Pub Date : 2019-06-15DOI: 10.17308/KCMF.2019.21/768
E. V. Tomina, Nikolay A. Kurkin, Sergei A. Mal’tsev
Установлено активирующее действие микроволнового излучения в процессе синтеза нанопорошков ортоферрита иттрия, допированного никелем, заключающеесяв значительном увеличении скорости процесса, снижении температуры отжига, высокой химической гомогенности синтезированных образцов. Реальная степень допирования согласно результатам локального рентгеноспектрального микроанализа оказалась несколько ниже номинальной, максимальная реальная степень допирования составляет 0.12. Средний размер частиц YFeO3 и NiхY1-хFeO3 находится в диапазоне 200–300 нм. REFERENCES Popkov V. I., Almjasheva O. V. Yttrium orthoferrite YFeO3 nanopowders formation under glycine-nitrate combustion conditions. Russian Journal of Applied Chemistry, 2014, v. 87(2), pp. 167-171. https://doi.org/10.1134/S1070427214020074 Letyuk L. M., Kostishin V. G., Gonchar A. V. Tekhnologiya ferritovykh materialov magnitoelektroniki [Technology of ferrite materials of magnetoelectronics]. Moscow, MISiS Publ., 2005, 352 p. (in Russ.) Petrova E., Kotsikau D., Pankov V. Structural characterization and magnetic properties of sol–gel derived ZnxFe3-xO4 Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2015, v. 378, pp, 429–435. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2014.11.076 Mittova I. Ya., Tomina E. V., Lavrushina S. S. Nanomaterialy: sintez nanokristallicheskikh poroshkov i poluchenie kompaktnykh nanokristallicheskikh materialov: uchebnoe posobie dlya vuzov [Nanomaterials: the synthesis of nanocrystalline powders and the production of compact nanocrystalline materials: a textbook for universities]. Voronezh, LOP VGU Publ., 2007, 35 p. (in Russ.) Brandon D., Kaplan W. Microstructural Characterization of Materials. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 1999, 424 p. Tretyakov Yu. D. Development of inorganic chemistry as a fundamental for the design of new generations of functional materials. Russian Chemical Reviews, 2004, v. 73(9), pp. 831–846. https://doi.org/10.1070/RC2004v073n09ABEH000914 Tomina E. V., Mittova I. Ya., Burtseva N. A., Patent RF, N 2548089, 2015. Kuznetsova V. A., Almjasheva O. V., Gusarov V. V. Infl uence of microwave and ultrasonic treatment on the formation of CoFe2O4 under hydrothermal conditions. Glass Physics and Chemistry, 2009, v. 35(2), pp. 205–209. International Center for Diffraction Data. Shpanchenko R. V., Rozova M. G. Metodicheskaya razrabotka dlya spetspraktikuma k kursu lektsii «Prakticheskie aspekty rentgenovskoi difraktometrii» [Methodical development for the special practical course for lectures “Practical aspects of X-ray diffractometry”]. Moscow, Izd-vo Mosk. un-ta Publ., 1998, 25 p. (in Russ.) Tret’yakov Yu. D. Neorganicheskaya khimiya. Khimiya elementov: uchebnik dlya stud. vuzov, obuch. po napravleniyu 510500 “Khimiya” i spetsial’nosti 011000 “Khimiya” : v 2 t [Inorganic chemistry. Chemistry of elements: a textbook for students. universities enrolled in the direction 510500 “Chemistry” and specialization 011000 “Chemistry”: in 2 volumes]. Moscow, Izd-vo Mosk.
{"title":"Микроволновый синтез ортоферрита иттрия и допирование его никелем","authors":"E. V. Tomina, Nikolay A. Kurkin, Sergei A. Mal’tsev","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/768","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/768","url":null,"abstract":"Установлено активирующее действие микроволнового излучения в процессе синтеза нанопорошков ортоферрита иттрия, допированного никелем, заключающеесяв значительном увеличении скорости процесса, снижении температуры отжига, высокой химической гомогенности синтезированных образцов. Реальная степень допирования согласно результатам локального рентгеноспектрального микроанализа оказалась несколько ниже номинальной, максимальная реальная степень допирования составляет 0.12. Средний размер частиц YFeO3 и NiхY1-хFeO3 находится в диапазоне 200–300 нм. \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Popkov V. I., Almjasheva O. V. Yttrium orthoferrite YFeO3 nanopowders formation under glycine-nitrate combustion conditions. Russian Journal of Applied Chemistry, 2014, v. 87(2), pp. 167-171. https://doi.org/10.1134/S1070427214020074 \u0000Letyuk L. M., Kostishin V. G., Gonchar A. V. Tekhnologiya ferritovykh materialov magnitoelektroniki [Technology of ferrite materials of magnetoelectronics]. Moscow, MISiS Publ., 2005, 352 p. (in Russ.) \u0000Petrova E., Kotsikau D., Pankov V. Structural characterization and magnetic properties of sol–gel derived ZnxFe3-xO4 Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2015, v. 378, pp, 429–435. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2014.11.076 \u0000Mittova I. Ya., Tomina E. V., Lavrushina S. S. Nanomaterialy: sintez nanokristallicheskikh poroshkov i poluchenie kompaktnykh nanokristallicheskikh materialov: uchebnoe posobie dlya vuzov [Nanomaterials: the synthesis of nanocrystalline powders and the production of compact nanocrystalline materials: a textbook for universities]. Voronezh, LOP VGU Publ., 2007, 35 p. (in Russ.) \u0000Brandon D., Kaplan W. Microstructural Characterization of Materials. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 1999, 424 p. \u0000Tretyakov Yu. D. Development of inorganic chemistry as a fundamental for the design of new generations of functional materials. Russian Chemical Reviews, 2004, v. 73(9), pp. 831–846. https://doi.org/10.1070/RC2004v073n09ABEH000914 \u0000Tomina E. V., Mittova I. Ya., Burtseva N. A., Patent RF, N 2548089, 2015. \u0000Kuznetsova V. A., Almjasheva O. V., Gusarov V. V. Infl uence of microwave and ultrasonic treatment on the formation of CoFe2O4 under hydrothermal conditions. Glass Physics and Chemistry, 2009, v. 35(2), pp. 205–209. \u0000International Center for Diffraction Data. \u0000Shpanchenko R. V., Rozova M. G. Metodicheskaya razrabotka dlya spetspraktikuma k kursu lektsii «Prakticheskie aspekty rentgenovskoi difraktometrii» [Methodical development for the special practical course for lectures “Practical aspects of X-ray diffractometry”]. Moscow, Izd-vo Mosk. un-ta Publ., 1998, 25 p. (in Russ.) \u0000Tret’yakov Yu. D. Neorganicheskaya khimiya. Khimiya elementov: uchebnik dlya stud. vuzov, obuch. po napravleniyu 510500 “Khimiya” i spetsial’nosti 011000 “Khimiya” : v 2 t [Inorganic chemistry. Chemistry of elements: a textbook for students. universities enrolled in the direction 510500 “Chemistry” and specialization 011000 “Chemistry”: in 2 volumes]. Moscow, Izd-vo Mosk.","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-15","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"72811369","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2019-06-15DOI: 10.17308/KCMF.2019.21/769
Oleg N. Shishkanov, A. Boychenko
На примере фотоэмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра математически описана зависимость коалесценции атомов серебра под действием неоднородного электрического поля от температуры окружающей среды и концентрации содержащихся в микрокристаллах примесей анионов йода. Показана корреляция экспериментальных данных по электрополевой чувствительности на примере промышленно выпускаемых фотоматериалов и специально изготовленных с результатами физико-математического моделирования коалесцентно-электрополевого процесса. Установлено, что при малом изменении температуры в 6 K (относительно стандартной в 298 K) и естественном влагосодержании желатины ~7.5 % происходит быстрый рост поверхностных атомов Ag. Такой же эффект достигается путем замещения в микрокристаллах AgBr доли анионных примесей йода до величины порядка 5 % от доли ионов брома при температуре 298 К REFERENCES Kravcov A. E., Reznikov M. A., Pipa V.I., Fok M. V. Zhurnal nauchnoj i prikladnoj foto- i kinematografi i, 1977, v. 22(3), pp. 186–195. (in Russ.) Kravcov A. E., Reznikov M. A., Pipa V. I., Fok M. V. Elektrotopografi cheskiy effekt v fotoemul’siyakh i ego primeneniya [Electrophotographic effect in photoemulsions and its applications]. Trudy FIAN, 1981(129), pp. 13–65. (in Russ.) Fok M. V., Reznikow M. A., Kravtsov A. E. Signal AM, 1982, v. 10(5), pp. 303–309. Galashin E. A. Zhurnal nauchnoj i prikladnoj fotoi kinematografi i, 1968, v. 13(3), pp. 203–210. (in Russ.) Chibisov K. V. Signal AM, 1975, v. 3, pp. 191–207. Reznikov M. A., Fok M. V. Uspehi nauchnoj fotografi i, 1986, v. 24, pp. 143–157. (in Russ.) Grechko G. M. Sovremennye dostizhenija kosmonavtiki [Modern achievements of astronautics]. Moscow, Znanie Publ., 1983(12), pp. 3–32. (in Russ.) Shishkanov O. N., Bojchenko A. P. «Issues of Education and Science: Theoretical and Methodological Aspects». Proceedings of the International scientifi cpractical Conference, May 31, 2014, Tambov, 2014, pp. 170–171. (in Russ.) Shishkanov O. N., Bojchenko A. P., YAkovenko N. A. Khimiko-fotograficheskie issledovaniya protsessov elektropolevoy koalestsentsii atomov serebra v mikrokristallakh ego galogenidov [Chemicalphotographic studies of the processes of electropole coalescence of silver atoms in the microcrystals of its halides]. Ehkologicheskij vestnik nauchnyh centrov CHernomorskogo ehkonomicheskogo sotrudnichestva (CHEHS), 2015(2), pp. 89–100. (in Russ.) Shishkanov O. N., Bojchenko A. P. Kinetic model coalescence atoms silver in microcrystals halogens under action an electrical fi eld. Fundamental research, 2014(8), pt. 3, pp. 607–613. URL: http://fundamental-research.ru/ru/article/view?id=34602 Gushchin E. M., Lebedev A. N., Somov S. V. Zhurnal nauchnoj i prikladnoj foto- i kinematografi i, 1986, vol. 31(2), pp. 95–99. (in Russ.) Haneft A. V., Krasheninin V. I. Kinetika polyarizatsii t effekt termogeneratsii defektov Frenkelya v galoidakh serebra [Kinetics of polarization and the effect of thermogeneration of Frenke
例如，银的光敏乳化硅微晶在数学上描述了银原子在不同的电场温度和阴离子杂质中的浓度下的相互作用。通过工业生产的光电材料和专门制造的与并列电场物理数学模拟的结果有关的实验电场敏感性数据。= =温度变化= = 6 K(相对于298 K)和天然含水量(7.5%)的变化表明，地表原子的快速生长。同样的效果通过在微位移测量AgBr碘阴离子杂质份额到5%份额的溴离子温度298放在Reznikov参照”Kravcov A . E . m . A, Pipa V.I。Fok m . v . Zhurnal prikladnoj foto nauchnoj i - i kinematografi i、1977年,v . 22 (3) pp - 186 - 195。(in Russ。)kravkov A. E, Reznikov M. A, Fok v . I, Fok v . I, Fok v . I。真费恩，1981年(129年)，pp, 13 - 65年。(in Russ。)Fok mv, Kravtsov A e Signal AM, 1982年，v10(5)， 303 - 309。1968年，v13(3)， 203 - 210。(in Russ。)Chibisov K. V. Signal AM, 1975年，v3, pp, 191 - 207。Reznikov M. A.， Fok M. nauchnoj fotografi i, 1986年，v24, pp。(in Russ。)格里奇科·g·m·索瓦坦尼加·科斯蒙维蒂基(现代astronautics)。莫斯科，Znanie Publ。1983年(12年)，pp, 3 - 32。(in Russ。)Shishkanov on . N, Bojchenko A. p，教育和科学:理论和中观Aspects。国际科学会议项目，5 - 31,2014年，Tambov, 2014年，170 - 171。(in Russ。)Shishkanov O. N, YAkovenko N, A. Khimiko。ehkogij vestnik中枢神经系统(CHEHS)， 2015年(2)，89 - 100。(in Russ。)Shishkanov on, Bojchenko A. P. Kinetic，在微晶层下的halogen行动下的银色模型。Fundamental research, 2014年8月8日，pt 3, pp, 607 - 613。URL: http://fundamental-research.ru/ru/article/view?id=34602 Gushchin e . M . Lebedev a . N。Somov s . v . Zhurnal prikladnoj foto nauchnoj i - i kinematografi i, 1986, vol, 31 (2) pp - 95 - 99。(in Russ。)汉内夫·a·V，克拉辛·V·基内斯特·基内斯特·基内斯特·基内斯特·基内斯特·基内斯特·格里奥达克·塞里布拉。Zhurnal nauchnoj i pto - i kinematografi i, 1998年，v43(1)， 34 - 43。(in Russ。)Molockij M. I, Latyshev A. n。Zhurnal nauchnoj i pto - i kinematografi i, 1969年，v14(5)， 380 - 382。(in Russ。)拉蒂谢夫A. N.莱昂诺娃L. JuSavvin N. I. Khimiko-fi zicheskaya模型“sernikov svetochuvvel nosti”。Zhurnal nauchnoj i pto - i kinematografii, 1995年，vol 40(6)， 18 - 22。(in Russ。)Inoue K, Kitahara A, Koseki S，在al, Kapilljarnaja himija: Per。s japonskogo。(凯莱化学)恍惚。来自日本)。莫斯科，Nauka Publ。1983年272年Mejklyar P. V. Fizicheskie protovanii ptografi fotografi izobrazheniya。莫斯科，Nauka Publ。1972年，400个p。SHishkanov O. N, Ovechenko D. S, Bojchenko A. p。X国际科学会议，April 10, Novosibirsk, 2014, 102 - 106。(in Russ。)拉蒂谢夫A. N.，莫洛奇·M. I.，奇布里亚诺夫·k。Zhurnal nauchnoj i pto - i kinematografi i, 1976年，vol 21(3)， 161 - 165。(in Russ。)Sidorov Yu。D.，李·n·I, Krestnikova E. D, Sidorova T. V. Author的certifi门在USSR no。883845, 1981年。(in Russ。)红ko A. V. Osnovy fotografi cheskih processov。彼得堡，局域网公共。1999年，512个pLatyshev A. N, ovinnikov ovv，来自nanoparticle物理的photographic科学。Vestnik VGU, ser。
{"title":"Влияние термического и анионно-примесного факторов на электрополевую коалесценцию атомов серебра в микрокристаллах его галогенидов","authors":"Oleg N. Shishkanov, A. Boychenko","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/769","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/769","url":null,"abstract":"На примере фотоэмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра математически описана зависимость коалесценции атомов серебра под действием неоднородного электрического поля от температуры окружающей среды и концентрации содержащихся в микрокристаллах примесей анионов йода. Показана корреляция экспериментальных данных по электрополевой чувствительности на примере промышленно выпускаемых фотоматериалов и специально изготовленных с результатами физико-математического моделирования коалесцентно-электрополевого процесса. Установлено, что при малом изменении температуры в 6 K (относительно стандартной в 298 K) и естественном влагосодержании желатины ~7.5 % происходит быстрый рост поверхностных атомов Ag. Такой же эффект достигается путем замещения в микрокристаллах AgBr доли анионных примесей йода до величины порядка 5 % от доли ионов брома при температуре 298 К \u0000 \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Kravcov A. E., Reznikov M. A., Pipa V.I., Fok M. V. Zhurnal nauchnoj i prikladnoj foto- i kinematografi i, 1977, v. 22(3), pp. 186–195. (in Russ.) \u0000Kravcov A. E., Reznikov M. A., Pipa V. I., Fok M. V. Elektrotopografi cheskiy effekt v fotoemul’siyakh i ego primeneniya [Electrophotographic effect in photoemulsions and its applications]. Trudy FIAN, 1981(129), pp. 13–65. (in Russ.) \u0000Fok M. V., Reznikow M. A., Kravtsov A. E. Signal AM, 1982, v. 10(5), pp. 303–309. \u0000Galashin E. A. Zhurnal nauchnoj i prikladnoj fotoi kinematografi i, 1968, v. 13(3), pp. 203–210. (in Russ.) \u0000Chibisov K. V. Signal AM, 1975, v. 3, pp. 191–207. \u0000Reznikov M. A., Fok M. V. Uspehi nauchnoj fotografi i, 1986, v. 24, pp. 143–157. (in Russ.) \u0000Grechko G. M. Sovremennye dostizhenija kosmonavtiki [Modern achievements of astronautics]. Moscow, Znanie Publ., 1983(12), pp. 3–32. (in Russ.) \u0000Shishkanov O. N., Bojchenko A. P. «Issues of Education and Science: Theoretical and Methodological Aspects». Proceedings of the International scientifi cpractical Conference, May 31, 2014, Tambov, 2014, pp. 170–171. (in Russ.) \u0000Shishkanov O. N., Bojchenko A. P., YAkovenko N. A. Khimiko-fotograficheskie issledovaniya protsessov elektropolevoy koalestsentsii atomov serebra v mikrokristallakh ego galogenidov [Chemicalphotographic studies of the processes of electropole coalescence of silver atoms in the microcrystals of its halides]. Ehkologicheskij vestnik nauchnyh centrov CHernomorskogo ehkonomicheskogo sotrudnichestva (CHEHS), 2015(2), pp. 89–100. (in Russ.) \u0000Shishkanov O. N., Bojchenko A. P. Kinetic model coalescence atoms silver in microcrystals halogens under action an electrical fi eld. Fundamental research, 2014(8), pt. 3, pp. 607–613. URL: http://fundamental-research.ru/ru/article/view?id=34602 \u0000Gushchin E. M., Lebedev A. N., Somov S. V. Zhurnal nauchnoj i prikladnoj foto- i kinematografi i, 1986, vol. 31(2), pp. 95–99. (in Russ.) \u0000Haneft A. V., Krasheninin V. I. Kinetika polyarizatsii t effekt termogeneratsii defektov Frenkelya v galoidakh serebra [Kinetics of polarization and the effect of thermogeneration of Frenke","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"88 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-15","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"73289350","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2019-06-15DOI: 10.17308/KCMF.2019.21/767
Olga S. Tarasova, A. I. Dontsov, B. V. Sladkopevtsev, I. Y. Mittova
Предложена методика модифицирования InP в парах серы, методом локального рентгеноспектрального микроанализа подтверждено её наличие на поверхности. Дляплёнок нанометрового диапазона толщины (до 50 нм), выращенных термическим оксидированием InP с предварительно обработанной в парах серы поверхностью, методом Оже-электронной спектроскопии установлено послойное распределение компонентов. По данным атомно-силовой микроскопии модифицирование InP серой приводит к формированию поверхности с зернистой структурой, более упорядоченной по сравнению с эталоном (собственное термооксидирование фосфида индия). Несмотря на то, что в результирующих плёнках сера не обнаружена, они обладают полупроводниковыми свойствами, тогда как для собственных оксидных слоёв на InP характерна омическая проводимость REFERENCES Markov V. F., Mukhamedzyanov Kh. N., Maskaeva L. N. Materialy sovremennoj jelektroniki [Materials of modern electronics]. Ekaterinburg, Publishing Ural. un-one, 2014, 272 p. (in Russ.) Oktyabrsky S. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. Springer Science LCC, 2013, 447 p. Bessolov V. N., Lebedev M. V. Hal’kogenidnaja passivacija poluprovodnikov AIIIBV [Chalcogenide passivation of III–V semiconductor surfaces]. Semiconductors, 1998, v. 32(11), pp. 1141–1156. https://doi.org/10.1134/1.1187580 Mittova I. Ya., Soshnikov M., Terekhov V. A., Semenov V. N. Termicheskoe oksidirovanie geterostruktur V2S5/InP v kislorode [Thermal oxidation of V2S5/InP heterostructures in oxygen]. Inorganic Materials, 2000, v. 36(10), pp. 975–978. https://doi.org/10.1007/BF02757971 Yoshida N., Chichibu S., Akane T., Totsuka M., Uji H., Matsumoto S., Higuchi H. Surface passivation of GaAs using ArF excimer laser in a H2S gas ambient. Applied Physics Letters, 1993, v. 63(22), pp. 3035–3037. https://doi.org/10.1063/1.110250 Liu K. Z., Shimomura M., Fukuda Y. Band Bending of n-GaP(001) and p-InP(001) Surfaces with and without sulfur treatment studied by Photoemission (PES) and Inverse Photoemission Spectroscopy (IPES). Advanced Materials Research, 2011, v. 222, pp. 56–61. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.222.56 Tian Sh., Wei Zh., Li Y., Zhao H., Fang X. Surface state and optical property of sulfur passivated InP. Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, v. 17, pp. 33–37. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2013.08.008 Sundararaman C. S., Poulin S., Currie J. F., Leonelli R. The sulfur-passivated InP surface. Canadian Journal of Physics, 2011, v. 69(3–4), pp. 329–332. https://doi.org/10.1139/p91-055 Lau W. M., Kwok R. W. M., Ingrey S. Controlling surface band-bending of InP with polysulfi de treatments. Surface Science, 1992, v. 271(3), pp. 579–586. https://doi.org/10.1016/0039-6028(92)90919-W Tao Y., Yelon A., Sacher E., Lu Z. H., Graham M. J. S-passivated InP (100)-(1×1) surface prepared by a wet chemical process. Applied Physics Letters, 1992, v. 60(21), pp. 2669–2671. https://doi.org/10.1063/1.106890 Chasse T., Peisert H., Streubel P., Sza
提供了一种方法来修改InP对硫的修改，通过局部x射线光谱微分析证实了它的存在。纳米纳米厚度范围(多达50纳米纳米)，由InP热氧化物表面处理，通过电子光谱学确定了成分的分布。根据核力显微镜和对InP硫的修改，其表面形成的颗粒结构比标准更有序(印度自身的热氧化)。虽然没有在合成胶片中发现硫，但它们具有半导体特性，而InP上的氧化物层具有Mukhamedzyanov Kh的omith电导率。N.， Maskaeva L. N.， Maskaeva j . jelekroniki。Ekaterinburg，公共Ural。2014年，un-one, 272 p。Oktyabrsky S. fundamtals III-V Semiconductor MOSFETs。施普林格科学有限公司，2013年，447 p, Bessolov vn，Semiconductors, 1998, v32 (11)， pp, 1141 - 1156。https://doi.org/10.1134/1.1187580 Mittova一世Ya。Soshnikov M, Terekhov v, A, Semenov V2S5/InP kislorode (V2S5/InP v)。组织物质，2000年，v36 (10)， pp, 975 - 978。正如N所料,吉田制作https://doi.org/10.1007/BF02757971 Chichibu S。,Uji Akane T、Totsuka M。H, Matsumoto S。Higuchi H . Surface ArF立体passivation of砷化镓excimer laser in a H2S gas环境。应用物理Letters, 1993年，v63 (22)， pp, 3035 - 3037。https://doi.org/10.1063/1.110250 (k Z、Shimomura M。Fukuda y Band Bending of n - GaP (001) p - InP (001) Surfaces and with and without硫磺treatment studied by Photoemission (PES) and反向Photoemission Spectroscopy (IPES)。高级物质研究，2011年，v222, pp, 56 - 61。本田(Zh https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.222.56天Sh。李·Y, Zhao H，方赫，sulfur passivated公司的Surface状态和optical专业知识。物质科学，2014年，v17, 33 - 37。https://doi.org/10.1016/j.mssp.2013.08.008 Sundararaman c . S . Poulin S。柯里,j . F。Leonelli r . The硫磺- passivated InP surface。加拿大物理杂志，2011年，v69 (3 - 4)， pp, 329 - 332。M, w https://doi.org/10.1139/p91-055订Kwok r . w . M, Ingrey s . Controlling surface band - bending of InP with polysulfi de treatments。Surface科学，1992年，v271 (3)， pp, 579 - 586。https://doi.org/10.1016/0039-6028 (92) 90919 - W Tao Y。,Yelon A、Sacher E。Lu z H。格雷厄姆m . j . S - passivated InP(100) -(1×1)surface prepared by A wet chemical process。应用物理Letters, 1992年，v60 (21)， pp, 2669 - 2671。https://doi.org/10.1063/1.106890 Chasse T。H。Peisert Streubel P, r Szargan Sulfurization of surfaces InP (001) X -射线photoelectron and studied by X - ray induced Auger spectroscopies电子(选项/ XAES)。Surface科学，1995年，v331 - 333, pp, 434 - 440。https://doi.org/10.1016/0039-6028 (95) 00306 - 1 Maeyama S, M。Heun S Sugiyama。Oshima M . j . (NH4) 2Sx相应电子InP (100) surfaces studied by soft x - ray photoelectron spectroscopy。1996年，v25 (5)， pp, 593 - 596。https://doi.org/10.1007/BF02666509 Sugahara H r, Oshima M。Klauser Bonding states of chemisorbed硫磺原子on砷化镓。Surface科学，1991年，v242 (1 - 3)， pp, 335 - 340。https://doi.org/10.1016/0039-6028 (91) 90289 Koebbel。莱斯利,A - 5。Dudzik E、Mitchell c . E . j . X - ray standing wave研究of wet etch - sulphur相应InP surfaces 100。应用Surface科学，2000,v166 (1 - 4)， pp, 196 - 200。https://doi.org/10.1016/S0169-4332 (00) 00413 - X纳尔逊·a·J。r, Frigo s . P .罗森Soft X - ray photoemission characterization of the H2S)的P - InP surface of。1992年，v71 (12)， pp, 6086 - 6089。https://doi.org/10.1063/1.350415纳尔逊·A·J, Frigo s . P . r . Surface的罗森type转换of suede InP by H2S plasma exposure: A photoemission investigation。Vacuum科学与技术杂志A, 1993年，v11 (4)， pp, 1022 - 1027。https://doi.org/10.1116/1.578807 Kwok r . w . M,刘德华w . M . X - ray photoelectron spectroscopy研究on InP相应by硫磺containing compo
{"title":"Влияние обработки в парах серы на скорость термооксидирования InP, состав, морфологию поверхности и свойства плёнок","authors":"Olga S. Tarasova, A. I. Dontsov, B. V. Sladkopevtsev, I. Y. Mittova","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/767","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/767","url":null,"abstract":"Предложена методика модифицирования InP в парах серы, методом локального рентгеноспектрального микроанализа подтверждено её наличие на поверхности. Дляплёнок нанометрового диапазона толщины (до 50 нм), выращенных термическим оксидированием InP с предварительно обработанной в парах серы поверхностью, методом Оже-электронной спектроскопии установлено послойное распределение компонентов. По данным атомно-силовой микроскопии модифицирование InP серой приводит к формированию поверхности с зернистой структурой, более упорядоченной по сравнению с эталоном (собственное термооксидирование фосфида индия). Несмотря на то, что в результирующих плёнках сера не обнаружена, они обладают полупроводниковыми свойствами, тогда как для собственных оксидных слоёв на InP характерна омическая проводимость \u0000 \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Markov V. F., Mukhamedzyanov Kh. N., Maskaeva L. N. Materialy sovremennoj jelektroniki [Materials of modern electronics]. Ekaterinburg, Publishing Ural. un-one, 2014, 272 p. (in Russ.) \u0000Oktyabrsky S. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. Springer Science LCC, 2013, 447 p. \u0000Bessolov V. N., Lebedev M. V. Hal’kogenidnaja passivacija poluprovodnikov AIIIBV [Chalcogenide passivation of III–V semiconductor surfaces]. Semiconductors, 1998, v. 32(11), pp. 1141–1156. https://doi.org/10.1134/1.1187580 \u0000Mittova I. Ya., Soshnikov M., Terekhov V. A., Semenov V. N. Termicheskoe oksidirovanie geterostruktur V2S5/InP v kislorode [Thermal oxidation of V2S5/InP heterostructures in oxygen]. Inorganic Materials, 2000, v. 36(10), pp. 975–978. https://doi.org/10.1007/BF02757971 \u0000Yoshida N., Chichibu S., Akane T., Totsuka M., Uji H., Matsumoto S., Higuchi H. Surface passivation of GaAs using ArF excimer laser in a H2S gas ambient. Applied Physics Letters, 1993, v. 63(22), pp. 3035–3037. https://doi.org/10.1063/1.110250 \u0000Liu K. Z., Shimomura M., Fukuda Y. Band Bending of n-GaP(001) and p-InP(001) Surfaces with and without sulfur treatment studied by Photoemission (PES) and Inverse Photoemission Spectroscopy (IPES). Advanced Materials Research, 2011, v. 222, pp. 56–61. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.222.56 \u0000Tian Sh., Wei Zh., Li Y., Zhao H., Fang X. Surface state and optical property of sulfur passivated InP. Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, v. 17, pp. 33–37. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2013.08.008 \u0000Sundararaman C. S., Poulin S., Currie J. F., Leonelli R. The sulfur-passivated InP surface. Canadian Journal of Physics, 2011, v. 69(3–4), pp. 329–332. https://doi.org/10.1139/p91-055 \u0000Lau W. M., Kwok R. W. M., Ingrey S. Controlling surface band-bending of InP with polysulfi de treatments. Surface Science, 1992, v. 271(3), pp. 579–586. https://doi.org/10.1016/0039-6028(92)90919-W \u0000Tao Y., Yelon A., Sacher E., Lu Z. H., Graham M. J. S-passivated InP (100)-(1×1) surface prepared by a wet chemical process. Applied Physics Letters, 1992, v. 60(21), pp. 2669–2671. https://doi.org/10.1063/1.106890 \u0000Chasse T., Peisert H., Streubel P., Sza","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"36 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-15","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"80326220","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2019-06-15DOI: 10.17308/KCMF.2019.21/770
Z. Mukhtarova
Методами физико-химического анализа – дифференциально-термическим, высокотемпературным дифференциально-термическим, рентгенофазовым, микроструктурным, а также измерением микротвердости изучена система Sm2Te3–GeTe, которая является квазибинарным сечением тройной системы Ge–Sm–Te. При соотношении исходных теллуридов 1:1 (50 мол. %) и температуре 1100 К по перитектической реакции ж+Sm2Te3→ GeSm2Te4 образуется тройное соединение GeSm2Te4. Образцы системы, богатые GeTe, представляют собой компактные слитки блестяще-серого цвета, а сплавы, бо-гатые Sm2Te3 – спек черного цвета. Ликвидус системы Sm2Te3–GeTe состоит из трех ветвей: Sm2Te3, GeSm2Te4 и a-твердых растворов на основе GeTe. Рентгенофазовый анализ закристаллизованных образцов показал, что набор рентгеновских отражений соответствует фазам Sm2Te3, GeSm2Te4 и a-твердых растворов на основе GeTe. Установлено образование инконгруэнтно плавящегося соединения состава GeSm2Te4, которое может использоваться как термоэлектрический материал. На основе GeTe образуется узкая область твердого раствора REFERENCES Kohri H., Shiota , Kato M., Ohsugi J., Goto T. Synthesis and Thermolelectric Properties of Bi2Te3–GeTe Pseudo Binary System. Advances in Science and Technology, 2006, v. 46, pp. 168-173. https://doi.org/10.4028/www.scientifi c.net/ST.46.168 Gelbstein Y., Dado B., Ben-Yehuda O., Sadia Y., Dashevsky Z. and Dariel M. P. Highly effi cient Ge-Rich GexPb1-x Te thermoelectric alloys. Journal of Electronic Materials, 2010, v. 39(9), pp. 2049–2052. https://doi.org/10.1007/s11664-009-1012-z Gelbstein Y., Davidow J., Girard S.N., Chung D. Y. and Kanatzidis M. Controlling Metallurgical Phase Separation Reactions of the Ge0.87 Pb0.13Te Alloy for High Thermoelectric Performance. Advanced Energy Materials, 2013, v. 3, pp. 815–820. https://doi.org/10.1002/aenm.201200970 Gelbstein Y., Dashevsky Z. and Dariel M. P. Highly efficient bismuth telluride doped p-type Pb0.13Ge0.87Te for thermoelectric applications. Physical Status Solidi, 2007, v. 1(6), pp. 232–234. https://doi.org/10.1002/pssr.200701160 Gelbstein Y., Ben-Yehuda O., Dashevsky Z. and Dariel M. P. Phase transitions of p-type (Pb,Sn,Ge)Tebased alloys for thermoelectric applica tions. Journal of Crystal Growth, 2009, v. 311(18), pp. 4289–4292. https://doi.org/10.1007/s11664-008-0652-8 Gelbstein Y., Ben-Yehuda O., Pinhas E., et al. Thermoelectric properties of (Pb,Sn,Ge) Te-based alloys. Journal of Electronic Materials, 2009, v. 38(7), 1478–1482. https://doi.org/10.1007/s11664-008-0652-8 Li J., Chen Z., Zhang X., Sun Y., Yang J., Pei Y. Electronic origin of the high thermo- electric performance of GeTe among the p-type group IV monotellurides. NPG Asia Materials, 2017, v. 9, p. 353. https://doi.org/10.1038/am.2017.8 Sante D. Di., Barone P., Bertacco R., Picozzi S. Electric control of the giant rashba effect in bulk GeTe. Advanced materials, 2013, v. 25(27), pp. 3625–3626. https://doi.org/10.1002/adma.201203199 Li J., Zhang X., Lin S., Chen Z., Pei
物理化学分析——热、热、x射线、微硬度和微硬度测量——研究了Sm2Te3 - GeTe系统，这是三重通用- Sm - Te的准二进制截面。在1比1 (50 mos)中，最初的特鲁里德数。1100 k是由j +Sm2Te3 GeSm2Te4形成的三重化合物GeSm2Te4。系统的样品，丰富的GeTe，是一种精细的灰色金条，而合金，Sm2Te3是黑色的。Sm2Te3 - GeTe由三个分支组成:Sm2Te3、GeSm2Te4和a-固体溶液。结晶样品的x射线分析显示，x射线反射与Sm2Te3、GeSm2Te4和a-固体溶液相匹配。在GeSm2Te4中发现了一种完全融化的化合物，可以用作热电材料。= =结构= = GeTe形成了一个狭窄的固体溶液区域，由REFERENCES Kohri H、Shiota、Kato M和Ohsugi J组成。科学和技术进步，2006年，v46, pp, 168-173。https://doi.org/10.4028/www.scientifi c.net/ST.46.168 Gelbstein Y。B Dado, Ben - Yehuda O Sadia Y。Dashevsky z and Dariel m . p . Highly effi cient Ge - Rich GexPb1 x Te thermoelectric alloys。2010年，v39 (9)， pp, 2049 - 2052。https://doi.org/10.1007/s11664-009-1012-z Gelbstein Y。Davidow J,吉拉德S.N。Chung d Y and Kanatzidis m Controlling Metallurgical Separation阶段Reactions of the Ge0.87 Pb0.13Te Alloy for High Thermoelectric Performance。先进的能量物质，2013年，v3, pp, 815 - 820。https://doi.org/10.1002/aenm.201200970 Gelbstein Y。Dashevsky z and Dariel m . p . Highly efficient bismuth柳赖德doped p - type Pb0.13Ge0.87Te for thermoelectric应用。物理静态索利迪，2007年，v1 (6)， pp, 232 - 234。https://doi.org/10.1002/pssr.200701160 Gelbstein Y, Ben - Yehuda O。Dashevsky z and Dariel m . p . transitions阶段of p - type (Pb、Sn、Ge) Tebased alloys for thermoelectric applica tions。《水晶生长杂志》，2009年，v311 (18)， pp, 4289 - 4292。https://doi.org/10.1007/s11664-008-0652-8 Gelbstein Y, Ben - Yehuda O。Pinhas E, et al .)。Thermoelectric properties (Pb,Sn,Ge)。《电子物质杂志》，2009年，v38(7)， 1478 - 1482。https://doi.org/10.1007/s11664-008-0652-8 Li J。Sun Chen Z, Zhang X, Y,杨J Pei Y Electronic origin of the high thermo - electric performance of GeTe《the p - type IV monotellurides集团。NPG亚洲物质，2017,v9, p 353。https://doi.org/10.1038/am.2017.8 Sante d . Di。Barone P, Bertacco R, Picozzi S. Electric控制公牛GeTe中的巨大rashba。高级物质，2013年，v25 (27)， pp, 3625 - 3626。https://doi.org/10.1002/adma.201203199 Li J, Zhang X。Lin S Chen Z。Pei y Realizing the high thermoelectric performance of GeTe by Sbdoping and Se - alloying。母校。2017年，v29 (2)， pp, 605 - 611。https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b04066 Abrikosov n . Kh。Shelimova L. b。* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *莫斯科，Nauka Publ。1975年，195个pKorzhuev A. Vliyaniye legirovaniya na na。Series 6。(《GeTe系列6》中的其他内容)。1983年莫斯科no。6 (179)， pp, 33 - 36。(in Russ。)SnTe和GeTe的电子和optical预览。《物理杂志》，2002年，14(36)，pp, 8625 - 8637。https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/36/318 Gelbstein Y, Y的罗森。,Sadia Y and Dariel m . p . (Thermoelectric evolution of spark plasma sintered (Ge0.6Pb0.3Sn0.1) Te 42,269 a spinodal decomposition。2010年，v114 (30)， pp, 13126 - 13131。https://doi.org/10.1021/jp103697s Rosenthal T, Schneider N。Stiewe C、Dublinger M。,Oeckler o . Real结构and (thermoelectric of GeTe - rich germanium antimony tellurides。母校。2011年，v23 (19)， pp 4349 - 4356。https://doi.org/10.1021/cm201717z Li J Z, Zhang X。Chen Yu Wu Z H。谢谢H。Y。Chen, Pei Y . Simultaneous optimization of航母集中and alloy动量scattering for ultrahigh。母校。2017年，v4 (12)，
{"title":"Фазовые равновесия в системе Sm2Te3–GeTe","authors":"Z. Mukhtarova","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/770","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/770","url":null,"abstract":"Методами физико-химического анализа – дифференциально-термическим, высокотемпературным дифференциально-термическим, рентгенофазовым, микроструктурным, а также измерением микротвердости изучена система Sm2Te3–GeTe, которая является квазибинарным сечением тройной системы Ge–Sm–Te. При соотношении исходных теллуридов 1:1 (50 мол. %) и температуре 1100 К по перитектической реакции ж+Sm2Te3→ GeSm2Te4 образуется тройное соединение GeSm2Te4. Образцы системы, богатые GeTe, представляют собой компактные слитки блестяще-серого цвета, а сплавы, бо-гатые Sm2Te3 – спек черного цвета. Ликвидус системы Sm2Te3–GeTe состоит из трех ветвей: Sm2Te3, GeSm2Te4 и a-твердых растворов на основе GeTe. Рентгенофазовый анализ закристаллизованных образцов показал, что набор рентгеновских отражений соответствует фазам Sm2Te3, GeSm2Te4 и a-твердых растворов на основе GeTe. Установлено образование инконгруэнтно плавящегося соединения состава GeSm2Te4, которое может использоваться как термоэлектрический материал. На основе GeTe образуется узкая область твердого раствора \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Kohri H., Shiota , Kato M., Ohsugi J., Goto T. Synthesis and Thermolelectric Properties of Bi2Te3–GeTe Pseudo Binary System. Advances in Science and Technology, 2006, v. 46, pp. 168-173. https://doi.org/10.4028/www.scientifi c.net/ST.46.168 \u0000Gelbstein Y., Dado B., Ben-Yehuda O., Sadia Y., Dashevsky Z. and Dariel M. P. Highly effi cient Ge-Rich GexPb1-x Te thermoelectric alloys. Journal of Electronic Materials, 2010, v. 39(9), pp. 2049–2052. https://doi.org/10.1007/s11664-009-1012-z \u0000Gelbstein Y., Davidow J., Girard S.N., Chung D. Y. and Kanatzidis M. Controlling Metallurgical Phase Separation Reactions of the Ge0.87 Pb0.13Te Alloy for High Thermoelectric Performance. Advanced Energy Materials, 2013, v. 3, pp. 815–820. https://doi.org/10.1002/aenm.201200970 \u0000Gelbstein Y., Dashevsky Z. and Dariel M. P. Highly efficient bismuth telluride doped p-type Pb0.13Ge0.87Te for thermoelectric applications. Physical Status Solidi, 2007, v. 1(6), pp. 232–234. https://doi.org/10.1002/pssr.200701160 \u0000Gelbstein Y., Ben-Yehuda O., Dashevsky Z. and Dariel M. P. Phase transitions of p-type (Pb,Sn,Ge)Tebased alloys for thermoelectric applica tions. Journal of Crystal Growth, 2009, v. 311(18), pp. 4289–4292. https://doi.org/10.1007/s11664-008-0652-8 \u0000Gelbstein Y., Ben-Yehuda O., Pinhas E., et al. Thermoelectric properties of (Pb,Sn,Ge) Te-based alloys. Journal of Electronic Materials, 2009, v. 38(7), 1478–1482. https://doi.org/10.1007/s11664-008-0652-8 \u0000Li J., Chen Z., Zhang X., Sun Y., Yang J., Pei Y. Electronic origin of the high thermo- electric performance of GeTe among the p-type group IV monotellurides. NPG Asia Materials, 2017, v. 9, p. 353. https://doi.org/10.1038/am.2017.8 \u0000Sante D. Di., Barone P., Bertacco R., Picozzi S. Electric control of the giant rashba effect in bulk GeTe. Advanced materials, 2013, v. 25(27), pp. 3625–3626. https://doi.org/10.1002/adma.201203199 \u0000Li J., Zhang X., Lin S., Chen Z., Pei ","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"36 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-15","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"90860905","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2019-06-14DOI: 10.17308/KCMF.2019.21/765
Alexey K. Subanakov, Evgeniy V. Kovtunets, Sampil Zh. Choydonov, Sesegma G. Dorzhieva, B. G. Bazarov
Методом цитратной золь-гель технологии получен новый двойной борат рубидия–гольмия состава Rb3HoB6O12. Соединение кристаллизуется в тригональной сингонии (пр. гр. R32, a = 13.4038(7), с = 30.315(2) Å, V = 4716.76 Å3) и плавится инконгруэнтно при 818 °С. Попытки получить в однофазном состоянии Rb3HoB6O12 методом твердофазных реакций не привели к положительному результату REFERENCES Wu C., Yang G., Humphrey M.G., Zhang C. Recent advances in ultraviolet and deep-ultraviolet secondorder nonlinear optical crystals // Chem. Rev., 2018, v. 375, pp. 1–30. https://doi.org/10.1016/j.ccr.2018.02.017 Bubnova R., Volkov S., Albert B., Filatov S. Borates – crystal structures of prospective nonlinear optical materials: high anisotropy of the thermal expansion caused by anharmonic atomic vibrations // Crystals, 2017, v. 7, pp.1–32. DOI: 10.3390/cryst7030093 Becker P. Borate materials in nonlinear optics // Mater., 1998, v. 10, pp. 979–992. https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-4095(199809)10:13<979::AIDADMA979>3.0.CO;2-N Chen C., Li R. The anionic group theory of the nonlinear optical effect and its applications in the development of new high-quality NLO crystals in the borate series // Rev. Phys. Chem., 1988, v. 8, pp. 65–91. https://doi.org/10.1080/01442358909353223 Chen C., Wu Y., Jiang A., Wu B., You G., Li R., Lin S. New nonlinear-optical crystal: LiB3O5 // Opt. Soc. Am. B: Opt. Phys., 1989, v. 6, pp. 616–621. https://doi.org/10.1364/JOSAB.6.000616 French R. H., Ling J. W., Ohuchi F. S., Chen C. T. Electronic structure of b-BaB2O4 and LiB3O5 nonlinear optical crystals // Rev. B: Condens. Matter, 1991, v. 44, pp. 8496–8502. https://doi.org/10.1103/Phys-RevB.44.8496 Yusuke Mori, Ikio Kuroda, Satoshi Nakajima, Takamoto Sasaki, Sadao Nakai. New nonlinear optical crystal: Cesium lithium borate // Phys. Lett., 1995, v. 67, pp. 1818–1820. https://doi.org/10.1063/1.115413 Haohai Yu, Zhongben Pan, Huaijin Zhang, Jiyang Wang. Recent advances in self-frequency-doubling crystals // Materiomics, 2016, v. 2, pp. 55–65. https://doi.org/10.1016/j.jmat.2015.12.001 Bajor A.L., Kisielewski J., Klos A., Kopzyński K., Lukasiewicz T., Mierczyk J., Mlyńczak J. Assessment of gadolinium calcium oxoborate (GdCOB) for laser applications // Opto-electronics Review, 2011, v. 19, pp. 439–448. https://doi.org/10.2478/s11772-011-0042-2 Dan Zhao, Cong-Kui Nie, Ye Tian, Bao-Zhong Liu, Yun-Chang Fan, Ji Zhao. A new luminescent host material K3GdB6O12: synthesis, crystal structure and luminescent properties activated by Sm3+ // Kristallogr., 2018, v. 233, pp. 411–419. https://doi.org/10.1515/zkri-2017-2101 Dan Zhao, Fa-Xue Ma, Rui-Juan Zhang, Wei Wei, Juan Yang, Ying-Jie Li. A new rare-earth borate K3LuB6O12: crystal and electronic structure, and luminescent properties activated by Eu3+ // Mater Sci: Mater Electron., 2017, pp. 1–9. https://doi.org/10.1007/s10854-016-5501-6 Atuchin V. V., Subanakov A. K., Aleksandrovsky A. S., Bazarov B. G., Bazarova J. G., Dorzhieva S. G.,
{"title":"Синтез и характеризация нового двойного бората рубидия–гольмия Rb3HoB6O12","authors":"Alexey K. Subanakov, Evgeniy V. Kovtunets, Sampil Zh. Choydonov, Sesegma G. Dorzhieva, B. G. Bazarov","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/765","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/765","url":null,"abstract":"Методом цитратной золь-гель технологии получен новый двойной борат рубидия–гольмия состава Rb3HoB6O12. Соединение кристаллизуется в тригональной сингонии (пр. гр. R32, a = 13.4038(7), с = 30.315(2) Å, V = 4716.76 Å3) и плавится инконгруэнтно при 818 °С. Попытки получить в однофазном состоянии Rb3HoB6O12 методом твердофазных реакций не привели к положительному результату \u0000 \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Wu C., Yang G., Humphrey M.G., Zhang C. Recent advances in ultraviolet and deep-ultraviolet secondorder nonlinear optical crystals // Chem. Rev., 2018, v. 375, pp. 1–30. https://doi.org/10.1016/j.ccr.2018.02.017 \u0000Bubnova R., Volkov S., Albert B., Filatov S. Borates – crystal structures of prospective nonlinear optical materials: high anisotropy of the thermal expansion caused by anharmonic atomic vibrations // Crystals, 2017, v. 7, pp.1–32. DOI: 10.3390/cryst7030093 \u0000Becker P. Borate materials in nonlinear optics // Mater., 1998, v. 10, pp. 979–992. https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-4095(199809)10:13<979::AIDADMA979>3.0.CO;2-N \u0000Chen C., Li R. The anionic group theory of the nonlinear optical effect and its applications in the development of new high-quality NLO crystals in the borate series // Rev. Phys. Chem., 1988, v. 8, pp. 65–91. https://doi.org/10.1080/01442358909353223 \u0000Chen C., Wu Y., Jiang A., Wu B., You G., Li R., Lin S. New nonlinear-optical crystal: LiB3O5 // Opt. Soc. Am. B: Opt. Phys., 1989, v. 6, pp. 616–621. https://doi.org/10.1364/JOSAB.6.000616 \u0000French R. H., Ling J. W., Ohuchi F. S., Chen C. T. Electronic structure of b-BaB2O4 and LiB3O5 nonlinear optical crystals // Rev. B: Condens. Matter, 1991, v. 44, pp. 8496–8502. https://doi.org/10.1103/Phys-RevB.44.8496 \u0000Yusuke Mori, Ikio Kuroda, Satoshi Nakajima, Takamoto Sasaki, Sadao Nakai. New nonlinear optical crystal: Cesium lithium borate // Phys. Lett., 1995, v. 67, pp. 1818–1820. https://doi.org/10.1063/1.115413 \u0000Haohai Yu, Zhongben Pan, Huaijin Zhang, Jiyang Wang. Recent advances in self-frequency-doubling crystals // Materiomics, 2016, v. 2, pp. 55–65. https://doi.org/10.1016/j.jmat.2015.12.001 \u0000Bajor A.L., Kisielewski J., Klos A., Kopzyński K., Lukasiewicz T., Mierczyk J., Mlyńczak J. Assessment of gadolinium calcium oxoborate (GdCOB) for laser applications // Opto-electronics Review, 2011, v. 19, pp. 439–448. https://doi.org/10.2478/s11772-011-0042-2 \u0000Dan Zhao, Cong-Kui Nie, Ye Tian, Bao-Zhong Liu, Yun-Chang Fan, Ji Zhao. A new luminescent host material K3GdB6O12: synthesis, crystal structure and luminescent properties activated by Sm3+ // Kristallogr., 2018, v. 233, pp. 411–419. https://doi.org/10.1515/zkri-2017-2101 \u0000Dan Zhao, Fa-Xue Ma, Rui-Juan Zhang, Wei Wei, Juan Yang, Ying-Jie Li. A new rare-earth borate K3LuB6O12: crystal and electronic structure, and luminescent properties activated by Eu3+ // Mater Sci: Mater Electron., 2017, pp. 1–9. https://doi.org/10.1007/s10854-016-5501-6 \u0000Atuchin V. V., Subanakov A. K., Aleksandrovsky A. S., Bazarov B. G., Bazarova J. G., Dorzhieva S. G.,","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"10 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-14","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"89604035","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2019-06-14DOI: 10.17308/KCMF.2019.21/762
V. N. Semenov, A. V. Naumov, T. V. Samofalova, Nadezhda M. Ovechkina
Представлены результаты исследования пленок сульфидов кадмия и свинца, осажденных методом пиролиза аэрозоля из водных растворов тиомочевинно-тиосульфатных координационных соединений при температуре 400 °С. Исследование ТТКС показало, что в водных растворах, содержащих нитрат кадмия, тиосульфат натрия и тиомочевину с разными молярными соотношениями компонентов, образуются координационные соединения [Cd(SCN2H4)2(bi-S2O3)], а в соответ ствующих по составу растворах нитрата свинца формируются комплексы [Pb(SCN2H4)(bi-S2O3)(H2O)]. Методом инфракрасной спектроскопии установлено, что при образовании смешанных ТТКС свинца, а также кадмия, осуществляется монодентатная координация тиомочевины к катиону металла через атом серы, а тиосульфат-ион координируется бидентатно через серу и кислород. С помощью рентгенофазового анализа установлено, что независимо от соотношения компонентов в исходномрастворе пленки сульфида кадмия кристаллизуются в модификации вюртцита, а пленки сульфида свинца – в кубической структуре. Определена оптическая ширина запрещенной зоны синтезированных пленок, составляющая 2.4±0.01 эВ для сульфида кадмия и 0.50–0.56 эВ для сульфида свинца REFERENCES Semenov V. N., Naumov A. V. Protsessy napravlennogo sinteza plenok sul’fidov metallov iz tiokarbamidnykh koordinatsionnykh soedineniy [Processes of the directed synthesis of metal sulfi de fi lms from thiocarbamide coordination compounds]. Proceedings of Voronezh State University. Series: Chemistry. Biology. Pharmacy, 2000, no. 2, pp. 50–55. (in Russ.) Semenov V. N., Naumov A. V. Thermal decomposition of cadmium thiourea coordination compounds. Russian Journal of General Chemistry, 2001, v. 71(4), pp. 495–499. https://doi.org/10.1023/A:1012306512566 Tuhtaev R. K., Boldyrev, V. V., Gavrilov A. I., Larionov S. V., Mjachina L. I., Savel’eva Z. A. Sintez sul’fi dov metallov iz serosoderzhashchikh kompleksnykh soedineniy metodom samorasprostranyayushchegosya goreniya [Synthesis of metal sulfi des from sulfur-containing complex compounds by self-propagating combustion]. Inorganic Materials, 2002, v. 38(10), pp. 1173–1180. (in Russ.) Markov V. F., Maskaeva L. N., Ivanov P. N. Gidrohimicheskoe osazhdenie plenok sul’fi dov metallov: modelirovanie i jeksperiment [Hydrochemical deposition of metal sulfi de fi lms: modeling and experiment]. Ekaterinburg, Ural Branch of the Russian Academy of Sciences Publ., 2006, 217 p. (in Russ.) Semenov V. N., Vlasenko N. V. Protsessy kompleksoobrazovaniya v sistemakh tiomochevina – kadmieva sol’ kislorodsoderzhashchey kisloty [Complexation processes in the systems of thiourea – cadmium salt of oxygen-containing acid]. Russian Journal of Inorganic Chemistry, v. 37(4), pp. 929–933. (in Russ.) Ugaj Ja. A., Semenov V. N., Averbah E. M., Shamsheeva I. L. Issledovanie vzaimodeystviya soley kadmiya s tiomochevinnoy pri poluchenii plenok sul’fi da kadmiya [Investigation of the interaction of cadmium salts with thiourea in the preparation of cadmium sulfi de fi
介绍研究结果录像带硫化镉、铅沉淀方法从水溶液тиомочевин热解气溶胶тиосульфатн协调联合温度400°c。tx研究表明，含有硝酸盐镉、硫酸钠和硫酸钠的溶液中存在协调化合物(Cd(scn2h3)2(bi-S2O3)，而硝酸盐溶液中的反应则形成(Pb(scn2h3)(H2O)。红外光谱学表明，在tx铅和镉的混合作用下，通过硫原子和硫硫酸盐离子，通过硫硫酸盐离子在二极管和氧中进行单调的硫酸盐与金属的协调。x射线分析表明，不管硫化物镉原材料的成分与硫化物镉原材料的比例如何，硫化物铅薄膜在立方结构中结晶。确定光学宽磁带禁区合成,0.5 ev为2.4±0.01为硫化镉和ev - 0.56对于铅硫化物参照”Semenov v N, Naumov a . v . Protsessy napravlennogo sinteza plenok sul 'fidov metallov iz tiokarbamidnykh koordinatsionnykh soedineniy [Processes of the定向synthesis of metal sulfi de fi lms from thiocarbamide coordination compounds)。Voronezh州立大学的项目。Series: Chemistry》。生物学。2000年，没有。2 pp 50 - 55(in Russ。)Semenov V. N, Naumov A. V. Thermal解构卡德米诺的命令。俄罗斯通用化学杂志，2001年，v71 (4)， pp, 495 - 499。https://doi.org/10.1023/A: 1012306512566 Tuhtaev r . K, Boldyrev V V。Gavrilov a . I, Larionov s . V。,Mjachina l I。Savel 'eva z a . Sintez sul 'fi dov metallov iz serosoderzhashchikh kompleksnykh soedineniy metodom samorasprostranyayushchegosya goreniya [Synthesis of metal sulfi des from硫磺- containing综合体compounds by self - propagating combustion)。组织物质，2002年，v38 (10)， pp, 1173 - 1180。(in Russ。)Markov V. F, Maskaeva L. N, Ivanov P. N, Ivanov p。俄罗斯科学学院公共学院的Ural Branch。2006年，217个p。Semenov v . N, Vlasenko v . sistemakh v . tiomochevina - kadmieva sodmieva在thiourea系统中。俄罗斯化学杂志，v37 (4)， pp, 929 - 933。(in Russ。)Ugaj Ja。A, Semenov V. N, aversheeva M, Shamsheeva i。1988年，v61 (11)， pp, 2409 - 2414。(in Russ。)Egorov nr . B, Larionov A. M, Usov V. svintsa pri nagrevanii。2010年，v317 (3)， pp, 99 - 102。(in Russ。)Egorov N. B.， Usov V. F.， Fiterer I. P, Eremin L. P。三头蛇头紧紧的紧紧的。俄罗斯化学杂志，2008年，v53 (1)， pp, 117 - 122。https://doi.org/10.1134/S0036023608010166檫Diffraction文件。Swarthmore: 1996年的联合委员会。10. Uhanov Ju。我是Opticheskie svojstva poluprovodnikov，莫斯科，Nauka Publ。1977年367年Uhanov Ju。我是Opticheskie svojstva poluprovodnikov，莫斯科，Nauka Publ。1977年367年Ravich Ju。我是Efi mova B. A.， Smirnov I. A。莫斯科，Nauka Publ。1968年384年Haritonov Ju。Ja。俄罗斯化学杂志，1971年，v16 (2)， pp, 572 - 573。(in Russ。)Haritonov Ju。Ja。俄罗斯化学杂志，1974年，v19 (8)， pp, 2166 - 2177。(in Russ。)Freedman A. N, Straughan B. P. Vibrational spectra和一些thiosulphate complex。Acta, 1971年，v27a, pp, 1455 - 1465。https://doi.org/10.1016/0584-8539 (71) 80095 - 8 Nakamoto k红外and圣何塞曼of inorganic and coordination compounds。约翰·威利和儿子，1986年。245个p, Babichev A. p, Babushkina N. A。莫斯科，jengoatomizdat Publ。1991年1231年Samsonov v.g, Drozdova S. V。
{"title":"Осаждение слоев сульфидов кадмия и свинца из тиосульфатно-тиомочевинных комплексов и исследование их свойств","authors":"V. N. Semenov, A. V. Naumov, T. V. Samofalova, Nadezhda M. Ovechkina","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/762","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/762","url":null,"abstract":"Представлены результаты исследования пленок сульфидов кадмия и свинца, осажденных методом пиролиза аэрозоля из водных растворов тиомочевинно-тиосульфатных координационных соединений при температуре 400 °С. Исследование ТТКС показало, что в водных растворах, содержащих нитрат кадмия, тиосульфат натрия и тиомочевину с разными молярными соотношениями компонентов, образуются координационные соединения [Cd(SCN2H4)2(bi-S2O3)], а в соответ ствующих по составу растворах нитрата свинца формируются комплексы [Pb(SCN2H4)(bi-S2O3)(H2O)]. Методом инфракрасной спектроскопии установлено, что при образовании смешанных ТТКС свинца, а также кадмия, осуществляется монодентатная координация тиомочевины к катиону металла через атом серы, а тиосульфат-ион координируется бидентатно через серу и кислород. С помощью рентгенофазового анализа установлено, что независимо от соотношения компонентов в исходномрастворе пленки сульфида кадмия кристаллизуются в модификации вюртцита, а пленки сульфида свинца – в кубической структуре. Определена оптическая ширина запрещенной зоны синтезированных пленок, составляющая 2.4±0.01 эВ для сульфида кадмия и 0.50–0.56 эВ для сульфида свинца \u0000 \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Semenov V. N., Naumov A. V. Protsessy napravlennogo sinteza plenok sul’fidov metallov iz tiokarbamidnykh koordinatsionnykh soedineniy [Processes of the directed synthesis of metal sulfi de fi lms from thiocarbamide coordination compounds]. Proceedings of Voronezh State University. Series: Chemistry. Biology. Pharmacy, 2000, no. 2, pp. 50–55. (in Russ.) \u0000Semenov V. N., Naumov A. V. Thermal decomposition of cadmium thiourea coordination compounds. Russian Journal of General Chemistry, 2001, v. 71(4), pp. 495–499. https://doi.org/10.1023/A:1012306512566 \u0000Tuhtaev R. K., Boldyrev, V. V., Gavrilov A. I., Larionov S. V., Mjachina L. I., Savel’eva Z. A. Sintez sul’fi dov metallov iz serosoderzhashchikh kompleksnykh soedineniy metodom samorasprostranyayushchegosya goreniya [Synthesis of metal sulfi des from sulfur-containing complex compounds by self-propagating combustion]. Inorganic Materials, 2002, v. 38(10), pp. 1173–1180. (in Russ.) \u0000Markov V. F., Maskaeva L. N., Ivanov P. N. Gidrohimicheskoe osazhdenie plenok sul’fi dov metallov: modelirovanie i jeksperiment [Hydrochemical deposition of metal sulfi de fi lms: modeling and experiment]. Ekaterinburg, Ural Branch of the Russian Academy of Sciences Publ., 2006, 217 p. (in Russ.) \u0000Semenov V. N., Vlasenko N. V. Protsessy kompleksoobrazovaniya v sistemakh tiomochevina – kadmieva sol’ kislorodsoderzhashchey kisloty [Complexation processes in the systems of thiourea – cadmium salt of oxygen-containing acid]. Russian Journal of Inorganic Chemistry, v. 37(4), pp. 929–933. (in Russ.) \u0000Ugaj Ja. A., Semenov V. N., Averbah E. M., Shamsheeva I. L. Issledovanie vzaimodeystviya soley kadmiya s tiomochevinnoy pri poluchenii plenok sul’fi da kadmiya [Investigation of the interaction of cadmium salts with thiourea in the preparation of cadmium sulfi de fi ","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"90 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-14","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"72583008","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2019-06-14DOI: 10.17308/KCMF.2019.21/766
Tatiana P. Sushkova, Aleksandra V. Sheveljuhina, G. V. Semenova, Elena Yu. Proskurina
Проведено исследование фазовых равновесий в тройной системе Sn–As–P в области высокой концентрации летучих компонентов. Методами рентгенофазового и дифференциального термического анализа изучены сплавы политермического разреза SnAs–P. Показано, что растворимость фосфора в моноарсениде олова в направлении этого разреза менее 0.05 мол.д. фосфора. Построена Т-х диаграмма политермического сечения SnAs–Р. Наличие на Т-х диаграмме горизонтали при температуре 827±2 К соответствует реализации в системе Sn–As–P нонвариантного перитектического равновесия L + (d) ↔ b + g , где (d), b и g – трехкомпонентные твердые растворы на основе As1-xPx, SnAs и SnP3 соответственно REFERENCES Zhang W., Mao J., Li S., Chen Z., Guo Z. Phosphorus-Based Alloy Materials for Advanced Potassium-Ion Battery Anode // Am. Chem. Soc., 2017, v. 139(9), pp. 3316–3319. https://doi.org/10.1021/jacs.6b12185 Liu S., Zhang H., Xu L., Ma L., Chen X. Solvothermal preparation of tin phosphide as a long-life anode for advanced lithium and sodium ion batteries // of Power Sources, 2016, v. 304, pp. 346–353. https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2015.11.056 Zhang W., Pang W., Sencadas V., Guo Z. Understanding High-Energy-Density Sn4P3 Anodes for Potassium-Ion Batteries // Joule, 2018, v. 2(8), pp. 1534–1547. https://doi.org/10.1016/j.joule.2018.04022 Lan D., Wang W., Shi L., Huang Y., Hu L., Li Q. Phase pure Sn4P3 nanotops by solution-liquid-solid growth for anode application in sodium ion batteries // Mater. Chem. A, 2017, v. 5, pp. 5791–5796. https://doi.org/10.1039/C6TA10685D Mogensen R., Maibach J., Naylor A. J., Younesi R. Capacity fading mechanism of tin phosphide anodes in sodium-ion batteries // Dalton Trans., 2018, v. 47, pp. 10752–10758. https://doi.org/10.1039/c8dt01068d Kamali A. R., Fray D. J. Tin-based materials as advanced anode materials for lithium ion batteries: a review // Adv. Mater. Sci., 2011, v. 27, pp. 14–24. URL: http://194.226.210.10/e-journals/RAMS/no12711/kamali.pdf Kovnir K. A., Kolen’ko Y. V., Baranov A. I., Neira I. S., Sobolev A. V., Yoshimura M., Presniakov I. A., Shevelkov A. V. Sn4As3 revisited: Solvothermal synthesis and crystal and electronic structure // Journal of Solid State Chemistry, 2009, v. 182(5), pp. 630–639. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2008.12.007 Semenova G. V., Kononova E. Yu., Sushkova T. P. Polythermal section Sn4P3 – Sn4As3 // Russian J. of Inorganic Chemistry, 2013, v. 58 (9), pp. 1242–1245. https://doi.org/10.7868/S0044457X13090201 Sushkova T. P, Semenova G. V., Naumov A. V., Proskurina E. Yu. Solid solutions in the system Sn-As-P // Bulletin of VSU. Series: Chemistry. Biology. Pharmacy, 2017, v. 3, pp. 30–36. URL: http://www. vestnik.vsu.ru/pdf/chembio/2017/03/2017-03-05.pdf Semenova G. V., Sushkova T. P, Tarasova L. A., Proskurina E. Yu. Phase equilibria in a Sn-As-P system with a tin concentration less than 50 mol. % // Condensed Matter and Interphases, 2017, v. 19(3), pp. 408–416. https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/
在Sn - As - P三重系统中进行了一项关于高挥发元件浓度的相平衡研究。x射线和微分热分析分析了SnAs - P多热切口的合金。在锡的单链中，磷的溶解度小于0.05兆。磷。它创建了SnAs - r的多热截面t - x图。化学赞。Soc。2017年，v139 (9)， pp, 3316 - 3319。https://doi.org/10.1021/jacs.6b12185 (S, Zhang H。许志永Ma L。L。Chen x Solvothermal preparation of tin phosphide as a long - life anode for advanced锂and市场ion batteries / 2016 / of Power字段304,v . pp - 346 - 353。https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2015.11.056 Zhang W, W, Pang。Sencadas V, Guo z Understanding High Energy -密度Sn4P3 Anodes for Potassium - Ion Batteries / / Joule 2018 V . 2 (8), pp 1534 - 1547。https://doi.org/10.1016/j.joule.2018.04022局域网D。W。Wang, Shi L黄Y。q, Hu L。Li, pure Sn4P3阶段nanotops by solution流质- solid的《for anode应用程序市场离子batteries / in /母校。化学赞。A, 2017, v5, pp, 5791, 5796。https://doi.org/10.1039/C6TA10685D Mogensen R, Naylor Maibach J·a·J。tin phosphide, Younesi R .衰落的机制最终of anodes in ion batteries /市场/博Trans。2018年，v47, pp, 10752 - 10758。https://doi.org/10.1039/c8dt01068d Kamali a . R . Fray d . j .基于Tin的材料as for advanced anode材料锂离子batteries: a review) / / Adv.母校。Sci。2011年，v27, pp, 14 - 24。URL: http://194.226.210.10/e-journals/RAMS/no12711/kamali.pdf Kovnir k A。Kolen 'ko y V Baranov A . I。,Neira一世S。A Sobolev V、Yoshimura M Presniakov一世A。A Shevelkov V . Sn4As3重访:Solvothermal synthesis and crystal and electronic结构/ / Journal of Solid State V . 182 Chemistry》,2009 (5)pp - 630 - 639。Kononova e . Yu https://doi.org/10.1016/j.jssc.2008.12.007 Semenova g . V。Sushkova T. P. P. Polythermal部分- Sn4P3 - Sn4As3 /俄罗斯化学，2013年，v58(9)， 1242 - 1245。https://doi.org/10.7868/S0044457X13090201 Sushkova t P Naumov Semenova g . V。a . V, Proskurina e . Yu。Sn-As-P // Bulletin VSU系统中的解决方案。Series: Chemistry》。生物学。Pharmacy, 2017, v3, pp, 30 - 36。URL ciencia。vestnik.vsu.ru / pdf / chembio 2017/03/2017 - 03 - 05.pdf Semenova g . V。Sushkova t P, e Tarasova l . A ., Proskurina Yu。在一个Sn-As-P系统中，有一个超过50个mol的步骤。https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/218 Semenova g . V Sushkova t P。,Yakunin Zinchenko e N。s . V . Solubility tin monoarsenide / /由来已久Matter of phosphorus in and Interphases 2018, 20(4节),pp 644 - 649。https://doi.org/10.17308/kcmf.2018.20/639 Semenova g Goncharov V。e . g . Solid Solutions Involving《the Fifth Group元素。莫斯科，MFTI公共。2000年，160个pOkamoto H.第二版，binary alloys。物质公园，哦。: ASM International, 2010 810 URL: https://www.asminternational先生。奥格/.. pdfr . c36e66e66e66e66e666e666e666e662e662e662e662e662e662d Shirotani, Shimomura的，Shimomura的，Shimomura的，Shimomura的，Shimomura的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的，她的。https://doi.org/10.1016/0921-4526 (93) 90462 F Arita M,联合推出k (exposition of steam pressure of Sn - P alloys phosphorus over by dew point method / / Jpn。Inst Met。1985年，v26 (4)， pp 242 - 250。https://doi.org/10.2320/matertrans1960.26.242 Zavrazhnov a . Yu。Semenova g V, Proskurina e Yu。Sn的Sushkova T. P.阶段是P系统//和Calorimetry, 2018年，v134(1)， 475 - 481。https://doi.orgh/10.1007/s10973-018-7123-0 Gokcen n . a . The As - Sn (Arsenic Tin) system / / Bulletin of alloy图
{"title":"Политермический разрез SnAs–P тройной системы Sn–As–P","authors":"Tatiana P. Sushkova, Aleksandra V. Sheveljuhina, G. V. Semenova, Elena Yu. Proskurina","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/766","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/766","url":null,"abstract":"Проведено исследование фазовых равновесий в тройной системе Sn–As–P в области высокой концентрации летучих компонентов. Методами рентгенофазового и дифференциального термического анализа изучены сплавы политермического разреза SnAs–P. Показано, что растворимость фосфора в моноарсениде олова в направлении этого разреза менее 0.05 мол.д. фосфора. Построена Т-х диаграмма политермического сечения SnAs–Р. Наличие на Т-х диаграмме горизонтали при температуре 827±2 К соответствует реализации в системе Sn–As–P нонвариантного перитектического равновесия L + (d) ↔ b + g , где (d), b и g – трехкомпонентные твердые растворы на основе As1-xPx, SnAs и SnP3 соответственно \u0000 \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Zhang W., Mao J., Li S., Chen Z., Guo Z. Phosphorus-Based Alloy Materials for Advanced Potassium-Ion Battery Anode // Am. Chem. Soc., 2017, v. 139(9), pp. 3316–3319. https://doi.org/10.1021/jacs.6b12185 \u0000Liu S., Zhang H., Xu L., Ma L., Chen X. Solvothermal preparation of tin phosphide as a long-life anode for advanced lithium and sodium ion batteries // of Power Sources, 2016, v. 304, pp. 346–353. https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2015.11.056 \u0000Zhang W., Pang W., Sencadas V., Guo Z. Understanding High-Energy-Density Sn4P3 Anodes for Potassium-Ion Batteries // Joule, 2018, v. 2(8), pp. 1534–1547. https://doi.org/10.1016/j.joule.2018.04022 \u0000Lan D., Wang W., Shi L., Huang Y., Hu L., Li Q. Phase pure Sn4P3 nanotops by solution-liquid-solid growth for anode application in sodium ion batteries // Mater. Chem. A, 2017, v. 5, pp. 5791–5796. https://doi.org/10.1039/C6TA10685D \u0000Mogensen R., Maibach J., Naylor A. J., Younesi R. Capacity fading mechanism of tin phosphide anodes in sodium-ion batteries // Dalton Trans., 2018, v. 47, pp. 10752–10758. https://doi.org/10.1039/c8dt01068d \u0000Kamali A. R., Fray D. J. Tin-based materials as advanced anode materials for lithium ion batteries: a review // Adv. Mater. Sci., 2011, v. 27, pp. 14–24. URL: http://194.226.210.10/e-journals/RAMS/no12711/kamali.pdf \u0000Kovnir K. A., Kolen’ko Y. V., Baranov A. I., Neira I. S., Sobolev A. V., Yoshimura M., Presniakov I. A., Shevelkov A. V. Sn4As3 revisited: Solvothermal synthesis and crystal and electronic structure // Journal of Solid State Chemistry, 2009, v. 182(5), pp. 630–639. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2008.12.007 \u0000Semenova G. V., Kononova E. Yu., Sushkova T. P. Polythermal section Sn4P3 – Sn4As3 // Russian J. of Inorganic Chemistry, 2013, v. 58 (9), pp. 1242–1245. https://doi.org/10.7868/S0044457X13090201 \u0000Sushkova T. P, Semenova G. V., Naumov A. V., Proskurina E. Yu. Solid solutions in the system Sn-As-P // Bulletin of VSU. Series: Chemistry. Biology. Pharmacy, 2017, v. 3, pp. 30–36. URL: http://www. vestnik.vsu.ru/pdf/chembio/2017/03/2017-03-05.pdf \u0000Semenova G. V., Sushkova T. P, Tarasova L. A., Proskurina E. Yu. Phase equilibria in a Sn-As-P system with a tin concentration less than 50 mol. % // Condensed Matter and Interphases, 2017, v. 19(3), pp. 408–416. https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"69 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-14","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"81462985","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2019-06-14DOI: 10.17308/KCMF.2019.21/763
G. V. Semenova, T. Leont’eva, Tat’yana P. Sushkova
На основании анализа характера фазовых равновесий в двойных системах, ограняющих диаграмму состояний тройной системы Ge – P – Sn, предложены теоретически возможные схемы ее фазового субсолидусного разграничения. Исследование методом рентгенофазового анализа образцов, принадлежащих политермическим сечениям Sn4P3-Ge, Sn4P3-GeP, показало, что разделение трехкомпонентной диаграммы состояния ниже солидуса осуществляется с помощью сечений Sn4P3-Ge, Sn4P3 -GeP и SnP3-GeP. Построенная по данным дифференциального термического анализа фазовая диаграмма сечения Sn4P3-Ge представляет диаграмму эвтектического типа с координатами эвтектической точки 800 К, 15 mol % Ge. REFERENCES Castellanos-Gomez A. Why all the fuss about 2D semiconductors? Nature Photonics, 2016, v. 10, pp. 202-204. https://doi.org/10.1038/nphoton.2016.53 Hasan M. Z., Kane C. L. Colloquium: Topological insulators. Mod. Phys., 2010, v. 82, pp. 3045–3067. https://doi.org/10.1103/revmodphys.82.3045 Piot P., Behrens C., Gerth C., Dohlus M., Lemery F., Mihalcea D., Stoltz P., Vogt M. Erratum: Generation and Characterization of Electron Bunches with Ramped Current Profi les in a Dual-Frequency Superconducting Linear Accelerator. Rev. Lett., 2012, v. 108, pp. 1–5. https://doi.org/10.1103/physrevlett.108.229902 Dávila M. E., Xian L, Cahangirov S., Rubio A., Le Lay G. Germanene: a novel two-dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene . New J. Phys., 2014, v. 16, pp. 095002. https://doi.org/10.1088/1367-2630/16/9/095002 Lalmi B., Oughaddou H., Enriquez H., Kara A., Vizzini S., Ealet B., Aufray B. Epitaxial growth of a silicene sheet. Phys. Lett., 2010, v. 97, pp. 223109. https://doi.org/10.1063/1.3524215 Kara H., Enriquez H., Seitsonen Ari P., Lew Yan Voon L.C., Vizzini S., Aufray B., Oughaddou H. Corrigendum to “A review on silicene – New candidate for electronics”. Sci. Rep., 2012, v. 67, pp. 1–18. https://doi.org/10.1016/j.surfrep.2012.01.001 Barreteau C, Michon B, Besnard C, Giannini E. High-pressure melt growth and transport properties of SiP, SiAs, GeP, and GeAs 2D layered semiconductors. Cryst Growth., 2016, v. 443, pp. 75–80. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.03.019 Ugai Ya. A., Sokolov L.I., Goncharov E.G. P-T-X diagramma sostoyaniya sistemy GeP i termodinamika vzaimodeystviya komponentov [P-T-X GeP system state diagram and thermodynamics of componentinteraction] // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 1978, v. 23(7), рр. 1907–1911. (in Russ.) Lee K., Synnestvedt S., Bellard M., Kovnir K. GeP and (Ge1−Sn )(P1−Ge ) (x≈0.12, y≈0.05): Synthesis, structure, and properties of two-dimensional layered tetrel phosphides. Solid State Chem., 2015, v. 224, pp. 62–70. https://doi.org/10.1016/j. jssc.2014.04.021 Vivian A. C. Inst. Met, 1920, v. 23, pp. 325-336. Zavrazhnov A. Yu., Semenova G. V., Proskurina E. Yu., Sushkova T.P. Phase diagram of the Sn–P system. Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, v. 134(1), pp. 475–481. https://doi.org/10.1007/s10973-018-
基于双系统中相位平衡的性质，切割三重通用P - Sn系统的状态图，提供了理论上可能的分主线电路。由Sn4P3-Ge (Sn4P3-GeP)聚热截面(Sn4P3-GeP)样品的x射线分析表明，在索利德斯下面的三元图是通过Sn4P3-GeP、Sn4P3-GeP和SnP3-GeP分离的。根据微分热分析，Sn4P3-Ge是一种共晶型图，坐标为800 k, 15% mol % Ge。为什么所有的错误都是错误的?自然Photonics, 2016年，v10, pp, 202-204。https://doi.org/10.1038/nphoton.2016.53 Hasan m . Z . Kane c . l . Colloquium: Topological insulators。Mod Phys。2010年，v82, pp, 3045 - 3067。https://doi.org/10.1103/revmodphys.82.3045 Piot P ., C Behrens。Gerth C、Dohlus M。Lemery F, Mihalcea D。,Vogt Stoltz P . M . Erratum: Generation and Characterization of Bunches with Ramped电子感应Profi les in a双Frequency Superconducting线性加速器。Rev. Lett。2012年，v108, pp, 1 - 5。https://doi.org/10.1103/physrevlett.108.229902 Davila m . E .西安L Cahangirov S Rubio A。g, Le Lay Germanene: A novel two - dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene。新J. Phys。2014年，v16, pp, 095002。B https://doi.org/10.1088/1367-2630/16/9/095002 Lalmi Oughaddou H, H。卡拉A Enriquez。Vizzini S。B, B Ealet Aufray Epitaxial《of A silicene sheet。Phys。Lett。2010年，v97, pp, 223109。H, H。Enriquez Seitsonen https://doi.org/10.1063/1.3524215 Kara Ari P, grade Yan Voon . Vizzini S。Aufray B, Oughaddou H . Corrigendum to A review on " silicene New candidate for electronics。”Sci。说唱，2012年，v67, pp, 1 - 18。https://doi.org/10.1016/j.surfrep.2012.01.001 Barreteau C、B Michon, Besnard C、e Giannini High pressure(《melt增长and transport of SiP SiAs GeP, and GeAs 2D layered电子。《Cryst增长。2016年，v443, pp, 75 - 80。https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.03.019 Ugai Ya。A.， Sokolov L.I, Goncharov E.G. P . P-T-X siagramma。1907 - 1911。(in Russ。)李·K，贝纳德·S, Kovnir kn和(x .12, y。固体化学。2015年，v224, pp, 62 - 70。https://doi.org/10.1016/j。jssc.204.021 Vivian A. C. Inst, 1920年，v23, pp。Zavrazhnov A. YuSemenova g V, Proskurina e Yu。Sushkova T.P. Phase是Sn系统中的一个函数。Thermal Analysis和Calorimetry, 2018年，v134 (1)， pp, 475 - 481。https://doi.org/10.1007/s10973-018-7123-0 Olesinski r . W。Abbaschian g . j . The Ge−Sn (Germanium−Tin)系统。1984年，v5 (3)， pp, 265 - 271。https://doi.org/10.1007/bf02868550 Glazov v . M . l . M . Khimicheskaya culinary termodinamika i fazovyye ravnovesiya (Chemical thermodynamics and equilibria阶段)。莫斯科，Metallurgiya Publ, 1988年，560 p。Emsley J. elements:第二版。牛津大学出版社，牛津大学，1991年。阿丽塔·m·Kamo·k，《Phosphorus Sn》是《Dew Point Method》中的P。Jpn。Inst. Met, 1985年，v26 (4)， pp, 242 - 250。https://doi.org/10.2320/matertrans1960.26.242
{"title":"Анализ фазовых равновесий в тройной системе Ge–P–Sn","authors":"G. V. Semenova, T. Leont’eva, Tat’yana P. Sushkova","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/763","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/763","url":null,"abstract":"На основании анализа характера фазовых равновесий в двойных системах, ограняющих диаграмму состояний тройной системы Ge – P – Sn, предложены теоретически возможные схемы ее фазового субсолидусного разграничения. Исследование методом рентгенофазового анализа образцов, принадлежащих политермическим сечениям Sn4P3-Ge, Sn4P3-GeP, показало, что разделение трехкомпонентной диаграммы состояния ниже солидуса осуществляется с помощью сечений Sn4P3-Ge, Sn4P3 -GeP и SnP3-GeP. Построенная по данным дифференциального термического анализа фазовая диаграмма сечения Sn4P3-Ge представляет диаграмму эвтектического типа с координатами эвтектической точки 800 К, 15 mol % Ge. \u0000 \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Castellanos-Gomez A. Why all the fuss about 2D semiconductors? Nature Photonics, 2016, v. 10, pp. 202-204. https://doi.org/10.1038/nphoton.2016.53 \u0000Hasan M. Z., Kane C. L. Colloquium: Topological insulators. Mod. Phys., 2010, v. 82, pp. 3045–3067. https://doi.org/10.1103/revmodphys.82.3045 \u0000Piot P., Behrens C., Gerth C., Dohlus M., Lemery F., Mihalcea D., Stoltz P., Vogt M. Erratum: Generation and Characterization of Electron Bunches with Ramped Current Profi les in a Dual-Frequency Superconducting Linear Accelerator. Rev. Lett., 2012, v. 108, pp. 1–5. https://doi.org/10.1103/physrevlett.108.229902 \u0000Dávila M. E., Xian L, Cahangirov S., Rubio A., Le Lay G. Germanene: a novel two-dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene . New J. Phys., 2014, v. 16, pp. 095002. https://doi.org/10.1088/1367-2630/16/9/095002 \u0000Lalmi B., Oughaddou H., Enriquez H., Kara A., Vizzini S., Ealet B., Aufray B. Epitaxial growth of a silicene sheet. Phys. Lett., 2010, v. 97, pp. 223109. https://doi.org/10.1063/1.3524215 \u0000Kara H., Enriquez H., Seitsonen Ari P., Lew Yan Voon L.C., Vizzini S., Aufray B., Oughaddou H. Corrigendum to “A review on silicene – New candidate for electronics”. Sci. Rep., 2012, v. 67, pp. 1–18. https://doi.org/10.1016/j.surfrep.2012.01.001 \u0000Barreteau C, Michon B, Besnard C, Giannini E. High-pressure melt growth and transport properties of SiP, SiAs, GeP, and GeAs 2D layered semiconductors. Cryst Growth., 2016, v. 443, pp. 75–80. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.03.019 \u0000Ugai Ya. A., Sokolov L.I., Goncharov E.G. P-T-X diagramma sostoyaniya sistemy GeP i termodinamika vzaimodeystviya komponentov [P-T-X GeP system state diagram and thermodynamics of componentinteraction] // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 1978, v. 23(7), рр. 1907–1911. (in Russ.) \u0000Lee K., Synnestvedt S., Bellard M., Kovnir K. GeP and (Ge1−Sn )(P1−Ge ) (x≈0.12, y≈0.05): Synthesis, structure, and properties of two-dimensional layered tetrel phosphides. Solid State Chem., 2015, v. 224, pp. 62–70. https://doi.org/10.1016/j. jssc.2014.04.021 \u0000Vivian A. C. Inst. Met, 1920, v. 23, pp. 325-336. \u0000Zavrazhnov A. Yu., Semenova G. V., Proskurina E. Yu., Sushkova T.P. Phase diagram of the Sn–P system. Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, v. 134(1), pp. 475–481. https://doi.org/10.1007/s10973-018-","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"13 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-14","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"75458748","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2019-06-14DOI: 10.17308/kcmf.2019.21/758
L. Kovalenko, V. A. Burmistrov
Методом импедансной спектроскопии исследованы протонпроводящие свойства полисурьмяной кислоты (ПСК), допированной ионами ванадия. Для твердых растворов состава H2Sb2–xVxO6·nH2O, кристаллизующихся в структурном типе пирохлора (пр. гр. симм. Fd3m), показано, что увеличение количества ванадия в образце приводит к росту удельной протонной проводимости, которая для крайнего твердого раствора замещения H2Sb1.52V0.48O6·nH2O составляет 66 мСм/м. Из анализа данных диэлектрической спектроскопии при температурах 218–298 К определена энергия активации проводимости, которая составила 30±2 КДж/моль. Предложен механизм протонного транспорта, согласно которому в допированных ионами ванадия ПСК проводимость осуществляется посистеме водородных связей, образованных молекулами воды, расположенными в гексагональных каналах структуры типа пирохлора, и анионами кислорода октаэдра, формирующего каркас структуры REFERENCES Stenina I. A., Yaroslavtsev A. B. Low- and intermediate-temperature proton-conducting electrolytes. Mater. 2017. v. 53(3), pp. 253–262. https://doi.org/10.1134/S0020168517030104 Ivanchev S. S., Myakin S. V. Polymer membranesfor fuel cells: manufacture, structure, modifi cation, properties. Russian Chemical Reviews, 2010, v. 79(2), pp.101-117. https://doi.org/10.1070/RC2010v079n02ABE H004070 Luo T., Abdu S., Wessling M. Selectivity of ionexchange membranes: A review. Membr. Sci., 2018,v. 555, pp. 429–454. https://doi.org/10.1016/j.memsci.2018.03.051 Fomenkov A. I., Pinus Yu., Peregudov A. S., Zubavichus Ya. V., Yaroslavtsev A. B., Khokhlov A. R. Proton conductivity of poly(arylene ether ketones) with different sulfonation degrees: Improvement via incorporation of nanodisperse zirconium acid phosphate. Polymer Science Series B, 2007, v. 49(7–8), pp. 177-181. https://doi.org/10.1134/S1560090407070032 Prikhno I. A., Ivanova K. A., Don G. M., Yaroslavtsev A.B. Hybrid membranes based on short side chain perfl uorinated sulfonic acid membranes (Inion) and heteropoly acid salts. Mendeleev Commun, 2018, v. 28(6), pp. 657–658. https://doi.org/10.1016/j.mencom.2018. 11.033 Klestchov D., Burmistrov V., Sheinkman A., Pletnev R. Composition and structure of phases formed in the process of hydrated antimony pentoxide thermolysis. Journal of Solid State Chemistry, 1991, v. 94(2), pp. 220–226. https://doi.ors/10.1016/0022-4596(91)90186-L Yaroshenko F. A., Burmistrov V. A. Dielectric relaxation and protonic conductivity of polyantimonic crystalline acid at low temperatures. Russian Journal of Electrochemistry, 2015, v. 51(5), pp. 391–396. https://doi.org/10.1134/S1023193515050195 Yaroshenko F. A., Burmistrov V. A. Proton conductivity of polyantimonic acid studied by impedance spectroscopy in the temperature range 370–480 K. Mater., 2015, v. 51(8), pp. 783–787. https://doi.org/10.1134/S0020168515080208 Shchelkanova M. S., Pantyukhina M. I., Antonov B. D., Kalashnova A. V. Produce new solid electrolytes based on the Li 8–x Zr 1–xVxO6 system. Butl
阻抗光谱学研究了多糖(psk)多糖酸(psk)的质子导线特性。= =固态溶液= = H2Sb2 - xVxO6·nH2O在结构高温氯(pr)中结晶。预热。西米。Fd3m (Fd3m)表明，样品中瓦纳迪的增加导致质子导电性增加，H2Sb1.52V0.48O6的极端固态替代溶液为66 mcm / m。在218 - 298 k温度下的电介质光谱学分析中，确定了电导率激活能量，为30 kj / mol。有一种质子运输机制，将电导率应用于氢键系统，这种电导率是由六氯型结构结构中的水分子和八角形氧分子组成的，形成了对接型结构的结构框架。2017年的母校。v53 (3)， pp, 253 - 262。https://doi.org/10.1134/S0020168517030104 Ivanchev S . S, Myakin S . v . Polymer membranesfor燃油cells: suda,结构,modifi cation(。俄罗斯化学评论，2010年，v79 (2)， pp.101-117。https://doi.org/10.1070/RC2010v079n02ABE H004070 Luo T Abdu S。Wessling m Selectivity of ionexchange membranes: A review。Membr。Sci。2018年,v。555 pp 429 - 454特别是Yu https://doi.org/10.1016/j.memsci.2018.03.051 Fomenkov a . I。佩列古多夫A. S. Zubavichus Ya。五、Yaroslavtsev A. B、Khokhlov A. R. production sulfonation (): nanodisperse zirconium合同工公司。Polymer科学系列B, 2007, v49 (7 - 8)， pp, 177-181。https://doi.org/10.1134/S1560090407070032 Prikhno一世,Ivanova k A、Don g . M, Yaroslavtsev Hybrid membranes a.b基于on short side chain perfl uorinated sulfonic acid membranes (Inion and heteropoly acid salts)。Mendeleev communn, 2018, v28 (6)， pp, 657 - 658。https://doi.org/10.1016/j.mencom.2018。11033 Klestchov D, Burmistrov V, Sheinkman A, Pletnev R. Composition，和形状形状的形状在一个多功能的生物标本thermolysis。1991年，v94 (2)， pp, 220 - 226。https://doi.ors/10.1016/0022-4596 (91) 90186 - L Yaroshenko f . A ., Burmistrov v . A . Dielectric relaxation and protonic电化学of polyantimonic crystalline acid at low temperatures。俄罗斯电子杂志，2015年，v51 (5)， pp, 391 - 396。https://doi.org/10.1134/S1023193515050195 Yaroshenko f . A ., Burmistrov v . A . Proton电化学of polyantimonic acid studied by impedance spectroscopy in the揽胜370 - 4.8 K温度。母校。2015年，v51 (8)， pp, 783 - 787。https://doi.org/10.1134/S0020168515080208 Shchelkanova m S Pantyukhina m I。D。b . Antonov Kalashnova a . v . suaeda torreyana new solid electrolytes基于on the Li 8 - x Zr 1 - xVxO6 system。Butlerov Communications, 2014年，v38 (5)， pp, 96 - 102。URL: https://butlerov.com/stat/reports/details。asp ?朗=标准id=15798 (Russ)。Kovalenko L. Yu。伯米斯特罗维V. A。A.， Kovalev I. N, Galimov D. M.合成器H2Sb2 - xVxO6。Butlerov通信，2018,v55 (8)， pp, 24 - 30。URL: https://butlerov.com/stat/reports/ details.asp ?朗=标准id=30164 (Russ)。Kovalenko L. Yu。伯米斯特罗维V. A.卢平斯卡亚yua。Vliyanie otnosel vlazhnosti na protonnuyu na protonnuykh vanadiya, propirovannami vanadiya。“立体声媒体和跨境材料”(FAGRAN-2018)，俄罗斯国际委员会第八届全俄罗斯实业家，10月8日- 11日，2018年，Voronezh, 524 - 525。URL: https://elibrary.ru/item。asp ? id = 36837531。(in Russ。)malyshina I. A.， Makhaeva E, Gavrilova N. D, Khokhlov A. R.在polymer网络上的低水平分裂。Polymer science。系列A, 2000, v42 (8)， pp, 325 - 328。URL: https://elibrary.ru/item。asp ?id=13345750 klezev D. G. mezovykh pre -taoksida 470 - 730。这是美国科学学院的新闻。组织物质，1987年，v23 (7)， pp, 1173 - 1176。(in Russ。)Armstrong R. D, Dickinson T, Willis P. M. a。Electroanalytical化学赞。接口电子，1974年，v53 (3)， pp, 389。https://doi.org/10.1016/S0022-0728 (74) 80077 - X I, Kozaderova Niftaliev s . o . A ., Kim k B Matchin k . s . Research of感应传输process in the system heterogeneous ion exchange membrane——硝酸盐ammoni
{"title":"Диэлектрическая релаксация и протонная проводимость полисурьмяной кислоты, допированной ионами ванадия","authors":"L. Kovalenko, V. A. Burmistrov","doi":"10.17308/kcmf.2019.21/758","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/kcmf.2019.21/758","url":null,"abstract":"Методом импедансной спектроскопии исследованы протонпроводящие свойства полисурьмяной кислоты (ПСК), допированной ионами ванадия. Для твердых растворов состава H2Sb2–xVxO6·nH2O, кристаллизующихся в структурном типе пирохлора (пр. гр. симм. Fd3m), показано, что увеличение количества ванадия в образце приводит к росту удельной протонной проводимости, которая для крайнего твердого раствора замещения H2Sb1.52V0.48O6·nH2O составляет 66 мСм/м. Из анализа данных диэлектрической спектроскопии при температурах 218–298 К определена энергия активации проводимости, которая составила 30±2 КДж/моль. Предложен механизм протонного транспорта, согласно которому в допированных ионами ванадия ПСК проводимость осуществляется посистеме водородных связей, образованных молекулами воды, расположенными в гексагональных каналах структуры типа пирохлора, и анионами кислорода октаэдра, формирующего каркас структуры \u0000 \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Stenina I. A., Yaroslavtsev A. B. Low- and intermediate-temperature proton-conducting electrolytes. Mater. 2017. v. 53(3), pp. 253–262. https://doi.org/10.1134/S0020168517030104 \u0000Ivanchev S. S., Myakin S. V. Polymer membranesfor fuel cells: manufacture, structure, modifi cation, properties. Russian Chemical Reviews, 2010, v. 79(2), pp.101-117. https://doi.org/10.1070/RC2010v079n02ABE H004070 \u0000Luo T., Abdu S., Wessling M. Selectivity of ionexchange membranes: A review. Membr. Sci., 2018,v. 555, pp. 429–454. https://doi.org/10.1016/j.memsci.2018.03.051 \u0000Fomenkov A. I., Pinus Yu., Peregudov A. S., Zubavichus Ya. V., Yaroslavtsev A. B., Khokhlov A. R. Proton conductivity of poly(arylene ether ketones) with different sulfonation degrees: Improvement via incorporation of nanodisperse zirconium acid phosphate. Polymer Science Series B, 2007, v. 49(7–8), pp. 177-181. https://doi.org/10.1134/S1560090407070032 \u0000Prikhno I. A., Ivanova K. A., Don G. M., Yaroslavtsev A.B. Hybrid membranes based on short side chain perfl uorinated sulfonic acid membranes (Inion) and heteropoly acid salts. Mendeleev Commun, 2018, v. 28(6), pp. 657–658. https://doi.org/10.1016/j.mencom.2018. 11.033 \u0000Klestchov D., Burmistrov V., Sheinkman A., Pletnev R. Composition and structure of phases formed in the process of hydrated antimony pentoxide thermolysis. Journal of Solid State Chemistry, 1991, v. 94(2), pp. 220–226. https://doi.ors/10.1016/0022-4596(91)90186-L \u0000Yaroshenko F. A., Burmistrov V. A. Dielectric relaxation and protonic conductivity of polyantimonic crystalline acid at low temperatures. Russian Journal of Electrochemistry, 2015, v. 51(5), pp. 391–396. https://doi.org/10.1134/S1023193515050195 \u0000Yaroshenko F. A., Burmistrov V. A. Proton conductivity of polyantimonic acid studied by impedance spectroscopy in the temperature range 370–480 K. Mater., 2015, v. 51(8), pp. 783–787. https://doi.org/10.1134/S0020168515080208 \u0000Shchelkanova M. S., Pantyukhina M. I., Antonov B. D., Kalashnova A. V. Produce new solid electrolytes based on the Li 8–x Zr 1–xVxO6 system. Butl","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"47 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-14","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"86606993","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2019-06-14DOI: 10.17308/KCMF.2019.21/756
N. A. Borshch, S. I. Kurganskii
Представлены результаты моделирования пространственной структуры и электронных свойств кластеров MeGe16 - и MeGe20 - (Me = Sc, Y, Lu). Рассматривается возможность синтеза пуллереноподобных кластеров и кластеров с другими типами замкнутых структур. Проведены сравнительные расчеты в рамках теории функционала плотности с использованием базиса SDD и трех различных потенциалов – B3LYP, B3PW91 и PBEPBE. Анализируется влияние выбора потенциала на результаты моделирования пространственной структуры кластеров и их электронного спектра. Оценка адекватности теоретических методов проводится путем сравнения рассчитанных электронных спектров с экспериментальными результатами по фотоэлектронной спектроскопии кластеров. REFERENCES Kroto H. W., Heath J. R., O’Brien S. C., Curl R. F., Smalley R. E. C60: Buckminsterfullerene. Nature, 1985, v. 318, pp. 162-163. https://doi.org/10.1038/318162a0 Hiura H., Miyazaki, Kanayama T. Formation of Metal-Encapsulating Si Cage Clusters. Phys. Rev. Lett., 2001, v. 86, p. 1733. https://doi.org/10.1103/PhysRev-Lett.86.1733 Wang J., Han J. Geometries, stabilities, and electronic properties of different-sized ZrSin (n=1–16) clusters: A density-functional investigation. Chem. Phys., 2005, v. 123(6), pp. 064306–064321. https://doi.org/10.1063/1.1998887 Guo L.-J., Liu X., Zhao G.-F. Computational investigation of TiSin (n=2–15) clusters by the densityfunctional theory. Chem. Phys., 2007, v. 126(23), pp. 234704–234710. https://doi.org/10.1063/1.2743412 Li J., Wang G., Yao C., Mu Y., Wan J., Han M. Structures and magnetic properties of SinMn (n=1–15) clusters. Chem. Phys., 2009, v. 130(16), pp. 164514–164522. https://doi.org/10.1063/1.3123805 Borshch N. A., Berestnev K. S., Pereslavtseva N. S., Kurganskii S. I. Geometric structure and electron spectrum of YSi n− clusters (n = 6–17) Physics of the Solid State, 2014, v. 56(6), pp. 1276–1281. https://doi.org/10.1134/S1063783414060080 Borshch N., Kurganskii S. Geometric structure, electron-energy spectrum, and growth of anionic scandium-silicon clusters ScSin- (n = 6–20). Appl. Phys., 2014, v. 116(12), pp. 124302-1 – 124302-8. https://doi.org/10.1063/1.4896528 Borshch N. A., Pereslavtseva N. S., Kurganskii S. I. Spatial structure and electronic spectrum of TiSi n - Clusters (n = 6–18). Russian Journal of Physical Chemistry A, v. 88(10), pp. 1712–1718. https://doi.org/10.1134/S0036024414100070 Borshch N. A., Pereslavtseva N. S., Kurganskii S. I. Spatial and electronic structures of the germanium-tantalum clusters TaGe n − (n = 8–17). Physics of the Solid State, 2014, vol. 56(11), pp. 2336–2342. https://doi.org/10.1134/S1063783414110055 Huang X., Yang J. Probing structure, thermochemistry, electron affi nity, and magnetic moment of thulium-doped silicon clusters TmSi n (n = 3–10) and their anions with density functional theory. Mol. Model., 2018, v. 24(1), p. 29. https://doi.org/10.1007/s00894-017-3566-7 Zhang, Y., Yang, J., Cheng, L. J. Probing Structure, Thermochemistr
MeGe16和MeGe20集群的空间结构和电子特性模型(Me = Sc, Y, Lu)的结果。考虑到与其他类型的闭合结构相融合的可能性。在函数密度理论的范围内进行了比较，使用SDD基数和三个不同的电位——B3LYP、B3PW91和PBEPBE。分析能力选择对集群空间结构及其电子光谱建模结果的影响。通过比较计算的电子光谱和光电光谱学的实验结果来评估理论方法的有效性。参照”Kroto h . W。Heath j R R, O ' brien s . C, Curl Smalley R . e . C60: Buckminsterfullerene F。自然，1985年，v318, pp, 162-163。H, Miyazaki Kanayama https://doi.org/10.1038/318162a0 Hiura放弃t组of Metal - Encapsulating Si笼。Phys。Rev. Lett。2001年，v86, p, 1733Wang J, Han J Geometries https://doi.org/10.1103/PhysRev-Lett.86.1733 stabilities, and (electronic of different - sized ZrSin (n = 1 - 16)放弃:A密度functional investigation。化学赞。Phys。2005年，v123 (6)， pp, 064306 - 06321。https://doi.org/10.1063/1.1998887 Guo l - J。Liu X, Zhao g -F。《数学理论》中的计算机创新(n=2 - 15)。化学赞。Phys。2007年，v126 (23)， pp, 234704 - 234710。https://doi.org/10.1063/1.2743412 Li J。G。Wang, Yao C Y, Mu, Wan J。,Han m (Structures and micr code of SinMn放弃(n = 1 - 15)。化学赞。Phys。2009年，v130 (16)， pp, 164514 - 164522。https://doi.org/10.1063/1.3123805 Borshch n . A、Berestnev k S。,Kurganskii Pereslavtseva n . S。S . i Geometric结构and电子spectrum of YSi n−放弃(n = 6) 17日Physics of the Solid State, 2014 v . 56 (6) pp - 1276 - 1281。https://doi.org/10.1134/S1063783414060080 Borshch N Kurganskii s . Geometric结构、电子- energy spectrum, and《of anionic放弃scandium - silicon - ScSin - 20日(N = 6)。Appl。Phys。2014年，v116 (12)， pp, 124302-1 - 124302-8。https://doi.org/10.1063/1.4896528 Borshch n . A ., Kurganskii Pereslavtseva n . S。S . i Spatial结构放弃and electronic spectrum of TiSi n (n = 6 - 18)。俄罗斯物理化学杂志A, v88 (10)， pp, 1712 - 1718。https://doi.org/10.1134/S0036024414100070 Borshch n . A ., Kurganskii Pereslavtseva n . S。S . i Spatial放弃and electronic structures of the germanium - tantalum TaGe n−(n = 8 - 17)。Solid状态物理，2014年，vol, 56(11)， pp, 2336 - 2342。https://doi.org/10.1134/S1063783414110055黄X。洋j Probing电子结构,thermochemistry affi nity放弃,and专辑moment of thulium - doped silicon - TmSi n (n = 3 - 10) and their anions with密度光functional theory。Mol Model。2018 v24 p 29https://doi.org/10.1007/s00894-017-3566-7 Zhang Y。杨,J, Cheng, l . J . Probing电子结构,Thermochemistry Affi nity and放弃该专辑Moment of Erbium - Doped Silicon - ErSin (n = 3 - 10) and Their Anions with密度光Functional Theory。Sci。2018年，v29 (2)， pp, 301 - 311。https://doi.org/10.1007/s10876-018-1336-z Ye T, C Luo。许志永B, Zhang S Song H。Li (g . Probing the geometries and electronic of带电Zr2Si n q (n = 1 - 12, q =±1)放弃。化学赞。2018年，v29 (1)， pp, 139 - 146。https://doi.org/10.1007/s11224-17-1011-2阮M.T Tran q . T。,Tran V.T. A CASSCF / CASPT2 investigation on detachments from ScSi n−电子(n = 4 - 6)放弃。Mol Model。2017年v23 (10) p. 282https://doi.org/10.1007/s00894-017-3461-2 Jucai洋J (Y, Cheng l .结构性制动and Evolution of放弃Scandium - Doped Silicon - Evolution of链接to封装Structures and Its Infl uence on the电子预测of Affi nities for ScSin放弃(n = 4 - 16)。化学赞。2018年，v57 (20)， pp 12934 - 12940。https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.8b02159
{"title":"Влияние переходных металлов IIIВ-группы на формирование замкнутых германиевых кластеров: компьютерный эксперимент в рамках теории функционала плотности","authors":"N. A. Borshch, S. I. Kurganskii","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/756","DOIUrl":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/756","url":null,"abstract":"Представлены результаты моделирования пространственной структуры и электронных свойств кластеров MeGe16 - и MeGe20 - (Me = Sc, Y, Lu). Рассматривается возможность синтеза пуллереноподобных кластеров и кластеров с другими типами замкнутых структур. Проведены сравнительные расчеты в рамках теории функционала плотности с использованием базиса SDD и трех различных потенциалов – B3LYP, B3PW91 и PBEPBE. Анализируется влияние выбора потенциала на результаты моделирования пространственной структуры кластеров и их электронного спектра. Оценка адекватности теоретических методов проводится путем сравнения рассчитанных электронных спектров с экспериментальными результатами по фотоэлектронной спектроскопии кластеров. \u0000 \u0000 \u0000REFERENCES \u0000 \u0000Kroto H. W., Heath J. R., O’Brien S. C., Curl R. F., Smalley R. E. C60: Buckminsterfullerene. Nature, 1985, v. 318, pp. 162-163. https://doi.org/10.1038/318162a0 \u0000Hiura H., Miyazaki, Kanayama T. Formation of Metal-Encapsulating Si Cage Clusters. Phys. Rev. Lett., 2001, v. 86, p. 1733. https://doi.org/10.1103/PhysRev-Lett.86.1733 \u0000Wang J., Han J. Geometries, stabilities, and electronic properties of different-sized ZrSin (n=1–16) clusters: A density-functional investigation. Chem. Phys., 2005, v. 123(6), pp. 064306–064321. https://doi.org/10.1063/1.1998887 \u0000Guo L.-J., Liu X., Zhao G.-F. Computational investigation of TiSin (n=2–15) clusters by the densityfunctional theory. Chem. Phys., 2007, v. 126(23), pp. 234704–234710. https://doi.org/10.1063/1.2743412 \u0000Li J., Wang G., Yao C., Mu Y., Wan J., Han M. Structures and magnetic properties of SinMn (n=1–15) clusters. Chem. Phys., 2009, v. 130(16), pp. 164514–164522. https://doi.org/10.1063/1.3123805 \u0000Borshch N. A., Berestnev K. S., Pereslavtseva N. S., Kurganskii S. I. Geometric structure and electron spectrum of YSi n− clusters (n = 6–17) Physics of the Solid State, 2014, v. 56(6), pp. 1276–1281. https://doi.org/10.1134/S1063783414060080 \u0000Borshch N., Kurganskii S. Geometric structure, electron-energy spectrum, and growth of anionic scandium-silicon clusters ScSin- (n = 6–20). Appl. Phys., 2014, v. 116(12), pp. 124302-1 – 124302-8. https://doi.org/10.1063/1.4896528 \u0000Borshch N. A., Pereslavtseva N. S., Kurganskii S. I. Spatial structure and electronic spectrum of TiSi n - Clusters (n = 6–18). Russian Journal of Physical Chemistry A, v. 88(10), pp. 1712–1718. https://doi.org/10.1134/S0036024414100070 \u0000Borshch N. A., Pereslavtseva N. S., Kurganskii S. I. Spatial and electronic structures of the germanium-tantalum clusters TaGe n − (n = 8–17). Physics of the Solid State, 2014, vol. 56(11), pp. 2336–2342. https://doi.org/10.1134/S1063783414110055 \u0000Huang X., Yang J. Probing structure, thermochemistry, electron affi nity, and magnetic moment of thulium-doped silicon clusters TmSi n (n = 3–10) and their anions with density functional theory. Mol. Model., 2018, v. 24(1), p. 29. https://doi.org/10.1007/s00894-017-3566-7 \u0000Zhang, Y., Yang, J., Cheng, L. J. Probing Structure, Thermochemistr","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2019-06-14","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"73255204","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：