Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.266.273
К. А. Иванов, Ал.В. Редька
В статье рассматривается проверка работоспособности реализованной в оригинальной программе AliceFlow [1] модели ламинарно-турбулентного перехода Ментора - Лантгрии [3] с четырьмя уравнениями переноса для расчета турбулентных характеристик. Производится сравнение программы AliceFlow с программой ANSYS Icepak на примере расчета задачи воздушного охлаждения модуля с тепловой мощностью 1,4 кВт при использовании модели турбулентности Ментора-Лантгрии.
{"title":"ТЕПЛОВОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РАБОТЫ 1,4-КВТ ИМПУЛЬСНОГО УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ С ПРИМЕНЕНИЕМ МОДЕЛИ ТУРБУЛЕНТНОСТИ МЕНТОРА - ЛАНТГРИИ В ОРИГИНАЛЬНОЙ ПРОГРАММЕ","authors":"К. А. Иванов, Ал.В. Редька","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.266.273","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.266.273","url":null,"abstract":"В статье рассматривается проверка работоспособности реализованной в оригинальной программе AliceFlow [1] модели ламинарно-турбулентного перехода Ментора - Лантгрии [3] с четырьмя уравнениями переноса для расчета турбулентных характеристик. Производится сравнение программы AliceFlow с программой ANSYS Icepak на примере расчета задачи воздушного охлаждения модуля с тепловой мощностью 1,4 кВт при использовании модели турбулентности Ментора-Лантгрии.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"20 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125212635","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.9.16
Г. Я. Красников
В работе рассмотрены основные аспекты, связанные с понятием квантовых технологий. Приведены основные принципы их построения, история развития и перспективы их исследований в России с учетом мирового опыта.
{"title":"КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ: СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ","authors":"Г. Я. Красников","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.9.16","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.9.16","url":null,"abstract":"В работе рассмотрены основные аспекты, связанные с понятием квантовых технологий. Приведены основные принципы их построения, история развития и перспективы их исследований в России с учетом мирового опыта.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"90 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131669055","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.389.392
А.В. Грабов, С. Ю. Суздальцев, Д.Д. Рискин, Д.Ю. Обижаев, В.Е. Турков, Сергей Александрович Жуков
Разработан электрохимический процесс формирования SLID-структуры Cu-Sn для герметизации МЭМС по технологии WLP, совместимый с ф/л и отличающийся наличием финишного э/х-глянцевания. Исследовано дендритообразование и методы его предотвращения, а также механизмы диффузии Sn в Cu и рост интерметаллидов.
{"title":"ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ SLID-СТРУКТУРЫ CUSN ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ МЭМС НА УРОВНЕ ПЛАСТИНЫ","authors":"А.В. Грабов, С. Ю. Суздальцев, Д.Д. Рискин, Д.Ю. Обижаев, В.Е. Турков, Сергей Александрович Жуков","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.389.392","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.389.392","url":null,"abstract":"Разработан электрохимический процесс формирования SLID-структуры Cu-Sn для герметизации МЭМС по технологии WLP, совместимый с ф/л и отличающийся наличием финишного э/х-глянцевания. Исследовано дендритообразование и методы его предотвращения, а также механизмы диффузии Sn в Cu и рост интерметаллидов.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130947436","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.37.38
П.А. Чучко, Игнат Николаевич Бычков, Е Г Панченко
Разработан модуль COM Express для интеграции в вычислительные системы. Приведены характеристики разработанного модуля и возможные варианты использования. Описаны критерии оптимизации разработки для обеспечения универсальности применения модуля для различных назначений.
COM Express模块被设计成集成到计算机系统中。开发模块的特性和可能的应用。描述了优化开发的标准，以确保模块对不同用途的普遍性。
{"title":"ПРОБЛЕМА УНИФИКАЦИИ МОДУЛЕЙ НА ОСНОВЕ ПРОЦЕССОРА \"ЭЛЬБРУС-2СЗ\"","authors":"П.А. Чучко, Игнат Николаевич Бычков, Е Г Панченко","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.37.38","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.37.38","url":null,"abstract":"Разработан модуль COM Express для интеграции в вычислительные системы. Приведены характеристики разработанного модуля и возможные варианты использования. Описаны критерии оптимизации разработки для обеспечения универсальности применения модуля для различных назначений.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"38 10 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122723307","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.124.129
В.Л. Крюков, А.В. Леви
Рассмотрены особенности конструкции высокоомных p-i-n-структур на основе системы GaAs-AlGaAs и способа их выращивания методом жидкофазной эпитаксии, позволяющие реализовать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги.
{"title":"ВЫСОКООМНЫЕ СТРУКТУРЫ GAAS-ALGAAS ДЛЯ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ","authors":"В.Л. Крюков, А.В. Леви","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.124.129","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.124.129","url":null,"abstract":"Рассмотрены особенности конструкции высокоомных p-i-n-структур на основе системы GaAs-AlGaAs и способа их выращивания методом жидкофазной эпитаксии, позволяющие реализовать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"26 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122737189","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.548.552
С.С. Зюзин, Я.Г. Яссеев, А. А. Резванов, Виталий Витальевич Панин, В. А. Гвоздев, Е. С. Горнев
В данной работе представлены результаты осаждения тонких пленок оксида гафния с использованием отечественной установки «Изофаз Т. 200-01», разработанной НИИТМ. В качестве прекурсоров были использованы TEMAH (тетракис(этилметиламино)гафний(IV)) и плазма кислорода. Были получены тонкие пленки различной толщины (100-300 А) с отличной равномерностью по толщине и высокого качества.
{"title":"АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ГАФНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ УСТАНОВКИ «ИЗОФАЗ Т. 200-01»","authors":"С.С. Зюзин, Я.Г. Яссеев, А. А. Резванов, Виталий Витальевич Панин, В. А. Гвоздев, Е. С. Горнев","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.548.552","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.548.552","url":null,"abstract":"В данной работе представлены результаты осаждения тонких пленок оксида гафния с использованием отечественной установки «Изофаз Т. 200-01», разработанной НИИТМ. В качестве прекурсоров были использованы TEMAH (тетракис(этилметиламино)гафний(IV)) и плазма кислорода. Были получены тонкие пленки различной толщины (100-300 А) с отличной равномерностью по толщине и высокого качества.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"16 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121320666","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.481.488
А. А. Кирьянов, С. Б. Беневоленский, И.К. Бельченко
Представлены результаты разработки интеллектуальной системы роботизированного агротехнического комплекса, предназначенного для сбора и анализа данных почвенного покрова, заболеваний выращиваемых культур и прогресса их вегетации, внесения удобрений и удаления сорняков. Показаны особенности алгоритмических решений и разработанного программного обеспечения и приведены достоинства системы.
{"title":"ПРИМЕНЕНИЕ МАШИННОГО ЗРЕНИЯ И МЕТОДОВ ИСКУССТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТА В РОБОТИЗИРОВАННОЙ СИСТЕМЕ УХОДА ЗА РАСТЕНИЯМИ","authors":"А. А. Кирьянов, С. Б. Беневоленский, И.К. Бельченко","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.481.488","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.481.488","url":null,"abstract":"Представлены результаты разработки интеллектуальной системы роботизированного агротехнического комплекса, предназначенного для сбора и анализа данных почвенного покрова, заболеваний выращиваемых культур и прогресса их вегетации, внесения удобрений и удаления сорняков. Показаны особенности алгоритмических решений и разработанного программного обеспечения и приведены достоинства системы.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"7 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122784478","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.524.529
Ю. А. Харламова, Н. М. Арсланов, А.Ю. Чернявский, Сергей Александрович Моисеев
Предлагается высокоэффективная интегральная схема квантового транзистора, представляющего собой атомнофотонную молекулу в виде линейной цепочки из трех микрорезонаторов, каждый из которых содержит один резонансный трехуровневый атом и подключен к волноводам для загрузки и считывания фотонных кубитов. Схема транзистора масштабируема и может быть использована для выполнения квантового логического элемента CNOT с близкой к единице эффективностью для передачи фотонного кубита между атомами транзистора и обратимой загрузки фотонного кубита в атомы резонаторов.
{"title":"ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЙ КВАНТОВЫЙ ТРАНЗИСТОР С СИСТЕМОЙ ЗАГРУЗКИ СОСТОЯНИЙ И ПАМЯТЬЮ В ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЕ","authors":"Ю. А. Харламова, Н. М. Арсланов, А.Ю. Чернявский, Сергей Александрович Моисеев","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.524.529","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.524.529","url":null,"abstract":"Предлагается высокоэффективная интегральная схема квантового транзистора, представляющего собой атомнофотонную молекулу в виде линейной цепочки из трех микрорезонаторов, каждый из которых содержит один резонансный трехуровневый атом и подключен к волноводам для загрузки и считывания фотонных кубитов. Схема транзистора масштабируема и может быть использована для выполнения квантового логического элемента CNOT с близкой к единице эффективностью для передачи фотонного кубита между атомами транзистора и обратимой загрузки фотонного кубита в атомы резонаторов.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130821215","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-05-27DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.183.194
Константин Орестович Петросянц, М.Р. Исмаил-Заде, М. В. Кожухов, Дмитрий Алексеевич Попов, А А Пугачёв, Л М Самбурский, Д.С. Силкин, И. А. Харитонов
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD-и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300 °C и старения при длительной эксплуатации.
{"title":"ПОДСИСТЕМА TCAD- И SPICE-МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ КРЕМНИЕВЫХ БИС С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, РАДИАЦИИ И СТАРЕНИЯ","authors":"Константин Орестович Петросянц, М.Р. Исмаил-Заде, М. В. Кожухов, Дмитрий Алексеевич Попов, А А Пугачёв, Л М Самбурский, Д.С. Силкин, И. А. Харитонов","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.183.194","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.183.194","url":null,"abstract":"Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD-и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300 °C и старения при длительной эксплуатации.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"18 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124524886","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-04-04DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.2.88.94
А.А. Трухова, Александр Сергеевич Филонов, И.В. Яминский
В этой статье мы поговорим не о приборах, а о языке сканирующей зондовой микроскопии: об используемых словах, терминах, обозначениях. Программное обеспечение "ФемтоСкан Онлайн" широко используется в научных сообществах и до недавнего времени было представлено на двух языках: русском и английском. Теперь "ФемтоСкан Онлайн" стало доступно и на китайском языке, самом распространенном языке в мире. О том, как был произведен перевод интерфейса программы, мы расскажем в этой статье. В 1990 году МГУ посетил Нобелевский лауреат Хайнрих Рорер. На память осталась фотография и воспоминания об обаянии этого замечательного ученого и человека. А также дарственная надпись I wish all the best in local probing. В 1990 году еще не появился ни термин scanning probe microscopy, ни "сканирующая зондовая микроскопия". В 1993 году в журнале "Электронная промышленность" вышла серия статей, где мы описали методы локального зондирования поверхности [1]. Краткая триада "сканирующая зондовая микроскопия" появилась позже.
{"title":"СЛОВА И СЛАВА ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ: ЯЗЫК ДО ПЕКИНА ДОВЕДЕТ","authors":"А.А. Трухова, Александр Сергеевич Филонов, И.В. Яминский","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.2.88.94","DOIUrl":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.2.88.94","url":null,"abstract":"В этой статье мы поговорим не о приборах, а о языке сканирующей зондовой микроскопии: об используемых словах, терминах, обозначениях. Программное обеспечение \"ФемтоСкан Онлайн\" широко используется в научных сообществах и до недавнего времени было представлено на двух языках: русском и английском. Теперь \"ФемтоСкан Онлайн\" стало доступно и на китайском языке, самом распространенном языке в мире. О том, как был произведен перевод интерфейса программы, мы расскажем в этой статье. В 1990 году МГУ посетил Нобелевский лауреат Хайнрих Рорер. На память осталась фотография и воспоминания об обаянии этого замечательного ученого и человека. А также дарственная надпись I wish all the best in local probing. В 1990 году еще не появился ни термин scanning probe microscopy, ни \"сканирующая зондовая микроскопия\". В 1993 году в журнале \"Электронная промышленность\" вышла серия статей, где мы описали методы локального зондирования поверхности [1]. Краткая триада \"сканирующая зондовая микроскопия\" появилась позже.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"33 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-04-04","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132103717","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：