{"title":"Photoconductivity of Flash Evaporated CuInSe2 Thin Films","authors":"S. Any, R. Bacewicz, J. Filipcwicz, R. Trykozko","doi":"10.1002/PSSA.2210840165","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840165","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"78496820","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
The resistivity and thermopower of spinel cubic CuFr2O4 before and after annealing at 973 K is measured in the temperature range from 300 up to 650 K. Annealing changes the sign of conduction from p-type to n-type. A hopping activation energy of the order of 0.1 eV is associated with the drift mobility of electrons in n-type conductivity. Der Widerstand und die Thermospannung von kubischen CuFe2O4-Spinellen vor und nach Tem-perung bei 973 K wird im Temperaturbereich von 300 his zu 650 K gemessen. Die Temperung andert das Vorzeichen der Leitfahigkeit von p-nach n-Typ. Eine Hopping-Aktivierungsenergie von der Grosenordnung von 0,1 eV ist vrrknupft mit der Driftbeweglichkeit drr Elrktronen bei n-Photoleitung.
{"title":"The Annealing Effect on the Conduction Mechanism of Copper Ferrite","authors":"A. A. Ghani, S. Mazen, A. Ashour","doi":"10.1002/PSSA.2210840142","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840142","url":null,"abstract":"The resistivity and thermopower of spinel cubic CuFr2O4 before and after annealing at 973 K is measured in the temperature range from 300 up to 650 K. Annealing changes the sign of conduction from p-type to n-type. A hopping activation energy of the order of 0.1 eV is associated with the drift mobility of electrons in n-type conductivity. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Der Widerstand und die Thermospannung von kubischen CuFe2O4-Spinellen vor und nach Tem-perung bei 973 K wird im Temperaturbereich von 300 his zu 650 K gemessen. Die Temperung andert das Vorzeichen der Leitfahigkeit von p-nach n-Typ. Eine Hopping-Aktivierungsenergie von der Grosenordnung von 0,1 eV ist vrrknupft mit der Driftbeweglichkeit drr Elrktronen bei n-Photoleitung.","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"83460558","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
O. Borkovskaya, N. Dmitruk, V. Litovchenko, O. I. Maeva
The residual dimensional photoconductivity in semiconductors with surface depletion layers and deep levels in the space charge region (SCR) are investigated. In this case the residual surface photoconductivity is caused by photoionization of the surface electron states (SS) and deep levels in the SCR, when the thermal transitions between SS and permitted bands of semiconductor can be neglected. The final expressions for the steady-state value of the dimensional photoconductivity and kinetics of its relaxation at the moment immediately after the light is switched on are compared with the experimental results on epitaxial n-GaAs(Fe)–i-GaAs(Cr) structures. The spectral dependence of the photoionization cross-section for the deep level of iron in GaAs is obtained. The effect of a giant increase of the near-edge photoionization cross-section associated with phototransitions between donor-acceptor pairs is detected. Die ausgedehnte Restphotoleitfahigkeit in Halbleitern mit Oberflachenverarmungsschichten und tiefen Niveaus in der Raumladungszone (SCR) wird untersucht. In diesem Fall wird die Oberflachenrestphotoleitung durch Photoionisation der Oberflachenelektronenzustande (SS) und tiefen Niveaus in der SCR verursacht, wenn die thermischen Ubergange zwischen SS und den erlaubten Bandern des Halbleiters vernachlassigt werden konnen. Die endgultigen Ausdrucke fur den stationaren Wert der ausgedehnten Photoleitfahigkeit und ihrer Relaxationskinetik zum Zeitpunkt unmittelbar nach Einschalten des Lichtes werden mit den experimentellen Ergebnissen an epitaktischen n-GaAs(Fe)–i-GaAs(Cr)-Strukturen verglichen. Die spektrale Abhangigkeit des Photoionisationswirkungsquerschnittes fur die tiefen Eisenniveaus in GaAs wird erhalten. Der Effekt eines Riesenanstiegs der Photoionisationswirkungsquerschnitte an der Bandkante verbunden mit Photoubergangen zwischen Donator-Akzeptor-Paaren wird nachgewiesen.
研究了具有表面损耗层和深能级空间电荷区(SCR)的半导体的剩余尺寸光电导率。在这种情况下，残余的表面光导率是由表面电子态(SS)和可控硅中深层能级的光电离引起的，此时SS和半导体允许带之间的热跃迁可以忽略不计。得到了光导的最终稳态值及其在开光瞬间的弛豫动力学表达式，并与外延n-GaAs(Fe) -i-GaAs (Cr)结构的实验结果进行了比较。得到了砷化镓中深能级铁的光离截面的光谱依赖性。检测到与供体-受体对之间的光跃迁相关的近边光电离截面的巨大增加的影响。Die ausgedehnthe Restphotoleitfahigkeit in Halbleitern, Oberflachenverarmungsschichten和tiefen Niveaus in der Raumladungszone (SCR) and untersut。在diesem Fall wind中，光离学与光学电子学研究(SS)、光离学与光学电子学研究(SCR)、光离学与光学电子学研究(SS)、光离学与光学电子学研究(SS)、光离学与光学电子学研究(SS)、光离学与光学电子学研究(hbliters)。2 .在实验过程中，通过对实验结果的分析，我们可以得到n-GaAs(Fe) -i-GaAs (Cr)- strkturen verglichen。光子光谱研究。光子电离光谱研究。光子衍射光谱研究。《光电效应》，riesenanstiegsderphotoionisationswkungsquerschnitte和derbandkante verbunden mitphotobergangenzwischen, akzeptor - paaren wind nachgewiesen。
{"title":"The Influence of Deep Levels on Photoemomry Effect in Structures with a Potential Barrier","authors":"O. Borkovskaya, N. Dmitruk, V. Litovchenko, O. I. Maeva","doi":"10.1002/PSSA.2210840136","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840136","url":null,"abstract":"The residual dimensional photoconductivity in semiconductors with surface depletion layers and deep levels in the space charge region (SCR) are investigated. In this case the residual surface photoconductivity is caused by photoionization of the surface electron states (SS) and deep levels in the SCR, when the thermal transitions between SS and permitted bands of semiconductor can be neglected. The final expressions for the steady-state value of the dimensional photoconductivity and kinetics of its relaxation at the moment immediately after the light is switched on are compared with the experimental results on epitaxial n-GaAs(Fe)–i-GaAs(Cr) structures. The spectral dependence of the photoionization cross-section for the deep level of iron in GaAs is obtained. The effect of a giant increase of the near-edge photoionization cross-section associated with phototransitions between donor-acceptor pairs is detected. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Die ausgedehnte Restphotoleitfahigkeit in Halbleitern mit Oberflachenverarmungsschichten und tiefen Niveaus in der Raumladungszone (SCR) wird untersucht. In diesem Fall wird die Oberflachenrestphotoleitung durch Photoionisation der Oberflachenelektronenzustande (SS) und tiefen Niveaus in der SCR verursacht, wenn die thermischen Ubergange zwischen SS und den erlaubten Bandern des Halbleiters vernachlassigt werden konnen. Die endgultigen Ausdrucke fur den stationaren Wert der ausgedehnten Photoleitfahigkeit und ihrer Relaxationskinetik zum Zeitpunkt unmittelbar nach Einschalten des Lichtes werden mit den experimentellen Ergebnissen an epitaktischen n-GaAs(Fe)–i-GaAs(Cr)-Strukturen verglichen. Die spektrale Abhangigkeit des Photoionisationswirkungsquerschnittes fur die tiefen Eisenniveaus in GaAs wird erhalten. Der Effekt eines Riesenanstiegs der Photoionisationswirkungsquerschnitte an der Bandkante verbunden mit Photoubergangen zwischen Donator-Akzeptor-Paaren wird nachgewiesen.","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"87471971","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
The results establish the existence of an electric double layer at a polyethylene-aluminum contact. The potential contrast scanning electron microscopy requires sample cutting and caution in handling the electron beam of the microscope. Nevertheless, the presented method allows to investigate the electrical potential distribution in insulators mar the contact to metals without rupture of the composite. In further investigations, the quality of information can be improved by avoiding the evaporated carbon layer and extending the exploitation of lateral resolution for measuring the sample potential as a function of locus. In both cases, that demands enlarged variability of primary voltage of the microscope. Die vorgestellten Resultate beweisen die Existenz einer elektrischen Doppelschicht an einem Polyethylen-Aluminium Kontakt. Die dazu benutzte Potentialkontrast-Rasterelektronenmikroskopie verlangt das Sehneiden der Proben und Vorsicht im Umgang mit dem Primarstrahl des Mikroskopes. Ungeachtet dessen gestattet es die vorgestellte Methode, die clektrische Potentialverteilung in Isolatoren nahe ihres Kontaktes zu einem Metall zu untersuchen, ohne den Verbund zu zerstoren. In weiterfuhrenden Untersuchungen kann die Qualitat der Aussage erhoht werden, indem man die Kohleaufdampfschicht vermeidet und die laterale Auflosung der Potentialmessung besser ausnutzt durch verbesserte Variabilitat der Primarstrahlspannung des Mikroskopes.
结果表明，在聚乙烯-铝接触处存在双电层。潜在对比扫描电子显微镜需要样品切割和小心处理显微镜的电子束。然而，所提出的方法允许研究电势分布在绝缘子破坏与金属的接触而不破坏复合材料。在进一步的研究中，可以通过避免蒸发碳层和扩展利用横向分辨率来测量样品电位作为轨迹的函数来提高信息质量。在这两种情况下，这都需要增大显微镜初级电压的可变性。聚乙烯-铝接触模的模态分析。[1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。在此基础上，本文提出了一种新的方法，即在分离介质中进行电势分析，并提出了一种新的方法，即在金属中进行电势分析。在weiterfuhrenden, Untersuchungen kanto die qualititder ausserge werden, indem mander kohleaufdampschicht vermeidet，和die侧向auflonsing der potential messagner，和verbessert verabilitder primary strahnung - unserung -显微。
{"title":"Measurement of Electrical Potential Distribution in a Polymer near the Contact to a Metal by Means of Scanning Electron Microscopy","authors":"W. Possart, A. Röudeb","doi":"10.1002/PSSA.2210840140","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840140","url":null,"abstract":"The results establish the existence of an electric double layer at a polyethylene-aluminum contact. The potential contrast scanning electron microscopy requires sample cutting and caution in handling the electron beam of the microscope. Nevertheless, the presented method allows to investigate the electrical potential distribution in insulators mar the contact to metals without rupture of the composite. In further investigations, the quality of information can be improved by avoiding the evaporated carbon layer and extending the exploitation of lateral resolution for measuring the sample potential as a function of locus. In both cases, that demands enlarged variability of primary voltage of the microscope. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Die vorgestellten Resultate beweisen die Existenz einer elektrischen Doppelschicht an einem Polyethylen-Aluminium Kontakt. Die dazu benutzte Potentialkontrast-Rasterelektronenmikroskopie verlangt das Sehneiden der Proben und Vorsicht im Umgang mit dem Primarstrahl des Mikroskopes. Ungeachtet dessen gestattet es die vorgestellte Methode, die clektrische Potentialverteilung in Isolatoren nahe ihres Kontaktes zu einem Metall zu untersuchen, ohne den Verbund zu zerstoren. In weiterfuhrenden Untersuchungen kann die Qualitat der Aussage erhoht werden, indem man die Kohleaufdampfschicht vermeidet und die laterale Auflosung der Potentialmessung besser ausnutzt durch verbesserte Variabilitat der Primarstrahlspannung des Mikroskopes.","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"76346858","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
{"title":"Effect of Scandium Ions on Magnetic Properties of Dysprosium Orthoferrite","authors":"A. Ges, V. M. Derkachenko, V. Fedotova","doi":"10.1002/PSSA.2210840159","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840159","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"73933176","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
W. Frentrup, M. Griepertrog, H. Klose, G. Kreysch, U. Müller‐Jahreis
The influence of alkali metal implantations in silicon on the negative secondary ion emission is studied. It is observed that the effect of negative ion signal enhancement decreases with increasing ionization potential from Cs to Na but depends lineary on the alkali volume concentration for all alkali metals. Natrium exhibits a somewhat deviating behaviour, which can be explained by its comparable high ionization potential. Es wird der Einflus von Alkalimetallimplantationen auf die negative Sekundarionenemission in Silizium untersucht. Der Effekt der Erhohung der Ausbeute an negativen Ionen verringert sich mit wachsendem Ionisationspotential von Cs zu Na, hangt aber linear von der Alkalivolumenkonzentration fur alle Alkalimetalle ab. Natrium zeigt ein etwas abweichendes Verhalten, was mit seinem relativ hohen Ionisationspotential erklart werden kann.
{"title":"The Influence of Alkali Atoms Implanted in Silicon on the Negative Secondary Ion Emission","authors":"W. Frentrup, M. Griepertrog, H. Klose, G. Kreysch, U. Müller‐Jahreis","doi":"10.1002/PSSA.2210840134","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840134","url":null,"abstract":"The influence of alkali metal implantations in silicon on the negative secondary ion emission is studied. It is observed that the effect of negative ion signal enhancement decreases with increasing ionization potential from Cs to Na but depends lineary on the alkali volume concentration for all alkali metals. Natrium exhibits a somewhat deviating behaviour, which can be explained by its comparable high ionization potential. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Es wird der Einflus von Alkalimetallimplantationen auf die negative Sekundarionenemission in Silizium untersucht. Der Effekt der Erhohung der Ausbeute an negativen Ionen verringert sich mit wachsendem Ionisationspotential von Cs zu Na, hangt aber linear von der Alkalivolumenkonzentration fur alle Alkalimetalle ab. Natrium zeigt ein etwas abweichendes Verhalten, was mit seinem relativ hohen Ionisationspotential erklart werden kann.","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"90039023","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
{"title":"A Mechanism for Drag on Dislocations in Zinc","authors":"R. Basu","doi":"10.1002/PSSA.2210840152","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840152","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"80673945","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
S. K. Maksimov, M. Ziegler, I. Khodos, I. I. Snighiryova, M. Shikhsaidov
The defect structure of GaAs single crystals doped with tellurium to about 1019 cm−3 and deformed at 500 °C is investigated in the high-resolution electron microscope using three-beam dark-field lattice images along 〈110〉. The images of precipitates at different stages of their formation as well as of dissociated 60° dislocations, dipoles, and stacking fault tetrahedra are taken and analyzed. The succession of the precipitation stages in the tellurium-bearing phase is analyzed, too. There are discrepancies between the periodicity on direct lattice images and the interplanar distances in highly deformed regions in the crystal. Die Defektstruktur von tellurdotierten (bis 1019 cm−3) GaAs-Einkristallen, die hei 500 ° C deformiert werden, wird im hochauflosenden Elektronenmikroskop mittels Dreistrahl-Dunkelfeld-Gitterabbildung in Richtung 〈110〉 untersucht. Abbildunpen von Prazipitaten in verschiedenen Zustanden ihrer Bildung sowie dissoziierte 60 ° Versetzungen, Dipole und Stapelfehlertetraeder werden gewonnen und analysiert. Die Abfolge der Prazipitationszustande in der tellurlialtigen Phase wird ebenfalls untersucht. Es existieren Widerspriiche zwischen der Periodizitat der direkten Gitterabbildungen und den Zwischenebenensbstanden in hochdeformierten Bereichen des Kristalls.
在高分辨率电子显微镜下，利用三束暗场晶格图像，研究了碲掺杂到1019 cm−3左右，在500°C下变形的GaAs单晶的缺陷结构。对析出相形成的不同阶段以及解离60°位错、偶极子和层错四面体的图像进行了拍摄和分析。分析了含碲阶段降水阶段的顺序。直接点阵图像的周期性与晶体中高度变形区域的面间距离存在差异。Die defktstrucktur von tellurdotierten (bis 1019 cm−3)GaAs-Einkristallen, Die hei 500°C deformiert werden, wid im hochauflosenden Elektronenmikroskop mittels Dreistrahl-Dunkelfeld-Gitterabbildung in Richtung < 110 > untersucht。研究方向:1 .偶极子与stapelfehler4 - 1 .偶极子与stapelfehl4 - 1 .偶极子与stapelfehl4 - 1 .偶极子与stapelfehl4 - 1 .偶极子与stapelfehl4 - 1。在这种情况下，沉淀是一种普遍存在的现象。有两种情况，一种是在德国，一种是在德国，一种是在德国，一种是在德国，一种是在德国。
{"title":"High Resolution Electron Microscopic Investigations of Dislocations in Deformed GaAs Single Crystals Doped with Te","authors":"S. K. Maksimov, M. Ziegler, I. Khodos, I. I. Snighiryova, M. Shikhsaidov","doi":"10.1002/PSSA.2210840110","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840110","url":null,"abstract":"The defect structure of GaAs single crystals doped with tellurium to about 1019 cm−3 and deformed at 500 °C is investigated in the high-resolution electron microscope using three-beam dark-field lattice images along 〈110〉. The images of precipitates at different stages of their formation as well as of dissociated 60° dislocations, dipoles, and stacking fault tetrahedra are taken and analyzed. The succession of the precipitation stages in the tellurium-bearing phase is analyzed, too. There are discrepancies between the periodicity on direct lattice images and the interplanar distances in highly deformed regions in the crystal. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Die Defektstruktur von tellurdotierten (bis 1019 cm−3) GaAs-Einkristallen, die hei 500 ° C deformiert werden, wird im hochauflosenden Elektronenmikroskop mittels Dreistrahl-Dunkelfeld-Gitterabbildung in Richtung 〈110〉 untersucht. Abbildunpen von Prazipitaten in verschiedenen Zustanden ihrer Bildung sowie dissoziierte 60 ° Versetzungen, Dipole und Stapelfehlertetraeder werden gewonnen und analysiert. Die Abfolge der Prazipitationszustande in der tellurlialtigen Phase wird ebenfalls untersucht. Es existieren Widerspriiche zwischen der Periodizitat der direkten Gitterabbildungen und den Zwischenebenensbstanden in hochdeformierten Bereichen des Kristalls.","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"78951140","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
V. Babich, N. P. Baran, V. Borblik, Yu. P. Dotsenko, V. Kovalchuk, V. A. Shershel
Quantitative changes of the thermal ionization energy of thermal donor levels depending on the mechanical stress magnitude in a sample are determined both for thermal donors-I (heat treatment 450 °C) and for thermal donors-II (heat treatment 650 °C) by means of piezogalvanomagnetic effects in oxygen-containing p-Si crystals recompensated by thermal donors into the n-type. Different nature of ionization energy changes is established for levels ϵ1 ≈ 0.064 and ϵ2 ≈ 0.14 eV in the double-charged thermal donors-I. All the experimental data indicate that the dependence of the thermal donor level position on the pressure is affected also by the nature of the centre. Quantitative Anderungen der thermischen Ionisierungsenergie von Thermodonatorenniveaus, die von der mechanischen Spannungsgrose in der Probe abhangen, werden sowohl fur Thermodonatoren-I (Temperung 450 °C) als auch fur Thermodonatoren-II (Temperung 650 °C) mittels piezogalvanomagnetischer Effekte in sauerstoffhaltigen p-Si-Kristallen, die durch Thermodonatoren in den n-Typ rekompensiert werden, bestimmt. Eine unterschiedliche Art der Ionisierungsenergieanderungen wird fur die Niveaus ϵ1 ≈ 0,064 und ϵ2 ≈ 0,14 eV der doppeltgeladenen Thermodonatoren-I festgestellt. Alle experimentellen Werte zeigen, das die Druckabhangigkeit der Lage der Niveaus der Thermodonatoren auch von der Art des Zentrums beeinflust wird.
热供体i(热处理450°C)和热供体ii(热处理650°C)的热电离能随样品机械应力大小的定量变化是通过热供体补偿为n型的含氧p-Si晶体中的压电磁效应来确定的。在双荷电热给体- i中，ϵ1≈0.064和ϵ2≈0.14 eV能级的电离能变化具有不同的性质。所有的实验数据表明，热供体水平位置对压力的依赖关系也受到中心性质的影响。定量Anderungen der thermischen ionisierungsenerggie von Thermodonatorenniveaus, die von der mechanchen Spannungsgrose in der Probe abhangen, werden sowohl for Thermodonatoren- i (Temperung 450°C)和auch for Thermodonatoren- ii (Temperung 650°C) mittel压电电磁体Effekte in sauerstoffhaltigen p-Si-Kristallen, die durch Thermodonatoren in den n- type rekompensiert werden，估计。Eine terschiedliche Art der ionisierungenergieanderungen wind for die Niveaus ϵ1≈0,064 and ϵ2≈0,14 eV der doppeltgeladenen Thermodonatoren-I festgestellt。所有的实验都是如此，所有的实验都是如此，所有的实验都是如此，所有的实验都是如此。
{"title":"Specific Features of Piezogalvanomagnetic Effects in Oxygen-Containing Silicon Crystals in the Presence of Thermal Donors-I and -II","authors":"V. Babich, N. P. Baran, V. Borblik, Yu. P. Dotsenko, V. Kovalchuk, V. A. Shershel","doi":"10.1002/PSSA.2210840133","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840133","url":null,"abstract":"Quantitative changes of the thermal ionization energy of thermal donor levels depending on the mechanical stress magnitude in a sample are determined both for thermal donors-I (heat treatment 450 °C) and for thermal donors-II (heat treatment 650 °C) by means of piezogalvanomagnetic effects in oxygen-containing p-Si crystals recompensated by thermal donors into the n-type. Different nature of ionization energy changes is established for levels ϵ1 ≈ 0.064 and ϵ2 ≈ 0.14 eV in the double-charged thermal donors-I. All the experimental data indicate that the dependence of the thermal donor level position on the pressure is affected also by the nature of the centre. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Quantitative Anderungen der thermischen Ionisierungsenergie von Thermodonatorenniveaus, die von der mechanischen Spannungsgrose in der Probe abhangen, werden sowohl fur Thermodonatoren-I (Temperung 450 °C) als auch fur Thermodonatoren-II (Temperung 650 °C) mittels piezogalvanomagnetischer Effekte in sauerstoffhaltigen p-Si-Kristallen, die durch Thermodonatoren in den n-Typ rekompensiert werden, bestimmt. Eine unterschiedliche Art der Ionisierungsenergieanderungen wird fur die Niveaus ϵ1 ≈ 0,064 und ϵ2 ≈ 0,14 eV der doppeltgeladenen Thermodonatoren-I festgestellt. Alle experimentellen Werte zeigen, das die Druckabhangigkeit der Lage der Niveaus der Thermodonatoren auch von der Art des Zentrums beeinflust wird.","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"79007662","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
G. S. Mingaleev, A. Tyutnev, V. Arkhipov, A. Rudenko, A. V. Vannikov, V. Saenko
Various aspects of the kinetics of the radiation-induced conductivity in polymers, i.e. build-up and decay curves, non-linear dose rate effects, approach to the steady state are investigated by means of approximate analytical solutions as well as computer simulation for the case of exponential trap distribution (computer calculations are performed specifically for the case of dispersion parameter α = 0.5). The widest possible range of irradiation conditions is covered (pulse length 1 ns, 100 μs, 10 ps, 0.1 ms including the steady state; dose per pulse from zero to 105 Gy). The problem of the best choice of normalization parameters is also briefly discussed. Verschiedene Aspekte der Kinetik der strahlungsinduzierten Leitfahigkeit in Polymeren, d. h. die An-und Abklingkurven, nichtlineare Dosisrateneffekte, das Erreichen des stationaren Zustands, werden sowohl mittels analytischer Naherungslosungen als auch mit Computersimulation fur den Fall einer exponentiellen Haftstellenverteilung untersucht (die Computerberechnungen speziell fur einen Dispersionsparameter α = 0,5). Der weitestmogliche Bereich von Strahlungsbedingungen wird uberdeckt (Impulslange 1 ns, 100 ns, 10 ps, 0,1 ms einschlieslich des stationaren Zustands; Dosis pro Impuls reicht von Null bis 105 Gy). Das Problem der besten Wahl der Normierungs-parameter wird kurz diskutiert.
辐射诱导聚合物电导率动力学的各个方面，即建立和衰减曲线，非线性剂量率效应，接近稳态的方法，通过近似解析解以及指数陷阱分布情况下的计算机模拟进行了研究(计算机计算专门用于色散参数α = 0.5的情况)。最宽的辐照条件范围(脉冲长度1 ns, 100 μs, 10 ps, 0.1 ms，包括稳态;每脉冲剂量从零到105戈瑞)。并简要讨论了归一化参数的最佳选择问题。Verschiedene aspekene der strahlungsindustrieten Leitfahigkeit in Polymeren, d. h. die an - and Abklingkurven, nichtlineare Dosisrateneffekte, das Erreichen des stationaren Zustands, werden sohlmitels analytischer Naherungslosungen也auch mit Computersimulation for den Fall einer exponentiellen hafstellenvereilung unsuht (die Computerberechnungen speziell for inen色散参数α = 0,5)。1、100秒、10秒、0.1秒的脉冲动力系统;Dosis pro impulse reicht von Null (105gy)。[2]最佳Wahl der normierungs问题-参数库尔兹离散。
{"title":"Computer Simulation and Analytical Solutions in the Study of the Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers","authors":"G. S. Mingaleev, A. Tyutnev, V. Arkhipov, A. Rudenko, A. V. Vannikov, V. Saenko","doi":"10.1002/PSSA.2210840141","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840141","url":null,"abstract":"Various aspects of the kinetics of the radiation-induced conductivity in polymers, i.e. build-up and decay curves, non-linear dose rate effects, approach to the steady state are investigated by means of approximate analytical solutions as well as computer simulation for the case of exponential trap distribution (computer calculations are performed specifically for the case of dispersion parameter α = 0.5). The widest possible range of irradiation conditions is covered (pulse length 1 ns, 100 μs, 10 ps, 0.1 ms including the steady state; dose per pulse from zero to 105 Gy). The problem of the best choice of normalization parameters is also briefly discussed. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Verschiedene Aspekte der Kinetik der strahlungsinduzierten Leitfahigkeit in Polymeren, d. h. die An-und Abklingkurven, nichtlineare Dosisrateneffekte, das Erreichen des stationaren Zustands, werden sowohl mittels analytischer Naherungslosungen als auch mit Computersimulation fur den Fall einer exponentiellen Haftstellenverteilung untersucht (die Computerberechnungen speziell fur einen Dispersionsparameter α = 0,5). Der weitestmogliche Bereich von Strahlungsbedingungen wird uberdeckt (Impulslange 1 ns, 100 ns, 10 ps, 0,1 ms einschlieslich des stationaren Zustands; Dosis pro Impuls reicht von Null bis 105 Gy). Das Problem der besten Wahl der Normierungs-parameter wird kurz diskutiert.","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"81985019","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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