The influence of low temperature (≈100 °C) plasma treatment on the properties of silicon near surface layers is studied. A decrease in concentration of deep level centres as well as the formation of the new vacancy related complexes at a depth of 1 to 10 μm are observed. The changes in the silicon properties are found to be connected closely with the generation of intrinsic point defects. Experimental data confirming the possibility of enhanced gold diffusion are presented and the value of the diffusion coefficient is estimated. [Russian Text Ignored].
{"title":"Plasma Stimulated Impurity Redistribution in Silicon","authors":"S. Koveshnikov, E. Yakimov, N. Yarykin, V. Yunkin","doi":"10.1002/PSSA.2211110108","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110108","url":null,"abstract":"The influence of low temperature (≈100 °C) plasma treatment on the properties of silicon near surface layers is studied. A decrease in concentration of deep level centres as well as the formation of the new vacancy related complexes at a depth of 1 to 10 μm are observed. The changes in the silicon properties are found to be connected closely with the generation of intrinsic point defects. Experimental data confirming the possibility of enhanced gold diffusion are presented and the value of the diffusion coefficient is estimated. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000[Russian Text Ignored].","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"6 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126725745","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
{"title":"Stability of Sm Centers in Electroluminescent ZnS:SmF3 MISIM Structures during Ageing","authors":"K. Löbe, R. Boyn, R. Reetz","doi":"10.1002/PSSA.2211110168","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110168","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"22 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114756858","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
A theoretical research of the elastic fields of defects lying near the free and interface boundaries is carried out. The Somigliana surface dislocation method is developed as the general view point of using the surface continuum distributions of dislocations solving the boundary problem of the theory of defects. New solutions of the boundary problem are obtained for a halfspace and a plate, and also for sandwich-like systems by means of double surface dislocations. The correlation between the Somigliana vectors and the surface relief is determined. Methods of calculating the self and interaction energy of defects in a halfspace are elaborated. Eine theoretische Untersuchung der elastischen Felder der an freien Grenzen und an Zwischenphasengrenzen liegenden Defekte wird durchgefuhrt. Die Methode der Somiglianschen Oberflachenversetzung wird als verallgemeinerter Gesichtspunkt zur Ausnutzung der kontinuierlichen Oberflachenversetzungsverteilungen bei der Losung des Grenzwertproblems der Defekttheorie entwickelt. Neue Losungen des Grenzenproblems werden fur einen Halbraum und fur eine Platte sowie fur Sandwichsysteme mit Hilfe von Doppeloberflachenversetzungen gewonnen. Dabei wird ein Zusammenhang zwischen den Somiglianschen Vektoren und dem Oberflachenrelief festgestellt. Eine Methodik zur Berechnung der Eigenenergie und der Wechselwirkungsenergie der Defekte in einem Halbraum wird ausgearbeitet.
对自由边界和界面边界附近缺陷的弹性场进行了理论研究。Somigliana表面位错法是利用位错的表面连续分布来解决缺陷理论边界问题的一般观点。利用双表面位错，得到了半空间和平板系统边界问题的新解，以及三明治系统边界问题的新解。确定了Somigliana矢量与地表起伏之间的相关性。阐述了半空间中缺陷自能和相互作用能的计算方法。e - theory (e - tersuchung der elastischen Felder der和freien Grenzen)和Zwischenphasengrenzen liegenden defkte wind durchgefuhrt)。在此基础上，我们提出了一种新的方法，使我们能够更好地理解和理解我们的理论，从而更好地理解和理解我们的理论。新Losungen des grenzen问题是为einen Halbraum和eine Platte提供的，为sandwichsystem提供了Hilfe von Doppeloberflachenversetzungen gewonen。大北风:在大北风中，在大北风中，在大北风中，在大北风中，在大北风中。本征能量分析方法及本征能量分析方法。
{"title":"Development of Eshelby Concept in the Solution of Boundary Problems for Elastic Solids with Defects","authors":"A. Vladimirov, E. Moos","doi":"10.1002/PSSA.2211110110","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110110","url":null,"abstract":"A theoretical research of the elastic fields of defects lying near the free and interface boundaries is carried out. The Somigliana surface dislocation method is developed as the general view point of using the surface continuum distributions of dislocations solving the boundary problem of the theory of defects. New solutions of the boundary problem are obtained for a halfspace and a plate, and also for sandwich-like systems by means of double surface dislocations. The correlation between the Somigliana vectors and the surface relief is determined. Methods of calculating the self and interaction energy of defects in a halfspace are elaborated. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Eine theoretische Untersuchung der elastischen Felder der an freien Grenzen und an Zwischenphasengrenzen liegenden Defekte wird durchgefuhrt. Die Methode der Somiglianschen Oberflachenversetzung wird als verallgemeinerter Gesichtspunkt zur Ausnutzung der kontinuierlichen Oberflachenversetzungsverteilungen bei der Losung des Grenzwertproblems der Defekttheorie entwickelt. Neue Losungen des Grenzenproblems werden fur einen Halbraum und fur eine Platte sowie fur Sandwichsysteme mit Hilfe von Doppeloberflachenversetzungen gewonnen. Dabei wird ein Zusammenhang zwischen den Somiglianschen Vektoren und dem Oberflachenrelief festgestellt. Eine Methodik zur Berechnung der Eigenenergie und der Wechselwirkungsenergie der Defekte in einem Halbraum wird ausgearbeitet.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123942212","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
{"title":"Radiation Induced Sensitization in Polyethylene","authors":"P. Muthal, S. Moharil, B. T. Deshmukh","doi":"10.1002/PSSA.2211110166","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110166","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"115 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116592133","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
R. Pasianot, G. Galambos, E. Savino, L. Amaral, M. Behar, D. Farkas, S. Rao
Iron polycrystals deposited with thin films of Sn (100 nm approximately) are irradiated with 300 and 400 keV argon ions at the temperatures of liquid hydrogen, room, and 180 °C. After irradiation, the specimens are examined using optical and scanning microscopy, X-ray microprobe, X-ray diffraction, and He-Rutherford back scattering. The surface structures obtained by irradiation at different temperatures are compared with those resulting from isothermal treatments. It is concluded that at liquid hydrogen temperature the major effect of the irradiation is a large and inhomogeneous, localized sputtering of Sn. Also sputtering dominates at room temperature, although it appears to be homogeneous. Finally at 180 °C, Sn islands and FeSn, FeSn2 crystals develop at the Fe surface. FeSnx precipitates form between 300 to 400 °C when the SnFe bilayer is annealed. Light particle irradiation seems to be effective in reducing thermodynamic barriers for nucleation of the above mentioned precipitates at the FeSn interface. Auf Eisenpolykristalle aufgebrachte dunne Sn-Schichten (etwa 100 nm) werden mit 300 und 400 keV-Argon-Ionen bei Temperaturen des flussigen Wasserstoff, Raumtemperatur und 180 °C bestrahlt. Nach der Bestrahlung werden die Proben mittels optischer und Rastermikroskopie, Rontgenmikrosonde, Rontgenbeugung und He-Rutherfordruckstreuung untersucht. Die bei der Bestrahlung unter unterschiedlicher Temperatur erhaltenen Oberflachenstrukturen werden mit den nach isothermischer Temperung erhaltenen verglichen. Es wird angenommen, das bei der Temperatur des flussigen Wasserstoff der Haupteffekt der Bestrahlung eine grose und inhomogene lokalisierte Abstaubung von Sn ist. Zerstaubung dominiert auch bei Zimmertemperatur, obgleich es homogen zu sein scheint. Schlieslich entwickeln sich bei 180 °C, Sn-Inseln und FeSn- und FeSn2-Kristalle. FeSnx-Prazipitate bilden sich zwischen 300 und 400 °C, wenn die SnFe-Doppelschicht ausgeheilt wird. Bestrahlung mit leichten Teilchen scheint bei der Reduzierung thermodynamischer Barrieren fur die Keimbildung der oben erwahnten Prazipitate an der FeSn-Grenzflache effektiv zu sein.
用300 keV和400 keV的氩离子在液氢、室温和180°C的温度下辐照铁多晶，得到了约100 nm的锡薄膜。辐照后，用光学显微镜和扫描显微镜、x射线探针、x射线衍射和he -卢瑟福背散射对样品进行检测。将不同温度下辐照得到的表面结构与等温处理得到的表面结构进行了比较。结果表明，在液氢温度下，辐照的主要影响是锡的大面积不均匀局部溅射。在室温下，溅射也占主导地位，尽管它看起来是均匀的。最后在180℃时，在Fe表面形成Sn岛和FeSn、FeSn2晶体。当SnFe双分子层退火时，在300 ~ 400℃之间形成FeSnx析出物。光粒子辐照似乎可以有效地降低FeSn界面上上述析出相成核的热力学障碍。Auf eisenpolystalle aufgebrachte dunne Sn-Schichten (etwa 100nm)由300和400 k - argon - ionen制成，温度为300k，温度为180℃。Nach der Bestrahlung werden die Proben mittelels optischer and Rastermikroskopie, rongenmikrosonde, rongenbeugung and he - rutherfordrucstruung untersute。Die bei der Bestrahlung unterschiderlicher temperature erhaltenen oberflachenstruckturen werden den nach等温(mischer Temperung erhaltenen verglichen)。他的风动力学，为他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度，他的温度。Zerstaubung dominiert每一个齐默尔温，obgleich是均匀的齐默尔温。180°C, Sn-Inseln和fesn2 -和fesn2 -晶化。fesnx - prazipal合金在300 ~ 400℃高温下加热，在高温下加热。热力学分析表明，在热动力条件下，热动力条件下，热动力条件下的热动力条件下，热动力条件下的热动力条件下，热动力条件下的热动力条件下的热动力条件下的热动力条件下的热动力条件下的热动力条件下的热动力条件下的热动力条件下的热动力条件。
{"title":"Argon Irradiation of Sn Thin Layers Deposited on Fe Substrates","authors":"R. Pasianot, G. Galambos, E. Savino, L. Amaral, M. Behar, D. Farkas, S. Rao","doi":"10.1002/PSSA.2211110118","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110118","url":null,"abstract":"Iron polycrystals deposited with thin films of Sn (100 nm approximately) are irradiated with 300 and 400 keV argon ions at the temperatures of liquid hydrogen, room, and 180 °C. After irradiation, the specimens are examined using optical and scanning microscopy, X-ray microprobe, X-ray diffraction, and He-Rutherford back scattering. The surface structures obtained by irradiation at different temperatures are compared with those resulting from isothermal treatments. It is concluded that at liquid hydrogen temperature the major effect of the irradiation is a large and inhomogeneous, localized sputtering of Sn. Also sputtering dominates at room temperature, although it appears to be homogeneous. Finally at 180 °C, Sn islands and FeSn, FeSn2 crystals develop at the Fe surface. FeSnx precipitates form between 300 to 400 °C when the SnFe bilayer is annealed. Light particle irradiation seems to be effective in reducing thermodynamic barriers for nucleation of the above mentioned precipitates at the FeSn interface. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Auf Eisenpolykristalle aufgebrachte dunne Sn-Schichten (etwa 100 nm) werden mit 300 und 400 keV-Argon-Ionen bei Temperaturen des flussigen Wasserstoff, Raumtemperatur und 180 °C bestrahlt. Nach der Bestrahlung werden die Proben mittels optischer und Rastermikroskopie, Rontgenmikrosonde, Rontgenbeugung und He-Rutherfordruckstreuung untersucht. Die bei der Bestrahlung unter unterschiedlicher Temperatur erhaltenen Oberflachenstrukturen werden mit den nach isothermischer Temperung erhaltenen verglichen. Es wird angenommen, das bei der Temperatur des flussigen Wasserstoff der Haupteffekt der Bestrahlung eine grose und inhomogene lokalisierte Abstaubung von Sn ist. Zerstaubung dominiert auch bei Zimmertemperatur, obgleich es homogen zu sein scheint. Schlieslich entwickeln sich bei 180 °C, Sn-Inseln und FeSn- und FeSn2-Kristalle. FeSnx-Prazipitate bilden sich zwischen 300 und 400 °C, wenn die SnFe-Doppelschicht ausgeheilt wird. Bestrahlung mit leichten Teilchen scheint bei der Reduzierung thermodynamischer Barrieren fur die Keimbildung der oben erwahnten Prazipitate an der FeSn-Grenzflache effektiv zu sein.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"102 4","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"120983073","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
A. Georgobiani, A. Gruzintsev, A. Spitsyn, I. Tiginyanu
Results of a complex study of photoluminescence, cathodoluminescence, and reflection spectra of CdS single crystals irradiated with indium and gallium ions at doses of 1015 and 1016 cm−2 are presented. It is shown, that after annealing of the CdS: In+ and CdS: Ga+ samples at low temperatures the spectral characteristics of the implanted side are similar to the spectra of CdIn2S4 and CdGa2S4 compounds, respectively. The influence of annealing on the properties of the crystals is investigated. [Russian Text Ignored].
{"title":"Change of the Optical Properties of CdS Single Crystals upon High Dose Indium and Gallium Implantation","authors":"A. Georgobiani, A. Gruzintsev, A. Spitsyn, I. Tiginyanu","doi":"10.1002/PSSA.2211110132","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110132","url":null,"abstract":"Results of a complex study of photoluminescence, cathodoluminescence, and reflection spectra of CdS single crystals irradiated with indium and gallium ions at doses of 1015 and 1016 cm−2 are presented. It is shown, that after annealing of the CdS: In+ and CdS: Ga+ samples at low temperatures the spectral characteristics of the implanted side are similar to the spectra of CdIn2S4 and CdGa2S4 compounds, respectively. The influence of annealing on the properties of the crystals is investigated. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000[Russian Text Ignored].","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127470695","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Grain boundary strengths are estimated experimentally for various Al2O3 structures. It turns out that grain boundary strength at room temperature is strongly affected by viscose relaxation processes proceeding during cooling the sintered structures. The results are used to discuss associated macroscopic mechanical properties of Al2O3 and Al2O3 + ZrO2 as the dependence of fracture strength on the sintering atmosphere, but also on testing atmosphere. Fur unterschiedliche Al2O3-Gefuge wird experimentell die Korngrenzenfestigkeit bestimmt. Dabei zeigt sich, das die bei Raumtemperatur gemessene Korngrenzenfestigkeit stark von viskosen Relaxationsprozessen beeinflust wird, wie sie beim Abkuhlen der Sinterwerkstoffe auftreten. Diese Ergebnisse werden genatzt, um das makroskopische mechanische Verhalten von Al2O3 und Al2O3 + ZrO2 in seiner Abhangigkeit von der Sinteratmosphare und den Prufbedingungen zu diskutieren.
{"title":"Grain Boundary Microdamage Due to Visco-Elastic Relaxation of Residual Stresses in Alumina Ceramics","authors":"A. Krell, W. Pompe","doi":"10.1002/PSSA.2211110111","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110111","url":null,"abstract":"Grain boundary strengths are estimated experimentally for various Al2O3 structures. It turns out that grain boundary strength at room temperature is strongly affected by viscose relaxation processes proceeding during cooling the sintered structures. The results are used to discuss associated macroscopic mechanical properties of Al2O3 and Al2O3 + ZrO2 as the dependence of fracture strength on the sintering atmosphere, but also on testing atmosphere. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Fur unterschiedliche Al2O3-Gefuge wird experimentell die Korngrenzenfestigkeit bestimmt. Dabei zeigt sich, das die bei Raumtemperatur gemessene Korngrenzenfestigkeit stark von viskosen Relaxationsprozessen beeinflust wird, wie sie beim Abkuhlen der Sinterwerkstoffe auftreten. Diese Ergebnisse werden genatzt, um das makroskopische mechanische Verhalten von Al2O3 und Al2O3 + ZrO2 in seiner Abhangigkeit von der Sinteratmosphare und den Prufbedingungen zu diskutieren.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"5 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114272099","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
The electrical resistivity, thermoelectric power, and Hall coefficient of sintered iron disilicide, Fe1−xMnxxSi2, and Fe1−yCoySi2 are measured over the temperature range from 77 to 1400 K. Regardless of the purity of raw materials, Fe1−xMnxSi2 and Fe1−yCoySi2 show semiconducting properties below the semiconductor-to-metal transition temperature Tc. Min and Co atoms in iron disilicide act as acceptor and donor, respectively. The energy gap of FeSi2 at 0 K is 1.00 eV, deduced from the temperature dependence of the Hall coefficient in the intrinsic region. The energy gap of Mn-doped FeSi2 decreases from 0.95 to 0.83 eV with increasing Mn amount. Above 150 K the lg ϱ versus 1/T dependence of Mn-doped FeSi2, exhibits an S-like decaying curve. This cannot be explained completely by ordinary band conduction, but can be done by small polaron conduction with crystalline distortions. An den gesinterten Eisendisiliziden Fe1-xMnxSi2 und Fe1−yCoySi2 werden spezifischer Widerstand, Thermospannung und Hallkoeffizient im Temperaturbereich zwischen 77 und 1400 K gemessen. Unabhangig von der Reinheit der Ausgangsmaterialien zeigen Fe1−xMnxSi2 und Fe1−yCoySi2 unterhalb der Temperatur Tc beim Halbleiter-Metall-Ubergang halbleitende Eigenschaften. Mn-bzw. Co-Atome im Eisendisilizid wirken als Akzeptor bzw. Donator. Die Energielucke von FeSi2 betragt bei 0 K 1,00 eV, was aus der Temperaturabhangigkeit des Hallkoeffizienten im Eigenleitungsgebiet ermittelt wird. Die Energielucke von FeSi2 vermindert sich von 0,95 auf 0,83 eV mit der Zunahme der Mn-Dotierung. Oberhalb 150 K zeigt die 1/T-Abhangigkeit von lg ϱ einen S-formigen Verlauf. Dieses Verhalten des spezifischen Widerstandes ist im Rahmen des gewohnlichen Bandermodells schwer verstandlich, es kann jedoch durch kleine Polaronen und Kristalldeformationen gedeutet werden.
在77 ~ 1400 K的温度范围内，测量了烧结后的二硅化铁、Fe1−xMnxxSi2和Fe1−yCoySi2的电阻率、热电功率和霍尔系数。无论原料的纯度如何，Fe1−xMnxSi2和Fe1−yCoySi2在半导体到金属的转变温度Tc以下都表现出半导体性质。二硅化铁中的Min原子和Co原子分别作为受体和供体。FeSi2在0 K时的能隙为1.00 eV，这是由本征区霍尔系数的温度依赖性推导出来的。随着Mn用量的增加，掺锰FeSi2的能隙从0.95 eV减小到0.83 eV。在150 K以上，mn掺杂FeSi2的lg ϱ与1/T的依赖关系呈现s型衰减曲线。这不能完全用普通的带传导来解释，但可以用带晶体畸变的小极化子传导来解释。研究了Fe1- xmnxsi2和Fe1- yCoySi2在高温下的热跨和高效。unhangig von der Reinheit der Ausgangsmaterialien zeigen Fe1−xMnxSi2 and Fe1−yCoySi2 unterhalb der temperature(温度)Mn-bzw。在Eisendisilizid的co - atomome wirken和Akzeptor bzw。捐赠者。FeSi2在0 ~ 1 000 eV的温度变化条件下进行了实验研究。[3][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。Oberhalb 150k高模1/T-Abhangigkeit von lg ϱ einen S-formigen Verlauf。参考文献:参考文献:参考文献:参考文献:参考文献:参考文献:参考文献:参考文献:参考文献:参考文献:参考文献:
{"title":"Semiconducting and Thermoelectric Properties of Sintered Iron Disilicide","authors":"T. Kojima","doi":"10.1002/PSSA.2211110124","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110124","url":null,"abstract":"The electrical resistivity, thermoelectric power, and Hall coefficient of sintered iron disilicide, Fe1−xMnxxSi2, and Fe1−yCoySi2 are measured over the temperature range from 77 to 1400 K. Regardless of the purity of raw materials, Fe1−xMnxSi2 and Fe1−yCoySi2 show semiconducting properties below the semiconductor-to-metal transition temperature Tc. Min and Co atoms in iron disilicide act as acceptor and donor, respectively. The energy gap of FeSi2 at 0 K is 1.00 eV, deduced from the temperature dependence of the Hall coefficient in the intrinsic region. The energy gap of Mn-doped FeSi2 decreases from 0.95 to 0.83 eV with increasing Mn amount. Above 150 K the lg ϱ versus 1/T dependence of Mn-doped FeSi2, exhibits an S-like decaying curve. This cannot be explained completely by ordinary band conduction, but can be done by small polaron conduction with crystalline distortions. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000An den gesinterten Eisendisiliziden Fe1-xMnxSi2 und Fe1−yCoySi2 werden spezifischer Widerstand, Thermospannung und Hallkoeffizient im Temperaturbereich zwischen 77 und 1400 K gemessen. Unabhangig von der Reinheit der Ausgangsmaterialien zeigen Fe1−xMnxSi2 und Fe1−yCoySi2 unterhalb der Temperatur Tc beim Halbleiter-Metall-Ubergang halbleitende Eigenschaften. Mn-bzw. Co-Atome im Eisendisilizid wirken als Akzeptor bzw. Donator. Die Energielucke von FeSi2 betragt bei 0 K 1,00 eV, was aus der Temperaturabhangigkeit des Hallkoeffizienten im Eigenleitungsgebiet ermittelt wird. Die Energielucke von FeSi2 vermindert sich von 0,95 auf 0,83 eV mit der Zunahme der Mn-Dotierung. Oberhalb 150 K zeigt die 1/T-Abhangigkeit von lg ϱ einen S-formigen Verlauf. Dieses Verhalten des spezifischen Widerstandes ist im Rahmen des gewohnlichen Bandermodells schwer verstandlich, es kann jedoch durch kleine Polaronen und Kristalldeformationen gedeutet werden.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"35 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125726426","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Magnetoelastic measurements are performed in metallic glasses of composition (Fe0.79Co0.21)75+x. Si15−1.4xB10+0.4x (x = 0, 2, 4, 6, 8, 10) by means of the resonance-antiresonance method. High values of k (magnetoelastic coupling coefficient) and of the ΔY effect are observed in some compositions, reaching 0.7 for k and 50% for ΔY in the as-quenched state. Annealing treatments further improve these values. An amorphen Metallen der Zusammensetzung (Fe0,79Co0,21)75+x Si15−1.4xB10+0.4x (x = 0, 2, 4, 6, 8, 10) werden die magnetoelastischen Grosen unter Verwendung der Resonanz-Antiresonanz-methode bestimmt. Hohe Werte von k (der magnetoelastische Koeffizient) sowie vom ΔY-Effekt werden fur einige der Legierungen gefunden, mit Werten bis zu 0,7 fur k und 50% fur ΔY im abgeschreckten Zustand. Noch hohere Werte werden durch Ausgluhen erreicht.
不易携带的金属睾丸粉形需要75+x。Si15−1.4xB10 + 0.4x (x = 0、2、4、6、8、10)意思3集《resonance-antiresonance .受压迫的高中values of k (magnetoelastic coupling coefficient)和《ΔY effect在产业结构“compositions, reaching 0.7和50% for k等ΔY .《as-quenched州立大学合并论述《不扩散的这些价值》状态的金属组成(Fe0,79Co0,21) 75 + x Si15−1.4xB10 + 0.4x (x = 0、2、4、6、8、10)将使用一定Resonanz-Antiresonanz-methode .的magnetoelastischen种这个世界。高价值的k (magnetoelastische Koeffizient),以及从ΔY-Effekt给一些合金被找到,价值达0.7%为k和50%为ΔY在abgeschreckten .状态只是余温也有上升的迹象
{"title":"Magnetoelastic Properties of Some Fe-Rich Fe-Co-Si-B Metallic Glasses","authors":"J. Gutiérrez, J. Barandiarán, O. Nielsen","doi":"10.1002/PSSA.2211110129","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110129","url":null,"abstract":"Magnetoelastic measurements are performed in metallic glasses of composition (Fe0.79Co0.21)75+x. Si15−1.4xB10+0.4x (x = 0, 2, 4, 6, 8, 10) by means of the resonance-antiresonance method. High values of k (magnetoelastic coupling coefficient) and of the ΔY effect are observed in some compositions, reaching 0.7 for k and 50% for ΔY in the as-quenched state. Annealing treatments further improve these values. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000An amorphen Metallen der Zusammensetzung (Fe0,79Co0,21)75+x Si15−1.4xB10+0.4x (x = 0, 2, 4, 6, 8, 10) werden die magnetoelastischen Grosen unter Verwendung der Resonanz-Antiresonanz-methode bestimmt. Hohe Werte von k (der magnetoelastische Koeffizient) sowie vom ΔY-Effekt werden fur einige der Legierungen gefunden, mit Werten bis zu 0,7 fur k und 50% fur ΔY im abgeschreckten Zustand. Noch hohere Werte werden durch Ausgluhen erreicht.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130583666","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
A detailed description of optical reflectivity technique for monitoring laser-induced solid phase epitaxial regrowth in real time is given. An example illustrates the use of this technique for the investigation of interface structures. By cooling the sample the epitaxial regrowth of the crystalline/amorphous interface is stopped before the interface reaches the surface. These stages are additionally investigated by TEM- and RBS-studies which illustrate the dependence of the crystalline quality on the regrowth process. Es wird eine genaue Beschreibung der optischen Echtzeitreflexionstechnik zur Aufzeichnung von laserinduzierter Festphasenepitaxie gegeben. Die Anwendung dieser Methode zur Untersuchung der Struktur der Phasengrenze wird an einem Beispiel gezeigt. Bevor die kristallin/amorphe Phasengrenze die Oberflache erreicht, wird die Epitaxie durch Kuhlung gestoppt. Diese Zustande werden zusatzlich durch TEM- und RBS-Messungen untersucht. Sie zeigen die Kristallqualitat in Abhangigkeit vom Wachstumsprozes.
{"title":"Investigation of Low-Temperature Epitaxial Regrowth of Ion-Implanted Amorphous GaAs","authors":"J. Herold, H. Bartsch, W. Wesch, G. Götz","doi":"10.1002/PSSA.2211110106","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110106","url":null,"abstract":"A detailed description of optical reflectivity technique for monitoring laser-induced solid phase epitaxial regrowth in real time is given. An example illustrates the use of this technique for the investigation of interface structures. By cooling the sample the epitaxial regrowth of the crystalline/amorphous interface is stopped before the interface reaches the surface. These stages are additionally investigated by TEM- and RBS-studies which illustrate the dependence of the crystalline quality on the regrowth process. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Es wird eine genaue Beschreibung der optischen Echtzeitreflexionstechnik zur Aufzeichnung von laserinduzierter Festphasenepitaxie gegeben. Die Anwendung dieser Methode zur Untersuchung der Struktur der Phasengrenze wird an einem Beispiel gezeigt. Bevor die kristallin/amorphe Phasengrenze die Oberflache erreicht, wird die Epitaxie durch Kuhlung gestoppt. Diese Zustande werden zusatzlich durch TEM- und RBS-Messungen untersucht. Sie zeigen die Kristallqualitat in Abhangigkeit vom Wachstumsprozes.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"48 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115936897","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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