопорошковых систем Al/Ni/Fe3O4 с использованием функциональной добавки углеродных нанотрубок и клея БФ-4. Установлено, что протекание самоподдерживающейся экзотермической реакции в энергетическом композиционном материале возможно после его термообработки при 300 °C.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"189 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124198047","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.595.601
Александр Артемович Соловьев, Е.Ф. Певцов
В работе приведена модель микроэлектромеханического логического вентиля с подвижным затворным электродом, преобразующего электрический сигнал в механические колебания и способного выполнять функцию булевой алгебры «Исключающее ИЛИ».
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.300.307
А. С. Сальников, А.Е. Горяинов, Д.В. Билевич, А. А. Метель, Т. Н. Файль, Ю. А. Новичкова, А. А. Попов, Анатолий Алексеевич Калентьев, И. М. Добуш
Приведены результаты разработки методик и алгоритмов автоматизированного проектирования усилительных и логических схем, используемых при построении СВЧ многофункциональных интегральных схем. Использование алгоритмов синтеза схем позволило значительно ускорить разработку данных классов устройств. Исследования проводились на основе 0,25-мкм GaAs pHEMT-технологии (АО «Светлана-Рост»).
{"title":"АВТОМАТИЗАЦИЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЛОКОВ ДЛЯ ПОСТРОЕНИЯ СВЧ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ 0,25МКМ","authors":"А. С. Сальников, А.Е. Горяинов, Д.В. Билевич, А. А. Метель, Т. Н. Файль, Ю. А. Новичкова, А. А. Попов, Анатолий Алексеевич Калентьев, И. М. Добуш","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.300.307","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.300.307","url":null,"abstract":"Приведены результаты разработки методик и алгоритмов автоматизированного проектирования усилительных и логических схем, используемых при построении СВЧ многофункциональных интегральных схем. Использование алгоритмов синтеза схем позволило значительно ускорить разработку данных классов устройств. Исследования проводились на основе 0,25-мкм GaAs pHEMT-технологии (АО «Светлана-Рост»).","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"38 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128578364","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.89.93
А.М. Белимов, Е. А. Синицын
Рассматриваются принципы построения, отличительные особенности и основные тактико-технические характеристики нового посадочного радиолокатора ПРЛ-2СТ для управления полетами и посадкой воздушных судов в аэродромной зоне
正在审查飞机在机场区域飞行和降落控制新着陆雷达的队形、特征和基本战术和技术特征
{"title":"НОВЫЙ ПОСАДОЧНЫЙ РАДИОЛОКАТОР ПРЛ-2СТ","authors":"А.М. Белимов, Е. А. Синицын","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.89.93","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.89.93","url":null,"abstract":"Рассматриваются принципы построения, отличительные особенности и основные тактико-технические характеристики нового посадочного радиолокатора ПРЛ-2СТ для управления полетами и посадкой воздушных судов в аэродромной зоне","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"2015 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127259647","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.504.508
Алексей Викторович Зотов, А. И. Ильин, Олег Владимирович Трофимов, Владимир Тарасович Волков, В. А. Тулин
Методом электронной литографии к чешуйкам Bi2Se3, перенесенным скотчем на подложку SiO2, созданы образцы, в которых исследованы процессы резистивных переключений и возможность управления многоуровневыми мемристивными состояниями.
电子石版法将Bi2Se3鳞片移植到SiO2底盘上，提供了对电阻转换过程和多层膜状态管理能力的样本。
{"title":"МЕМРИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В МИКРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ВИСМУТА","authors":"Алексей Викторович Зотов, А. И. Ильин, Олег Владимирович Трофимов, Владимир Тарасович Волков, В. А. Тулин","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.504.508","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.504.508","url":null,"abstract":"Методом электронной литографии к чешуйкам Bi2Se3, перенесенным скотчем на подложку SiO2, созданы образцы, в которых исследованы процессы резистивных переключений и возможность управления многоуровневыми мемристивными состояниями.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"59 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126896140","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.211.217
В. А. Клоков, А.Д. Саури, А.И. Сарайкин, Н. И. Каргин, А. А. Гармаш, Е.А. Гузняева
В этой статье представлено описание методологии проектирования усилителя мощности 40 Вт Ku-диапазона 14,25-14,75 ГГц для спутниковой связи, использующего силовые транзисторные ячейки GaN-транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) (CGHV1J025D) от Wolfspeed. Усилитель реализован по технологии гибридных СВЧ интегральных схем на подложке из оксида алюминия. УМ показывает измеренные характеристики выходной мощности более 40 Вт для непрерывного сигнала с PAE более 40 %.
{"title":"МЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ГИБРИДНОГО БАЛАНСНОГО GAN-УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ KU-ДИАПАЗОНА МОЩНОСТЬЮ 40 ВТ","authors":"В. А. Клоков, А.Д. Саури, А.И. Сарайкин, Н. И. Каргин, А. А. Гармаш, Е.А. Гузняева","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.211.217","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.211.217","url":null,"abstract":"В этой статье представлено описание методологии проектирования усилителя мощности 40 Вт Ku-диапазона 14,25-14,75 ГГц для спутниковой связи, использующего силовые транзисторные ячейки GaN-транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) (CGHV1J025D) от Wolfspeed. Усилитель реализован по технологии гибридных СВЧ интегральных схем на подложке из оксида алюминия. УМ показывает измеренные характеристики выходной мощности более 40 Вт для непрерывного сигнала с PAE более 40 %.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"20 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"129571790","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.235.238
Е.С. Кочурина, С.А. Анчутин, А.С. Мусаткин, И.С. Дернов, А.С. Тимошенков, В. М. Полушкин, Сергей Петрович Тимошенков
Приведено описание разработанной конструкции чувствительного элемента МЭМС-акселерометра, представлены результаты моделирования. Приведено описание разработанного стенда для проведения исследований. Представлены результаты проведенных экспериментальных исследований.
{"title":"РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МЭМСАКСЕЛЕРОМЕТРА","authors":"Е.С. Кочурина, С.А. Анчутин, А.С. Мусаткин, И.С. Дернов, А.С. Тимошенков, В. М. Полушкин, Сергей Петрович Тимошенков","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.235.238","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.235.238","url":null,"abstract":"Приведено описание разработанной конструкции чувствительного элемента МЭМС-акселерометра, представлены результаты моделирования. Приведено описание разработанного стенда для проведения исследований. Представлены результаты проведенных экспериментальных исследований.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"99 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121258695","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：