May 16最新文献

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Improved Layer Homogeneity by an Optimized System Configuration in MBE 通过优化MBE系统配置改善层均匀性

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070155

B. Wolf, A. Zehe

引用次数: 1

Lattice Expansion and Phonon Softening in Nb/Cu Superlattices Nb/Cu超晶格中的晶格膨胀和声子软化

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070114

A. Hu, Shu-Yi Zhang, Xiang-Yang Yuan, Q. Shen, Zhong-nan Lu, D. Feng

Nb/Cu superlattices with modulation wavelength in the range 1 to 30 nm are synthesized by magnetron sputtering. Both, X-ray diffraction and ion mill Auger electron spectroscopy techniques are used to determine the structure of the superlattices. The X-ray experiments reveal two anomalous expansions in the average lattice spacing at modulation wavelengths λ = 2 and 8 nm. Ultrasonic measurements of the surface-acoustic-wave (SAW) velocities in the superlattices show that surface phonons soften at the same two modulation wavelengths. A preliminary explanation of the experimental results is presented. Nb/Cu-Supergitter mit Modulationswellenfangen im Bereich 1 bis 30 nm werden mittels Magnetronsputtering synthetisiert. Sowohl Rontgenbeugung als auch Ionenzerstaubungs-Augerelektronenspektroskopie werden benutzt, um die Struktur der Supergitter zu bestimmen. Die Rontgenexperimente zeigen zwei anomale Expansionen im mittleren Gitterabstand bei Modulationswellenlangen λ = 2 und 8 nm. Die Ultraschallmessungen der Geschwindigkeiten der akustischen Oberflachenwellen (SAW) in den Supergittern zeigen, das Oberflachenphononen bei denselben beiden Modulationswellenlangen erweichen. Eine vorlaufige Erklarung der experimentellen Ergebnisse wird angegeben.

采用磁控溅射法制备了调制波长为1 ~ 30nm的Nb/Cu超晶格。x射线衍射和离子磨俄歇电子能谱技术都被用来确定超晶格的结构。x射线实验表明，在λ = 2和8 nm调制波长处，平均晶格间距出现了两个异常扩展。超晶格中表面声波速度的超声测量表明，表面声子在相同的两个调制波长下软化。对实验结果作了初步解释。铌/铜超闪调制膨胀效应的研究[j]。Sowohl rongenbeugung - augerelektronenspektroskopie werden benutzt, um die structuer der Supergitter - beestimmen。在λ = 2 nm和8 nm的条件下，对膨胀峰进行了调变。Die ultraschallmesungen der Geschwindigkeiten der akustischen oberflachenenwellen (SAW) in den supergitteren zeigen, das Oberflachenphononen bei denselbenen Modulationswellenlangen werichen。在实验中，Erklarung的用法和样例:

{"title":"Lattice Expansion and Phonon Softening in Nb/Cu Superlattices","authors":"A. Hu, Shu-Yi Zhang, Xiang-Yang Yuan, Q. Shen, Zhong-nan Lu, D. Feng","doi":"10.1002/PSSA.2211070114","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211070114","url":null,"abstract":"Nb/Cu superlattices with modulation wavelength in the range 1 to 30 nm are synthesized by magnetron sputtering. Both, X-ray diffraction and ion mill Auger electron spectroscopy techniques are used to determine the structure of the superlattices. The X-ray experiments reveal two anomalous expansions in the average lattice spacing at modulation wavelengths λ = 2 and 8 nm. Ultrasonic measurements of the surface-acoustic-wave (SAW) velocities in the superlattices show that surface phonons soften at the same two modulation wavelengths. A preliminary explanation of the experimental results is presented. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Nb/Cu-Supergitter mit Modulationswellenfangen im Bereich 1 bis 30 nm werden mittels Magnetronsputtering synthetisiert. Sowohl Rontgenbeugung als auch Ionenzerstaubungs-Augerelektronenspektroskopie werden benutzt, um die Struktur der Supergitter zu bestimmen. Die Rontgenexperimente zeigen zwei anomale Expansionen im mittleren Gitterabstand bei Modulationswellenlangen λ = 2 und 8 nm. Die Ultraschallmessungen der Geschwindigkeiten der akustischen Oberflachenwellen (SAW) in den Supergittern zeigen, das Oberflachenphononen bei denselben beiden Modulationswellenlangen erweichen. Eine vorlaufige Erklarung der experimentellen Ergebnisse wird angegeben.","PeriodicalId":148242,"journal":{"name":"May 16","volume":"241 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1988-05-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131834964","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 8

Post-Deposition Resistance Increase in Island Aluminium Films 岛铝膜沉积后电阻的增加

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070123

M. Sastry

Post-deposition resistance increase in island Al films on glass substrates held at room temperature at a pressure of 3 × 10−3 Pa is quantified with the definition of an agglomeration rate. Repeated ageing followed by deposition is employed until the resistance drift becomes negligible. Mobility coalescence of the Al islands is shown to be responsible for the ageing. A steady fall in the agglomeration rate through successive depositions further strengthens the applicability of the above model. The presence of water vapour on the substrate surface is found to alter the functional dependence of the film resistance on time. Annealing of the stable films reveals an interesting six orders fall in resistance. The average island size is determined for some of the films from activation energy data. Mit der Definition einer Agglomerationsrate wird der Anstieg des Widerstands in Al-Inselschichten nach Abscheidung auf Glassubstraten quantifiziert, die bei Zimmertemperatur und einem Druck von 3 × 10−3 Pa gehalten werden. Wiederholte Alterung, der Abscheidung folgt, wird benutzt, bis die Widerstandsdrift vernachlassigbar wird. Es wird gezeigt, das eine Beweglichkeitskoaleszenz der Al-Inseln fur die Alterung verantwortlich ist. Ein stationarer Abfall der Agglomerationsrate wahrend der aufeinanderfolgenden Abscheidungen erhartet weiterhin die Anwendbarkeit des obigen Modells. Es wird gefunden, das die Anwesenheit von Wasserdampf auf der Substratoberflache die funktionale Abhangigkeit des Schichtwiderstands von der Zeit andert. Temperung der stabilen Schichten ergibt einen interessanten Abfall des Widerstands von sechs Grosenordordnungen. Die mittlere Inselabmessung wird fur einige der Schichten aus Werten der Aktivierungsenerigie bestimmt.

在3 × 10−3 Pa的室温压力下，用团聚率的定义量化了玻璃基板上岛Al膜沉积后电阻的增加。重复老化，然后沉积，直到电阻漂移变得可以忽略不计。阿尔岛的流动性聚合是导致老年化的主要原因。连续沉积过程中团聚率的稳定下降进一步增强了上述模型的适用性。发现基材表面水蒸气的存在改变了膜电阻对时间的功能依赖性。稳定膜的退火显示出一个有趣的六阶电阻下降。一些膜的平均岛大小由活化能数据确定。在Al-Inselschichten nach Abscheidung auf glass substrate quantifiziert, die bei zimmertemperature and einem Druck von 3 × 10−3 Pa gehalten werden中定义:Agglomerationsrate wind and der Anstieg des widerides in Al-Inselschichten nach Abscheidung auf glass substrate。德语:德语:德语:德语:德语:德语:德语:德语:德语:德语:德语:德语他的风的大小，如eine Beweglichkeitskoaleszenz der Al-Inseln为die Alterung verantwortrich list。在稳态条件下，Abfall der Agglomerationsrate、Abfall der derfolgenen、Abscheidungen、abschidungen、abschidongen、abschidongen、abschidonder、abschidonder、abschidonder、abschidonder、abschidonder、abschidonder、abschidonder、abschidonder等。他说:“我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是，我想说的是。”回火稳定性的研究进展与发展趋势。[2] [1] [1] [2] [1] [2] [3] [3]

{"title":"Post-Deposition Resistance Increase in Island Aluminium Films","authors":"M. Sastry","doi":"10.1002/PSSA.2211070123","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211070123","url":null,"abstract":"Post-deposition resistance increase in island Al films on glass substrates held at room temperature at a pressure of 3 × 10−3 Pa is quantified with the definition of an agglomeration rate. Repeated ageing followed by deposition is employed until the resistance drift becomes negligible. Mobility coalescence of the Al islands is shown to be responsible for the ageing. A steady fall in the agglomeration rate through successive depositions further strengthens the applicability of the above model. The presence of water vapour on the substrate surface is found to alter the functional dependence of the film resistance on time. Annealing of the stable films reveals an interesting six orders fall in resistance. The average island size is determined for some of the films from activation energy data. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Mit der Definition einer Agglomerationsrate wird der Anstieg des Widerstands in Al-Inselschichten nach Abscheidung auf Glassubstraten quantifiziert, die bei Zimmertemperatur und einem Druck von 3 × 10−3 Pa gehalten werden. Wiederholte Alterung, der Abscheidung folgt, wird benutzt, bis die Widerstandsdrift vernachlassigbar wird. Es wird gezeigt, das eine Beweglichkeitskoaleszenz der Al-Inseln fur die Alterung verantwortlich ist. Ein stationarer Abfall der Agglomerationsrate wahrend der aufeinanderfolgenden Abscheidungen erhartet weiterhin die Anwendbarkeit des obigen Modells. Es wird gefunden, das die Anwesenheit von Wasserdampf auf der Substratoberflache die funktionale Abhangigkeit des Schichtwiderstands von der Zeit andert. Temperung der stabilen Schichten ergibt einen interessanten Abfall des Widerstands von sechs Grosenordordnungen. Die mittlere Inselabmessung wird fur einige der Schichten aus Werten der Aktivierungsenerigie bestimmt.","PeriodicalId":148242,"journal":{"name":"May 16","volume":"11 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1988-05-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133462385","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 1

Point Defects in GaAs Studied by Correlated Positron Lifetime, Optical, and Electrical Measurements. II. Point Defects in GaAs Irradiated with Fast Neutrons 用相关正电子寿命、光学和电学测量研究砷化镓中的点缺陷。2快中子辐照砷化镓中的点缺陷

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070110

G. Dlubek, A. Dlubek, R. Krause, O. Brümmer

Positron lifetime technique is used in combination with infrared absorption, photoluminescence, and photoreflexion measurements to investigate defects created by irradiation of GaAs with fast neutrons. The integrated fluence Φ of fast neutrons ranged from 5 × 1014 to 3.8 × 1019 n°/cm2. From the dependence of the absorption coefficient α on Φ the geometrical size of the displacement cascades is estimated to r = 5 nm. The behaviour of the carrier concentration n estimated from photoreflexion experiments provides r = 20 nm. This value is characteristic of the insulating region surrounding the cascade. Almost the same value is found to be typical of the luminescence killer region and of positron trapping. Evidence of positron trapping by vacancy-type irradiation defects is given. The defects are discussed as negatively charged Ga vacancies the characteristic positron lifetime of which is estimated to τvGa = 260 to 270 ps. The vacancies disappear in an annealing stage at 500 °C. The stage is interpreted as a long-range migration of point defects resulting in a dissolution of the displacement cascades. A substage at 200 °C observed in photoluminescence experiments is discussed as recombination of vacancy-interstitial close pairs in the As sublattice which are situated outside of displacement cascades. Die Positronenlebensdauertechnik wird in Kombination mit Infrarotabsorption-, Photolumineszenz- und Photoreflexionsmessungen benutzt, um Defekte, welche durch Bestrahlung von GaAs mit schnellen Neutronen erzeugt werden, zu untersuchen. Der integrale Flus schneller Neutronen Φ liegt im Bereich von 5 × 1014 bis 3,8 × 1019 n°/cm2. Aus der Abhangigkeit des Absorptionskoeffizienten α von Φ wird die geometrische Grose der Verlagerungskaskaden zu r = 5 nm bestimmt. Der Verlauf der Ladungstragerkonzentration n, der aus Photoreflexionsexperimenten ermittelt wird, liefert r = 20 nm. Diese Grose ist charakteristisch fur das isolierende Gebiet, das die Kaskade umgibt. Nahezu die gleiche Grose wird fur das Lumineszenzloschungsgebiet und fur den Positroneneinfang gefunden. Der Positroneneinfang durch leerstellenartige Bestrahlungsdefekte wird beweiskraftig nachgewiesen. Die Defekte werden als negativ geladene Ga-Leerstellen diskutiert, deren charakteristische Positronenlebensdauer zu τVGa = 260 bis 270 ps ermittelt wird. Die Leerstellen verschwinden in einer Ausheilstufe bei 500 °C. Diese Stufe wird als langreichweitige Wanderung von Punktdefekten interpretiert, welche zu einer Auflosung der Verlagerungskaskaden fuhrt. Eine Unterstufe bei 200 °C, welche in Photolumineszenzexperimenten auftritt, wird als Rekombination naher Leerstellen-Zwischengitteratom-Paare im As-Untergitter diskutiert. Die Frenkel-Paare befinden sich auserhalb der Verlagerungskaskaden.

正电子寿命技术与红外吸收、光致发光和光反射测量相结合，用于研究快中子辐照砷化镓产生的缺陷。快中子的综合通量Φ范围为5 × 1014 ~ 3.8 × 1019 n°/cm2。根据吸收系数α与Φ的关系，估计位移级联的几何尺寸为r = 5 nm。从光反射实验中估计的载流子浓度n的行为提供r = 20 nm。该值是级联周围绝缘区域的特征值。在发光杀伤区和正电子捕获区也发现了几乎相同的值。给出了空位型辐照缺陷捕获正电子的证据。这些缺陷被认为是带负电荷的Ga空位，其正电子寿命估计为τvGa = 260 ~ 270 ps。这些空位在500℃退火阶段消失。该阶段被解释为导致位移级联溶解的点缺陷的远程迁移。讨论了在200°C光致发光实验中观察到的亚阶段是位于位移级联外的as亚晶格中空位-间隙闭合对的重组。光吸收、光致发光和光反射相结合的正电子光致发光技术的研究进展，以及应用于光吸收、光致发光和光反射相结合的研究进展。可积通量schneller Neutronen Φ在berichv5 × 1014bis 3,8 × 1019n°/cm2。as der Abhangigkeit des Absorptionskoeffizienten α von Φ wind die geometrische Grose der Verlagerungskaskaden zu r = 5 nm的最佳估计。Der Verlauf Der ladungstragerkonconcentration n, Der aus光反射实验允许光线，光线r = 20 nm。病鹅的主要特征是:病鹅的生长发育不成熟，病鹅的生长发育不成熟。naheu die gleiche Grose风为发光、发光、发光、发光、发光和发光。德国正电子工业公司(Der positronenen)领导的智能工业公司(bestrahluns)在制造智能工业公司(nachgewiesen)之间发挥了巨大的作用。Die defkte werden也有负极geladene Ga-Leerstellen diskutiert, deren characteristische Positronenlebensdauer τVGa = 260和270 ps的许可导线。Die Leerstellen verschwinden in einer Ausheilstufe bei 500°C。这句话的意思是:“我的意思是我的意思是我的意思是我的意思是我的意思是我的意思是我的意思。”在200°C的温度下，在光致发光实验条件下，用Leerstellen-Zwischengitteratom-Paare进行重组。德国联邦政府在德国联邦政府的支持下，对Verlagerungskaskaden进行了调查。

{"title":"Point Defects in GaAs Studied by Correlated Positron Lifetime, Optical, and Electrical Measurements. II. Point Defects in GaAs Irradiated with Fast Neutrons","authors":"G. Dlubek, A. Dlubek, R. Krause, O. Brümmer","doi":"10.1002/PSSA.2211070110","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211070110","url":null,"abstract":"Positron lifetime technique is used in combination with infrared absorption, photoluminescence, and photoreflexion measurements to investigate defects created by irradiation of GaAs with fast neutrons. The integrated fluence Φ of fast neutrons ranged from 5 × 1014 to 3.8 × 1019 n°/cm2. From the dependence of the absorption coefficient α on Φ the geometrical size of the displacement cascades is estimated to r = 5 nm. The behaviour of the carrier concentration n estimated from photoreflexion experiments provides r = 20 nm. This value is characteristic of the insulating region surrounding the cascade. Almost the same value is found to be typical of the luminescence killer region and of positron trapping. Evidence of positron trapping by vacancy-type irradiation defects is given. The defects are discussed as negatively charged Ga vacancies the characteristic positron lifetime of which is estimated to τvGa = 260 to 270 ps. The vacancies disappear in an annealing stage at 500 °C. The stage is interpreted as a long-range migration of point defects resulting in a dissolution of the displacement cascades. A substage at 200 °C observed in photoluminescence experiments is discussed as recombination of vacancy-interstitial close pairs in the As sublattice which are situated outside of displacement cascades. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Die Positronenlebensdauertechnik wird in Kombination mit Infrarotabsorption-, Photolumineszenz- und Photoreflexionsmessungen benutzt, um Defekte, welche durch Bestrahlung von GaAs mit schnellen Neutronen erzeugt werden, zu untersuchen. Der integrale Flus schneller Neutronen Φ liegt im Bereich von 5 × 1014 bis 3,8 × 1019 n°/cm2. Aus der Abhangigkeit des Absorptionskoeffizienten α von Φ wird die geometrische Grose der Verlagerungskaskaden zu r = 5 nm bestimmt. Der Verlauf der Ladungstragerkonzentration n, der aus Photoreflexionsexperimenten ermittelt wird, liefert r = 20 nm. Diese Grose ist charakteristisch fur das isolierende Gebiet, das die Kaskade umgibt. Nahezu die gleiche Grose wird fur das Lumineszenzloschungsgebiet und fur den Positroneneinfang gefunden. Der Positroneneinfang durch leerstellenartige Bestrahlungsdefekte wird beweiskraftig nachgewiesen. Die Defekte werden als negativ geladene Ga-Leerstellen diskutiert, deren charakteristische Positronenlebensdauer zu τVGa = 260 bis 270 ps ermittelt wird. Die Leerstellen verschwinden in einer Ausheilstufe bei 500 °C. Diese Stufe wird als langreichweitige Wanderung von Punktdefekten interpretiert, welche zu einer Auflosung der Verlagerungskaskaden fuhrt. Eine Unterstufe bei 200 °C, welche in Photolumineszenzexperimenten auftritt, wird als Rekombination naher Leerstellen-Zwischengitteratom-Paare im As-Untergitter diskutiert. Die Frenkel-Paare befinden sich auserhalb der Verlagerungskaskaden.","PeriodicalId":148242,"journal":{"name":"May 16","volume":"24 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1988-05-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127456942","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 10

Enhanced Adhesion in Metal/Oxide Pairs by Ion Irradiation 离子辐照增强金属/氧化物对的附着力

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070153

G. Cheng, Heng-de Li, B. Liu

引用次数: 1

Temperature Dependence of Young's Modulus of a-Zirconium Polycrystals a-锆多晶杨氏模量的温度依赖性

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070149

P. A. Maksimiyuk, V. A. Gley, M. Hamerský, P. Lukáč, Z. Trojanová

引用次数: 4

Photostimulated Enhancement of Dislocation Glide in Gallium Arsenide Crystals 砷化镓晶体中位错滑动的光刺激增强

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070112

B. E. Mdivanyan, M. Shikhsaidov

The effect of illumination on the plastic properties of gallium arsenide crystals is studied experimentally. The illumination is found to reduce the plastic flow stress. The phenomenon is referred to as the negative photoplastic effect. The NPPE and the mean velocity of dislocations are investigated as functions of temperature, stress, and strain as well as intensity and wavelength of exciting light. Based on the analysis of experimental results a physical model is proposed for explaining the effect of photostimulated enhancement of dislocation glide. Der Belichtungseinflus auf die plastischen Eigenschaften von Galliumarsenidkristallen wird experimentell untersucht. Es wird gefunden, das die Belichtung die plastische Fliesgrenze reduziert. Das Phanomen wird als negativer photoplastischer Effekt bezeichnet. Der NPPE und die mittlere Versetzungsgeschwindigkeit werden als Funktionen sowohl der Temperatur, Spannung und Deformation als auch der Intensitat und Wellenlange des anregenden Lichtes untersucht. Auf der Grundlage einer Analyse der experimentellen Ergebnisse wird ein physikalisches Modell zur Erklarung des Effekts der photostimulierten Erhohung der Versetzungsgleitung vorgeschlagen.

《臀部动脉硬化的效果》包括促成他放松静音压力葡萄糖是负光体效应。在心理压力与激情的调查中，并以减轻光的强度为旁遮目。根据实验分析结果，一个物理模型生来就可以解释当这些冰柱晶状体的影像改变时他们发现曝光能降低易容度幽怪被称为负光波效应单独研究了nbe和平均变形速度，既包括温度、张力、变位以及新光的强度和波长。利用对试验结果的分析，提出了一个物理模型，以证明照片刺激调动的效果。

{"title":"Photostimulated Enhancement of Dislocation Glide in Gallium Arsenide Crystals","authors":"B. E. Mdivanyan, M. Shikhsaidov","doi":"10.1002/PSSA.2211070112","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211070112","url":null,"abstract":"The effect of illumination on the plastic properties of gallium arsenide crystals is studied experimentally. The illumination is found to reduce the plastic flow stress. The phenomenon is referred to as the negative photoplastic effect. The NPPE and the mean velocity of dislocations are investigated as functions of temperature, stress, and strain as well as intensity and wavelength of exciting light. Based on the analysis of experimental results a physical model is proposed for explaining the effect of photostimulated enhancement of dislocation glide. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Der Belichtungseinflus auf die plastischen Eigenschaften von Galliumarsenidkristallen wird experimentell untersucht. Es wird gefunden, das die Belichtung die plastische Fliesgrenze reduziert. Das Phanomen wird als negativer photoplastischer Effekt bezeichnet. Der NPPE und die mittlere Versetzungsgeschwindigkeit werden als Funktionen sowohl der Temperatur, Spannung und Deformation als auch der Intensitat und Wellenlange des anregenden Lichtes untersucht. Auf der Grundlage einer Analyse der experimentellen Ergebnisse wird ein physikalisches Modell zur Erklarung des Effekts der photostimulierten Erhohung der Versetzungsgleitung vorgeschlagen.","PeriodicalId":148242,"journal":{"name":"May 16","volume":"5 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1988-05-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130493857","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

引用次数: 21

On the Photogenerated Current in Polycrystalline Silicon MIS Solar Cells 多晶硅MIS太阳能电池的光生电流研究

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070165

V. Goyal, R. Pal, K. Sen

On presente une theorie simple considerant la collection de porteurs photogeneres par collection assistee par champ dans la region de charge d'espace et par diffusion des porteurs. Test de la theorie en montrant la variation du courant de court-circuit avec la dimension des grains

提出了一个简单的理论，通过空间电荷区域的场辅助收集和载体扩散来考虑光生成载体的收集。通过显示短路电流随晶粒尺寸的变化来检验理论

引用次数: 0

On the Band Gap Dependence of Refractive Indices of Some Quaternary III-V and II-VI Compounds of Device Interest 一些器件感兴趣的季系III-V和II-VI化合物折射率的带隙依赖性

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070164

D. K. Ghosh, U. Chatterjee, L. K. Samanta

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Degradation of Submicron MOSFETs after Aging 老化后亚微米mosfet的降解

May 16

Pub Date : 1988-05-16 DOI: 10.1002/PSSA.2211070143

B. Cabon, G. Ghibaudo

The degradation is investigated of submicron MOS transistors after electrical stress. New methods for the aging investigation based on field effect mobility measurements are presented. The correlations between the different degradation parameters are studied and analysed by a one-dimensional modelling that takes into account the potential fluctuations induced by the surface state and charge generation. Moreover, the degradations are found to increase with the bias parameter K = Ug/Ud applied during stress. In addition, the partial reversibility of degradations shows that electron trapping appears as the main cause of aging. Ce papier s'interesse a la degradation des transistors MOS apres contrainte electrique. De nouvelles methodes d'investigation du vieillissement basees sur des mesures de mobilite d'effet de champ sont presentees. Les correlations entre les differents parametres de degradation sont etudiees et analysees par un modele uni-dimensionnel qui prend en compte les fluctuations de potentiel induites par la creation d'etats et de charges de surface. De plus, on trouve que les degradations augmentent comme le parametre de contrainte K = Ug/Ud. Enfin, la reversibilite partielle des degradations montre que le piegeage d'electrons apparait comme la cause principale des vicillissements observes.

研究了亚微米MOS晶体管在电应力作用下的劣化。提出了基于场效应迁移率测量的老化研究新方法。通过考虑表面状态和电荷产生引起的潜在波动的一维模型，研究和分析了不同降解参数之间的相关性。此外，在应力作用下，随着偏置参数K = Ug/Ud的增加，降解现象也会增加。此外，降解的部分可逆性表明，电子俘获是老化的主要原因。本文研究了含电MOS晶体管的退化问题。新方法的研究基于确定的措施的移动和效果的研究。不同参数间的低相关性使研究人员和分析人员在模型上的单维通道上进行了研究，并完成了电势的波动、诱导和表面电荷的产生。De +，在此基础上增加了对K = Ug/Ud的抑制参数。最后，可逆粒子的降解过程可以用电子器件来描述。

{"title":"Degradation of Submicron MOSFETs after Aging","authors":"B. Cabon, G. Ghibaudo","doi":"10.1002/PSSA.2211070143","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211070143","url":null,"abstract":"The degradation is investigated of submicron MOS transistors after electrical stress. New methods for the aging investigation based on field effect mobility measurements are presented. The correlations between the different degradation parameters are studied and analysed by a one-dimensional modelling that takes into account the potential fluctuations induced by the surface state and charge generation. Moreover, the degradations are found to increase with the bias parameter K = Ug/Ud applied during stress. In addition, the partial reversibility of degradations shows that electron trapping appears as the main cause of aging. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Ce papier s'interesse a la degradation des transistors MOS apres contrainte electrique. De nouvelles methodes d'investigation du vieillissement basees sur des mesures de mobilite d'effet de champ sont presentees. Les correlations entre les differents parametres de degradation sont etudiees et analysees par un modele uni-dimensionnel qui prend en compte les fluctuations de potentiel induites par la creation d'etats et de charges de surface. De plus, on trouve que les degradations augmentent comme le parametre de contrainte K = Ug/Ud. Enfin, la reversibilite partielle des degradations montre que le piegeage d'electrons apparait comme la cause principale des vicillissements observes.","PeriodicalId":148242,"journal":{"name":"May 16","volume":"55 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1988-05-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"129690015","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

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May 16

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