Journal de Physique et le Radium最新文献

英文中文

Effets de viscosit en rgime dynamique pour les liquides newtoniens et non newtoniens 牛顿和非牛顿流体动力学中的粘度效应

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-07-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002707-8048900

U. Bernini, A. Carrelli, F. Porreca

Dans cet article nous avons calcule l'impedance mecanique d'un systeme mobile dans un liquide en condition de resonance, et nous avons trouve d'utiles relations pour mesurer les grandeurs viscoelastiques des liquides newtoniens ou non. Nous decrivons en plus le dispositif experimental realise pour le controle des differentes conclusions qui dependent du comportement newtonien ou non des liquides examines. L'accord raisonnable entre nos previsions et l'experience nous donne confiance dans ce dispositif simple et sensible de mesure des coefficients viscoelastiques, en regime dynamique, pour differentes frequences, pour differentes temperatures et pour differents gradients de vitesse.

在这篇文章中，我们计算了流体共振条件下移动系统的机械阻抗，并发现了测量牛顿和非牛顿流体粘弹性量的有用关系。我们还描述了用于控制不同结论的实验装置，这些结论取决于被测试液体的牛顿行为或其他行为。我们的预测和经验之间的合理一致使我们对这个简单而灵敏的装置有信心，它可以在动态状态下测量不同频率、不同温度和不同速度梯度的粘弹性系数。

引用次数: 1

Les mobilits des ions dans les hydrocarbures liquides 液态碳氢化合物中的离子迁移率

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-07-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002707-8049500

J. Mathieu, J. P. Patau, D. Blanc

引用次数: 2

Réactions nucléaires (p, αxn) et (p, pαxn) sur le bismuth aux moyennes énergies, présomptions en faveur de la projection de sous-structures alpha 中能铋上的核反应(p， αxn)和(p, pαxn)，支持α亚结构投影的假设

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-07-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002707-8038500

R. Bimbot, M. Lefort

On a mesure les sections efficaces des noyaux de plomb 204m a 200 et des noyaux de thallium 204 a 196 produits par bombardement de bismuth par des protons de 30 a 140 MeV. Entre 30 et 90 MeV environ, le mecanisme responsable de la production de ces noyaux est essentiellement celui de la projection de sous-structures α par les protons incidents ou par des nucleons secondairement emis, suivie de la desexcitation du noyau residuel par evaporations de quelques neutrons. En utilisant la distribution en energie des particules α mesuree par d'autres auteurs et en procedant a des calculs sur les collisions des nucleons d'interaction directe et les sous-structures α, on a determine des sections efficaces de reactions (p, αxn) et (p, pαxn) qui sont en tres bon accord avec les mesures experimentales effectuees sur les noyaux produits. En conclusion, quelques arguments supplementaires sont fournis en faveur de l'hypothese de l'organisation en structure alpha de la zone diffuse de matiere nucleaire en surface des noyaux lourds. Un appendice expose une methode permettant de mesurer le nombre de noyaux radioactifs obtenus apres irradiation sans erreur notable, meme lorsque la periode de desintegration est connue avec une forte imprecision.

测量了30 ~ 140 MeV质子轰击铋产生的铅芯204 ~ 200和铊芯204 ~ 196的有效截面。30至90兆左右,负责生产这些内核机制基本上是投影子结构α的质子事件”或由nucleons残余内核的1992年,其次是desexcitation表示,由中子就是这个数。距屋面使用α粒子的能量分配和其他作者在procedant计算碰撞上了nucleons直接交流和各子结构α,有人决定的反应截面(pα,xn)和(w),αxn)有很好的协议与原子核的产品上开展的实验步骤。综上所述，还提出了一些额外的论据来支持重核表面核物质扩散带α结构组织的假设。附录中列出了一种测量辐照后获得的放射性核数的方法，即使已知的衰变周期非常不精确，也没有明显的误差。

{"title":"Réactions nucléaires (p, αxn) et (p, pαxn) sur le bismuth aux moyennes énergies, présomptions en faveur de la projection de sous-structures alpha","authors":"R. Bimbot, M. Lefort","doi":"10.1051/JPHYS:01966002707-8038500","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JPHYS:01966002707-8038500","url":null,"abstract":"On a mesure les sections efficaces des noyaux de plomb 204m a 200 et des noyaux de thallium 204 a 196 produits par bombardement de bismuth par des protons de 30 a 140 MeV. Entre 30 et 90 MeV environ, le mecanisme responsable de la production de ces noyaux est essentiellement celui de la projection de sous-structures α par les protons incidents ou par des nucleons secondairement emis, suivie de la desexcitation du noyau residuel par evaporations de quelques neutrons. En utilisant la distribution en energie des particules α mesuree par d'autres auteurs et en procedant a des calculs sur les collisions des nucleons d'interaction directe et les sous-structures α, on a determine des sections efficaces de reactions (p, αxn) et (p, pαxn) qui sont en tres bon accord avec les mesures experimentales effectuees sur les noyaux produits. En conclusion, quelques arguments supplementaires sont fournis en faveur de l'hypothese de l'organisation en structure alpha de la zone diffuse de matiere nucleaire en surface des noyaux lourds. Un appendice expose une methode permettant de mesurer le nombre de noyaux radioactifs obtenus apres irradiation sans erreur notable, meme lorsque la periode de desintegration est connue avec une forte imprecision.","PeriodicalId":54899,"journal":{"name":"Journal de Physique et le Radium","volume":"30 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1966-07-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"77594402","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 3

Rendements quantiques de fluorescence et durées de vie radiative de quelques solutés utilisés dans les scintillateurs liquides 液体闪烁体中某些溶质的荧光量产率和辐射寿命

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-07-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002707-8039800

H. Lami, G. Pfeffer, G. Laustriat

Les durees moyennes d'emission et les rendements quantiques de fluorescence de plusieurs solutes, utilises dans les scintillateurs liquides et plastiques, ont ete determines. Pour la plupart de ces substances, en solution dans le cyclohexane, la validite de l'expression theorique de la duree de vie radiativc, proposee par Strickler et Berg, a ete verifiee ; le desaccord observe dans le cas du diphenyl-2,5 oxazole (PPO) a permis de confirmer la presence d'une bande masquee dans le spectre d'absorption de ce solute.

测定了液体和塑料闪烁体中几种溶质的平均发射硬度和荧光量产率。对于大多数这些物质，在环己烷溶液中，验证了Strickler和Berg提出的辐射寿命理论表达的有效性;在苯基- 2.5恶唑(PPO)的情况下观察到的差异证实了该溶质吸收光谱中存在掩带。

引用次数: 30

Ionisation thermique d'un corps possdant un niveau mtastable 具有可测量水平的物体的热电离

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-07-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002707-8042700

A. Pozwolski

La densite electronique d'un plasma thermique peut etre considerablement augmentee si des atomes metastables sont presents. On a generalise l'equation de Saha en considerant un gaz forme de deux classes d'atomes qui ne different que par leur niveau d'energie fondamental suivant le modele propose par L. E. Brewer et W. K. McGregor. Le calcul de l'ionisation se fait par la methode des multiplicateurs de Lagrange en appliquant la mecanique statistique classique de Maxwell-Boltzmann au melange gazeux considere.

如果存在亚稳态原子，热等离子体的电子密度可以大大增加。根据L. E. Brewer和W. K. McGregor提出的模型，考虑两类原子形成的气体，推广了Saha方程，这两类原子仅在基本能量水平上不同。将经典的麦克斯韦-玻尔兹曼统计力学应用于考虑的气体混合物，采用拉格朗日乘数法计算电离。

引用次数: 0

Les ondes acoustiques dans les cristaux molculaires 摩尔晶体中的声波

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-03-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002703-4014700

George Deprez, R. Fouret

HAL is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of scientific research documents, whether they are published or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers. L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignement et de recherche français ou étrangers, des laboratoires publics ou privés. Les ondes acoustiques dans les cristaux moléculaires G. Deprez, R. Fouret

它是一个多学科的开放获取档案，用于科学研究文件的存储和传播，无论它们是否出版。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。HAL开放多学科档案旨在存放和传播来自法国或外国教育和研究机构、公共或私人实验室的已发表或未发表的研究级科学文件。分子晶体中的声波G. Deprez, R. Fouret

引用次数: 3

Instabilité électronique et changement de phase cristalline des composés du type V3Si à basse température V3Si型化合物在低温下的电子不稳定性和晶体相变

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-03-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002703-4015300

J. Labbé, J. Friedel

2014 In V3Si the vanadium atoms form an array of dense linear chains ; a tight binding approximation in one dimension can be used for the d electrons. It is found that the electronic energy calculated by this method is reduced when the lattice is deformed. This leads to a band type of Jahn-Teller effect, which could explain the cubic to tetragonal transition which has been observed at low temperatures. LE JOURNAL DE PHYSIQUE TOME 27, MARS-AVRIL 1966, Introduction. -Une transition martensitique de la structure cubique à la structure tétragonale a été observée à basse température dans les composés intermétalliques supraconducteurs du type V3X (X == Si, Ga, Ge, Sn, etc...) ou lVb3Sn [1], [2], [3]. Ce changement de structure se produit à une température Tam généralement supérieure à la température Te d’apparition de la supraconductivité (1). Nous nous proposons de montrer ici que ce changement de structure peut s’expliquer par une instabilité électronique de la phase cubique. De plus nous montrons dans quelles conditions une telle instabilité favorise, pour les composés envisagés, le changement de structure observé plutôt que d’autres changements de structure que l’on pourrait imaginer. L’instabilité invoquée pour les électrons de la bande d de ces composés est du type Jahn Teller. On sait que l’effet Jahn Teller est une distorsion cristalline qui lève la dégénérescence d’un état électronique localisé partiellement occupé. Le cas simple des composés étudiés permet d’analyser deux effets différents de type Jahn Teller qui peuvent se présenter pour les états électroniques étendus d’une bande partiellement occupée : distorsions uniformes qui changent la symétrie du réseau ; distorsions périodiques, dont la longueur d’onde est en général liée à celle des électrons de Fermi. Nous montrons que, dans tous les cas, l’énergie gagnée par la levée de la dégénérescence croît seulement comme le carré de la distorsion pour les petites valeurs de celle-ci, contrairement aux effets linéaires observées pour les états électroniques localisés. Ces effets sont en fait très analogues à ceux du potentiel d’échange sur les électrons dans les métaux magnétiques : on y retrouve la distinction entre les couplages uniformes ferromagnétiques et les couplages périodiques antiferromagnétiques ou en hélices ; les changements d’énergie sont également du second ordre dans le moment magnétique. Dans le cas des composés considérés, la bande d a une forme très simple dans l’approximation des liaisons fortes, qui permet une comparaison quantitative de la stabilité des modes de distorsion uniformes et périodiques. Mais les conclusions essentielles ne dépendent guère des détails du modèle employé, et seraient conservées dans un modèle de bandes étroites plus raffiné. Dans le présent article nous nous limitons à l’étude des modes de distorsion uniformes à température nulle. Dans un deuxième article nous verrons quelle est l’influence de la température sur ces modes. Dans un troisième artic

在V3Si中，钒原子形成一个密度线性链阵列;身体发出了近似in one can be used for the electrons d维度。= =地理= =根据美国人口普查，这个县的面积为。This枯竭的类型a band of Jahn-Teller effect), which the cubic本钱解释一下to tetragonal过渡which has been at low过高温。《物理学报》第27卷，1966年3月至4月，导论。- V3X型超导金属间化合物(X == Si, Ga, Ge, Sn等)或lVb3Sn[1]，[2]，[3]在低温下观察到立方体结构向四角结构的马氏体转变。这种结构变化发生在Tam温度下，通常高于超导性出现的温度Te(1)。我们建议在这里证明这种结构变化可以用立方相的电子不稳定性来解释。此外，我们还展示了在何种条件下，这种不稳定性有利于观察到的结构变化，而不是其他可以想象的结构变化。这些化合物中d波段电子的不稳定性是Jahn Teller型的。众所周知，Jahn Teller效应是一种晶体畸变，它提高了局部部分占据电子态的退化。所研究化合物的简单情况允许分析两种不同的Jahn Teller效应，这两种效应可能出现在部分占用带的扩展电子态:改变晶格对称性的均匀畸变;周期性畸变，其波长通常与费米电子的波长有关。我们证明，在所有情况下，退化的消除所获得的能量只随着失真的小值的平方而增加，而不是观察到的局部电子态的线性效应。这些效应实际上与磁性金属中电子交换势的效应非常相似:我们发现了均匀铁磁耦合和周期性反铁磁或螺旋耦合之间的区别。能量的变化在磁矩上也是二阶的。在考虑的化合物的情况下，d带在强键近似中有一个非常简单的形式，这允许定量比较均匀和周期性变形模式的稳定性。但基本结论几乎不依赖于所使用的模型的细节，并将保留在一个更精细的窄带模型中。在本文中，我们将自己限制在零温度下的均匀变形模态的研究。在第二篇文章中，我们将看到温度对这些模式的影响。在第三篇文章中，我们将讨论周期性失真模式。然后，我们可以确定在d波段填充的条件下，观察到的四边形失真是最稳定的。一、零温度下均匀失真模式。I.’1。三次相d带结构在强键近似。在常温下，所考虑化合物的晶体结构为钨~。X原子为中心,形成了一个立方网络分布在成排的过渡和原子的原子密度大的独立后的三个角立方体[100],[010]和[001](图1)。我们将使用一个带有模型(1)注意到,但是我们似乎发现了超导的立方体相中多亏转型滞后,马氏体。文章由EDP Sciences在线发表，网址为http://dx.doi.org/10.1051/jphys:01966002703-4015300

{"title":"Instabilité électronique et changement de phase cristalline des composés du type V3Si à basse température","authors":"J. Labbé, J. Friedel","doi":"10.1051/JPHYS:01966002703-4015300","DOIUrl":"https://doi.org/10.1051/JPHYS:01966002703-4015300","url":null,"abstract":"2014 In V3Si the vanadium atoms form an array of dense linear chains ; a tight binding approximation in one dimension can be used for the d electrons. It is found that the electronic energy calculated by this method is reduced when the lattice is deformed. This leads to a band type of Jahn-Teller effect, which could explain the cubic to tetragonal transition which has been observed at low temperatures. LE JOURNAL DE PHYSIQUE TOME 27, MARS-AVRIL 1966, Introduction. -Une transition martensitique de la structure cubique à la structure tétragonale a été observée à basse température dans les composés intermétalliques supraconducteurs du type V3X (X == Si, Ga, Ge, Sn, etc...) ou lVb3Sn [1], [2], [3]. Ce changement de structure se produit à une température Tam généralement supérieure à la température Te d’apparition de la supraconductivité (1). Nous nous proposons de montrer ici que ce changement de structure peut s’expliquer par une instabilité électronique de la phase cubique. De plus nous montrons dans quelles conditions une telle instabilité favorise, pour les composés envisagés, le changement de structure observé plutôt que d’autres changements de structure que l’on pourrait imaginer. L’instabilité invoquée pour les électrons de la bande d de ces composés est du type Jahn Teller. On sait que l’effet Jahn Teller est une distorsion cristalline qui lève la dégénérescence d’un état électronique localisé partiellement occupé. Le cas simple des composés étudiés permet d’analyser deux effets différents de type Jahn Teller qui peuvent se présenter pour les états électroniques étendus d’une bande partiellement occupée : distorsions uniformes qui changent la symétrie du réseau ; distorsions périodiques, dont la longueur d’onde est en général liée à celle des électrons de Fermi. Nous montrons que, dans tous les cas, l’énergie gagnée par la levée de la dégénérescence croît seulement comme le carré de la distorsion pour les petites valeurs de celle-ci, contrairement aux effets linéaires observées pour les états électroniques localisés. Ces effets sont en fait très analogues à ceux du potentiel d’échange sur les électrons dans les métaux magnétiques : on y retrouve la distinction entre les couplages uniformes ferromagnétiques et les couplages périodiques antiferromagnétiques ou en hélices ; les changements d’énergie sont également du second ordre dans le moment magnétique. Dans le cas des composés considérés, la bande d a une forme très simple dans l’approximation des liaisons fortes, qui permet une comparaison quantitative de la stabilité des modes de distorsion uniformes et périodiques. Mais les conclusions essentielles ne dépendent guère des détails du modèle employé, et seraient conservées dans un modèle de bandes étroites plus raffiné. Dans le présent article nous nous limitons à l’étude des modes de distorsion uniformes à température nulle. Dans un deuxième article nous verrons quelle est l’influence de la température sur ces modes. Dans un troisième artic","PeriodicalId":54899,"journal":{"name":"Journal de Physique et le Radium","volume":"01 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1966-03-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"86074815","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 316

La conductivité électrique des couches microcristallines des métaux à conduction mixte (beryllium et plomb) 混合导电金属(铍和铅)微晶层的电导率

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-03-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002703-4013300

R. Grigorovici, A. Devenyi, T. Botilă, C. Rusu, A. Vancu

Les couches continues de beryllium et de plomb a tres petits grains obtenues par evaporation sous vide presentent un coefficient de temperature de la resistance negatif, ainsi que des valeurs anormales de la constante de Hall et de la magnetoresistance. Ces anomalies sont attribuees aux electrons thermiquement excites qui se trouvent dans les minima de la bande de conduction situes au-dessus du niveau de Fermi.

真空蒸发得到的连续的非常小晶粒的铍和铅层具有负电阻温度系数，霍尔常数和磁电阻异常值。这些异常归因于在费米能级以上的传导带最小值中发现的热激发电子。

引用次数: 1

Role des phnomnes de canalisation dans la pntration des ions dans les cristaux 管道现象在晶体中离子形成中的作用

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-03-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002703-4025301

J. Pfister

引用次数: 0

Photoconductivit des couches minces de Cds 光电导电性研究

Journal de Physique et le Radium

Pub Date : 1966-03-01 DOI: 10.1051/JPHYS:01966002703-4017300

M. Balkanski, Renata Chaves

2014 Description of the method of thin film preparation, of doping, of the experimental results on photoconductivity at différent temperatures and the results of the calculation of the capture cross-section of these impurities. The intrinsic photoconductivity maximum is around 0.49 03BC with Cu, Ag, Co and V dopant. Thin films exhibit wide bands in photoconductivity, the thresholds of which are about 0.60, 0.54, 0.63 and 0.65 03BC irespectively. The activation energes when the impurity is excess cadmium are 0.52, 0.34 and 0.25 eV. Thermal extinction of photoconductivity occurs around 500 °K. Analysis of the decrease of photoconductivity with time at different temperatures allows the determination of capture cross-sections from 10201417 to 1

2014描述了薄膜的制备方法，掺杂，不同温度下的光导实验结果以及这些杂质捕获截面的计算结果。Cu、Ag、Co和V掺杂时，本征光电导率最大值约为0.49 03BC。薄膜具有较宽的光导带，其阈值分别约为0.60、0.54、0.63和0.65 03BC。杂质为过量镉时的活化能分别为0.52、0.34和0.25 eV。光电导率的热消光发生在500°K左右。通过分析不同温度下光导率随时间的下降，可以确定从10201417到1的捕获截面

引用次数: 3

首页上一页

下一页尾页

类型

全部化学•材料生命科学医学物理工程技术环境•农林材料科学地球科学法学管理学化学环境科学与生态学计算机科学教育学经济学农林科学人文科学生物学数学物理与天体物理心理学综合性期刊其他工业工程理学历史学农学文学信息工程

数据库

全部 ACS Publications Elsevier ieeexplore Springer The Royal Society of Chemistry Wiley

期刊

Journal de Physique et le Radium

全部 Acc. Chem. Res. ACS Applied Bio Materials ACS Appl. Electron. Mater. ACS Appl. Energy Mater. ACS Appl. Mater. Interfaces ACS Appl. Nano Mater. ACS Appl. Polym. Mater. ACS BIOMATER-SCI ENG ACS Catal. ACS Cent. Sci. ACS Chem. Biol. ACS Chemical Health & Safety ACS Chem. Neurosci. ACS Comb. Sci. ACS Earth Space Chem. ACS Energy Lett. ACS Infect. Dis. ACS Macro Lett. ACS Mater. Lett. ACS Med. Chem. Lett. ACS Nano ACS Omega ACS Photonics ACS Sens. ACS Sustainable Chem. Eng. ACS Synth. Biol. Anal. Chem. BIOCHEMISTRY-US Bioconjugate Chem. BIOMACROMOLECULES Chem. Res. Toxicol. Chem. Rev. Chem. Mater. CRYST GROWTH DES ENERG FUEL Environ. Sci. Technol. Environ. Sci. Technol. Lett. Eur. J. Inorg. Chem. IND ENG CHEM RES Inorg. Chem. J. Agric. Food. Chem. J. Chem. Eng. Data J. Chem. Educ. J. Chem. Inf. Model. J. Chem. Theory Comput. J. Med. Chem. J. Nat. Prod. J PROTEOME RES J. Am. Chem. Soc. LANGMUIR MACROMOLECULES Mol. Pharmaceutics Nano Lett. Org. Lett. ORG PROCESS RES DEV ORGANOMETALLICS J. Org. Chem. J. Phys. Chem. J. Phys. Chem. A J. Phys. Chem. B J. Phys. Chem. C J. Phys. Chem. Lett. Analyst Anal. Methods Biomater. Sci. Catal. Sci. Technol. Chem. Commun. Chem. Soc. Rev. CHEM EDUC RES PRACT CRYSTENGCOMM Dalton Trans. Energy Environ. Sci. ENVIRON SCI-NANO ENVIRON SCI-PROC IMP ENVIRON SCI-WAT RES Faraday Discuss. Food Funct. Green Chem. Inorg. Chem. Front. Integr. Biol. J. Anal. At. Spectrom. J. Mater. Chem. A J. Mater. Chem. B J. Mater. Chem. C Lab Chip Mater. Chem. Front. Mater. Horiz. MEDCHEMCOMM Metallomics Mol. Biosyst. Mol. Syst. Des. Eng. Nanoscale Nanoscale Horiz. Nat. Prod. Rep. New J. Chem. Org. Biomol. Chem. Org. Chem. Front. PHOTOCH PHOTOBIO SCI PCCP Polym. Chem.

﹀