Pub Date : 1962-12-31DOI: 10.1515/9783112501467-003
М. Д. Котова, Ю. В. Плесков
{"title":"Новерхнсностная нроводимоеть и распределит","authors":"М. Д. Котова, Ю. В. Плесков","doi":"10.1515/9783112501467-003","DOIUrl":"https://doi.org/10.1515/9783112501467-003","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":74075,"journal":{"name":"Life sciences (1962)","volume":"9 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1962-12-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"82444913","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 1962-12-31DOI: 10.1002/PSSB.19620021021
H. Knöll, E. Macherauch
{"title":"Die Temperaturabhängigkeit der Kenngrößen des Anfangsteiles der Vielkristallverfestigungskurven von Aluminium und Kupfer","authors":"H. Knöll, E. Macherauch","doi":"10.1002/PSSB.19620021021","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSB.19620021021","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":74075,"journal":{"name":"Life sciences (1962)","volume":"34 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1962-12-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"82511126","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 1962-12-31DOI: 10.1515/9783112474969-001
S. Stritzke
{"title":"Untersuchungen über die befruchtungsbiologischen Verhältnisse bei Haselnuß-Sorten unter besonderer Berücksichtigung ökologischer Verhältnisse","authors":"S. Stritzke","doi":"10.1515/9783112474969-001","DOIUrl":"https://doi.org/10.1515/9783112474969-001","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":74075,"journal":{"name":"Life sciences (1962)","volume":"346 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1962-12-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"75973880","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 1962-12-31DOI: 10.1515/9783112501429-010
A. Zetzsche, O. Hauser
{"title":"Messungen des E-Moduls nach Kaltverformung an bestrahltem und unbestrahltem Kupfer","authors":"A. Zetzsche, O. Hauser","doi":"10.1515/9783112501429-010","DOIUrl":"https://doi.org/10.1515/9783112501429-010","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":74075,"journal":{"name":"Life sciences (1962)","volume":"7 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1962-12-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"82618354","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 1962-12-31DOI: 10.1515/9783112500026-006
C. Albers
{"title":"Über den Einfluß photochemischer Prozesse auf die Lumineszenzeigenschaften von CdS-Einkristallen","authors":"C. Albers","doi":"10.1515/9783112500026-006","DOIUrl":"https://doi.org/10.1515/9783112500026-006","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":74075,"journal":{"name":"Life sciences (1962)","volume":"80 9 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1962-12-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"83153391","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 1962-12-31DOI: 10.1002/PSSB.19620020905
K. Thiessen, H. Hornung
Es wird eine Methode zur Bestimmung einer inhomogenen Verteilung von Rekombinationszentren in Halbleitern vorgeschlagen und am Beispiel des Germaniums experimentell angewendet. Die Methode beruht auf einem Vergleich des Leitfahigkeitsverlaufs mit dem Verlauf der Photoleitung oder des photo-magneto-elektrischen Effektes bei Abtasten des Kristalls mit einer schmalen Lichtsonde. Es wird gezeigt, das die Rekombinationszentren in anderer Weise ungleichmasig im Kristall eingebaut werden als die normalen Dotierungselemente. A method is proposed for the study of inhomogeneous distributions of recombination centres in semiconductors. The method involves a comparison of the spatial distributions of conductivity and photoconductivity or PEM voltage, measured by scanning the crystal with a light probe. For Ge it is shown that the distribution of recombination centres differs from that of other impurity centres.
{"title":"Messung einer inhomogenen Verteilung von Rekombinationszentren im Germanium mit Hilfe der Photoleitung und des Photo-Magneto-Elektrischen Effektes","authors":"K. Thiessen, H. Hornung","doi":"10.1002/PSSB.19620020905","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSB.19620020905","url":null,"abstract":"Es wird eine Methode zur Bestimmung einer inhomogenen Verteilung von Rekombinationszentren in Halbleitern vorgeschlagen und am Beispiel des Germaniums experimentell angewendet. Die Methode beruht auf einem Vergleich des Leitfahigkeitsverlaufs mit dem Verlauf der Photoleitung oder des photo-magneto-elektrischen Effektes bei Abtasten des Kristalls mit einer schmalen Lichtsonde. Es wird gezeigt, das die Rekombinationszentren in anderer Weise ungleichmasig im Kristall eingebaut werden als die normalen Dotierungselemente. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000A method is proposed for the study of inhomogeneous distributions of recombination centres in semiconductors. The method involves a comparison of the spatial distributions of conductivity and photoconductivity or PEM voltage, measured by scanning the crystal with a light probe. For Ge it is shown that the distribution of recombination centres differs from that of other impurity centres.","PeriodicalId":74075,"journal":{"name":"Life sciences (1962)","volume":"77 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1962-12-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"88716046","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 1962-12-31DOI: 10.1002/PSSB.19620020509
H. Hartmann
Kristallmorphologische Untersuchungen an synthetischen ZnS-Einkristallen ergaben, das in Abhangigkeit vom verwendeten Tragergas deutliche Tracht- oder Habitusanderungen auftraten. Die einzelnen Wachstumstemperaturen fur die unterschiedlich ausgebildeten Kristalle wurden fur eine Sublimationstemperatur von 1300 °C beschrieben. Hinsichtlich der Atzgruben und der Wachstumsbildungen war polares Verhalten auf den Basisflachen der Prismen zu erkennen. Die Zuchtungsbedingungen, unter denen das Wachstum strukturreiner Blende- und Wurtzitkristalle beobachtet wurde, werden beschrieben. Eine an ZnS-Prismen im Wachstumsgebiet zwischen 1200° und 1300 °C beobachtete Abhangigkeit des Fehlordnungsgrades von den Wachstumstemperaturen wird angegeben. Weiterhin werden die an den morphologisch unterschiedlich ausgebildeten Kristallen auftretenden Polytypieerscheinungen dargestellt, und es wird mit Hilfe von Rontgenaufnahmen die Moglichkeit der Beeinflussung der eindimensionalen Lagenfehlordnung durch eine entsprechende Nachbehandlung aufgezeigt. Morphological studies are made of ZnS single crystals grown from the vapour phase. Growth habits are found to depend on the nature of the carrier gas. The correlation existing between growth habit and temperature is investigated for a sublimation temperature of 1300° C. An examination of the etch pits and growth forms visible on the bases of prismshaped crystals indicates that these crystals have polar properties. Conditions are described under which solely zinc blende-and wurtzite-type crystals are found to grow. The concentration of intrinsic defects in prism-shaped crystals is found to be dependent on growth temperature between 1200 and 1300° C. Polytypical phenomena are studied for morphologically different crystals. It is shown by X-ray analysis that the number of stacking faults can be changed by subsequent heat treatment.
在人造晶体合成时，研究所进行了结晶形态学研究，发现分离气体(分离液)产生了明显的分裂或差别。各个Wachstumstemperaturen给这些不同训练有素的晶体为Sublimationstemperatur被1300°C .描述有关毛茸茸和看起来的成长动向，我们可以看到文中描述了培养基和黄茎细胞生长的培育条件。一个ZnS-Prismen在Wachstumsgebiet 1200°至1300°C的观察Abhangigkeit Fehlordnungsgrades Wachstumstemperaturen的指定.此外，在形态学中不同的晶体所表现出来的多态显示出来，并利用光粒子重绘出单度位错序的可行性。2个成人形态研究中心营养成长“依赖”航空母舰的自然。The correlation existing between增长habit and temperature is investigated for a sublimation temperature of 1300°c的examination of The etch pits and增长forms visible on The亲亲of prismshaped crystals indicates那种论文crystals有:北极properties .护发素是由索利的锌混合而大豆误解The concentration of intrinsic defects在prism-shaped crystals是可以找到dependent on增长所取代temperature between 1200和1300°c Polytypical phenomena在studied for morphologically different crystals .毫无根据
{"title":"Über das Wachstum und die Polytypieerscheinungen von synthetischen Zinksulfid-Kristallen","authors":"H. Hartmann","doi":"10.1002/PSSB.19620020509","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSB.19620020509","url":null,"abstract":"Kristallmorphologische Untersuchungen an synthetischen ZnS-Einkristallen ergaben, das in Abhangigkeit vom verwendeten Tragergas deutliche Tracht- oder Habitusanderungen auftraten. Die einzelnen Wachstumstemperaturen fur die unterschiedlich ausgebildeten Kristalle wurden fur eine Sublimationstemperatur von 1300 °C beschrieben. Hinsichtlich der Atzgruben und der Wachstumsbildungen war polares Verhalten auf den Basisflachen der Prismen zu erkennen. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Die Zuchtungsbedingungen, unter denen das Wachstum strukturreiner Blende- und Wurtzitkristalle beobachtet wurde, werden beschrieben. Eine an ZnS-Prismen im Wachstumsgebiet zwischen 1200° und 1300 °C beobachtete Abhangigkeit des Fehlordnungsgrades von den Wachstumstemperaturen wird angegeben. Weiterhin werden die an den morphologisch unterschiedlich ausgebildeten Kristallen auftretenden Polytypieerscheinungen dargestellt, und es wird mit Hilfe von Rontgenaufnahmen die Moglichkeit der Beeinflussung der eindimensionalen Lagenfehlordnung durch eine entsprechende Nachbehandlung aufgezeigt. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Morphological studies are made of ZnS single crystals grown from the vapour phase. Growth habits are found to depend on the nature of the carrier gas. The correlation existing between growth habit and temperature is investigated for a sublimation temperature of 1300° C. An examination of the etch pits and growth forms visible on the bases of prismshaped crystals indicates that these crystals have polar properties. Conditions are described under which solely zinc blende-and wurtzite-type crystals are found to grow. The concentration of intrinsic defects in prism-shaped crystals is found to be dependent on growth temperature between 1200 and 1300° C. Polytypical phenomena are studied for morphologically different crystals. It is shown by X-ray analysis that the number of stacking faults can be changed by subsequent heat treatment.","PeriodicalId":74075,"journal":{"name":"Life sciences (1962)","volume":"110 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1962-12-31","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"89324736","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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