A new simple method to compute the image contrast of small coherent precipitates without strain contrast is proposed. The method is based on a perturbational expansion of the extra scattering due to the precipitate. Two approaches are possible – z-dependent and z-independent perturbation theory, which each have special advantages. Application of both methods to suited alloy systems is demonstrated. Eine einfache Methode zur Berechnung des elektronenmikroskopischen Bildkontrasts kleiner koharenter Ausscheidungen ohne Verzerrungskontrast wird vorgeschlagen. Das Verfahren beruht auf einer Storungsrechnung im Zusatzpotential der Ausscheidung. Es sind zwei Ansatze moglich – z-abhangige und z-unabhangige Storungsrechnung, wobei beide Verfahren spezifische Vorteile zeigen. Fur beide Verfahren wird die Anwendung auf geeignete Legierungssysteme gezeigt.
{"title":"Calculation of TEM Contrast of Small Coherent Precipitates","authors":"F. Haider","doi":"10.1002/PSSA.2211110107","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110107","url":null,"abstract":"A new simple method to compute the image contrast of small coherent precipitates without strain contrast is proposed. The method is based on a perturbational expansion of the extra scattering due to the precipitate. Two approaches are possible – z-dependent and z-independent perturbation theory, which each have special advantages. Application of both methods to suited alloy systems is demonstrated. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Eine einfache Methode zur Berechnung des elektronenmikroskopischen Bildkontrasts kleiner koharenter Ausscheidungen ohne Verzerrungskontrast wird vorgeschlagen. Das Verfahren beruht auf einer Storungsrechnung im Zusatzpotential der Ausscheidung. Es sind zwei Ansatze moglich – z-abhangige und z-unabhangige Storungsrechnung, wobei beide Verfahren spezifische Vorteile zeigen. Fur beide Verfahren wird die Anwendung auf geeignete Legierungssysteme gezeigt.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"34 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123368569","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
C. Christodoulides, L. Apekis, P. Pissis, D. Daoukaki-diamanti
A method is described for determining the distributions of the values of activation energy or of the preexponential time constant for a peak of thermally stimulated depolarization current which is known not to be due to a single relaxation mechanism, but to a continuous distribution of either one of these two parameters. The peak is first transformed into a density function of the peak temperature. This may then be used to obtain the distributions of activation energy or preexponential time constant, or both, provided a relation connecting these two parameters can be found. The resolution and applicability of the method is discussed and theoretical examples are used as illustrations. Es wird eine Methode zur Bestimmung der Verteilung von Werten der Aktivierungsenergie oder des Zeitvorfaktors fur einen Peak des thermisch stimulierten Depolarisationsstroms beschrieben, wenn bekannt ist, das er nicht von einem einfachen Relaxationsprozes herruhrt, sondern von einer kontinuierlichen Verteilung einer dieser beiden Parameter oder beider Parameter verursacht wird. Der Peak wird zunachst in eine Verteilungsfunktion der Peaktemperatur transformiert. Diese kann dazu verwendet werden, um die Verteilungen der Aktivierungsenergie oder des Zeitvorfaktors oder beider zu bekommen, unter der Voraussetzung, das eine Beziehung zwischen diesen beiden Parametern gefunden werden kann. Das Auflosungsvermogen und die Anwendbarkeit der Methode werden diskutiert und theoretische Beispiele zur Erlauterung verwendet.
{"title":"The Determination of Distributions of the Parameters of Thermally Stimulated Depolarization Current Peaks: Theory","authors":"C. Christodoulides, L. Apekis, P. Pissis, D. Daoukaki-diamanti","doi":"10.1002/PSSA.2211110135","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110135","url":null,"abstract":"A method is described for determining the distributions of the values of activation energy or of the preexponential time constant for a peak of thermally stimulated depolarization current which is known not to be due to a single relaxation mechanism, but to a continuous distribution of either one of these two parameters. The peak is first transformed into a density function of the peak temperature. This may then be used to obtain the distributions of activation energy or preexponential time constant, or both, provided a relation connecting these two parameters can be found. The resolution and applicability of the method is discussed and theoretical examples are used as illustrations. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Es wird eine Methode zur Bestimmung der Verteilung von Werten der Aktivierungsenergie oder des Zeitvorfaktors fur einen Peak des thermisch stimulierten Depolarisationsstroms beschrieben, wenn bekannt ist, das er nicht von einem einfachen Relaxationsprozes herruhrt, sondern von einer kontinuierlichen Verteilung einer dieser beiden Parameter oder beider Parameter verursacht wird. Der Peak wird zunachst in eine Verteilungsfunktion der Peaktemperatur transformiert. Diese kann dazu verwendet werden, um die Verteilungen der Aktivierungsenergie oder des Zeitvorfaktors oder beider zu bekommen, unter der Voraussetzung, das eine Beziehung zwischen diesen beiden Parametern gefunden werden kann. Das Auflosungsvermogen und die Anwendbarkeit der Methode werden diskutiert und theoretische Beispiele zur Erlauterung verwendet.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"36 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122736307","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Quantum efficiencies of photocurrent generation (i.e. quantum yields, Y) depending on the electrode potential (E) and irradiation wavelength (λ) are studied for polycrystalline degenerate cadmium oxide (CdO) with variable electron concentrations (ne). A depletion region (i.e. space charge layer) may be formed and considerable photocurrent (iph) may be generated (λ < 1200 nm) in the CdO/electrolyte solution system with appropriate anodic bias. The highest quantum yield (0.8 at λ = 450 nm) is attained in 0.2 M NaSCN at ne = (1 to 4) × 1019 cm−3. With electron concentration increasing to (0.9 to 1.6) × 1020 cm−3 it reduces to 0.1 under the same conditions. Here, the CdO energy gaps determined from Y spectra increase due to the Burstein shift from 0.90 eV to 1.10 eV for indirect and from 2.06 to 2.29 eV for direct transitions. Die Quantenwirkungsgrade der Photostromgeneration (d. h. Quantenausbeuten, Y) in Abhangigkeit vom Elektrodenpotential (E) und Bestrahlungswellenlange (λ) werden fur polykristallines entartetes Kadmiumoxid (CdO) mit unterschiedlichen Elektronenkonzentrationen (ne) untersucht. Ein Verarmungsgebiet (d. h. Raumladungsschicht) kann sich bilden und ein betrachtlicher Photostrom (iph) (λ < 1200 nm) im CdO/Elektrolyt-System bei geeigneter Anodenvorspannung generiert werden. Die hochste Quantenausbeute (0,8 bei λ × 450 nm) wird in 0,2 M NaSCN bei ne = (1 bis 4) × 1019 cm−3 erhalten. Mit auf (0,9 bis 1,6) × 1020 cm−3 steigender Elektronenkonzentration reduziert sie sich auf 0,1 unter denselben Bedingungen. Hierbei vergrosern sich die CdO-Energielucken, die aus den Y-Spektren bestimmt werden, infolge der Bursteinverschiebung von 0,90 auf 1,10 eV fur indirekte und von 2,06 auf 2,29 eV fur direkte Ubergange.
研究了具有可变电子浓度(ne)的多晶简并态氧化镉(CdO)的光电流产生的量子效率(即量子产率Y)随电极电位(E)和辐照波长(λ)的变化。在适当的阳极偏压下，可以在CdO/电解质溶液体系中形成耗尽区(即空间电荷层)并产生相当大的光电流(iph) (λ < 1200 nm)。在nm = (1 ~ 4) × 1019 cm−3的0.2 M NaSCN中获得了最高的量子产率(λ = 450 nm处为0.8)。当电子浓度增加到(0.9 ~ 1.6)× 1020 cm−3时，在相同的条件下，它降低到0.1。在这里，由Y谱确定的CdO能隙增加是因为间接跃迁的伯斯坦位移从0.90 eV增加到1.10 eV，直接跃迁的伯斯坦位移从2.06 eV增加到2.29 eV。Die Quantenwirkungsgrade der Photostromgeneration (d. h. Quantenausbeuten, Y) in Abhangigkeit by Elektrodenpotential (E) and Bestrahlungswellenlange (λ) werden for polycrystalline entartetes kadummoxid (CdO) mit unschiedlichen Elektronenkonzentrationen (ne) untersucht。in Verarmungsgebiet (d.h . Raumladungsschicht) kann sich bilden和in betrachtlicher Photostrom (iph) (λ < 1200nm) in CdO/Elektrolyt-System geeigneter Anodenvorspannung genergenerert werden。Die hochste Quantenausbeute (0,8 λ × 450 nm)风在0,2 M NaSCN bei ne = (1 bis 4) × 1019 cm−3 erhalten。Mit auf (0,9 × 1,6) × 1020 cm−3 steigender电子浓缩还原剂在密实贝定根下的auf为0,1。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国
{"title":"Photocurrent Generation and Optical Transitions on Degenerate Cadmium Oxide Photoanodes","authors":"I. D. Makuta, S. Poznyak, A. Kulak, E. Streltsov","doi":"10.1002/PSSA.2211110120","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110120","url":null,"abstract":"Quantum efficiencies of photocurrent generation (i.e. quantum yields, Y) depending on the electrode potential (E) and irradiation wavelength (λ) are studied for polycrystalline degenerate cadmium oxide (CdO) with variable electron concentrations (ne). A depletion region (i.e. space charge layer) may be formed and considerable photocurrent (iph) may be generated (λ < 1200 nm) in the CdO/electrolyte solution system with appropriate anodic bias. The highest quantum yield (0.8 at λ = 450 nm) is attained in 0.2 M NaSCN at ne = (1 to 4) × 1019 cm−3. With electron concentration increasing to (0.9 to 1.6) × 1020 cm−3 it reduces to 0.1 under the same conditions. Here, the CdO energy gaps determined from Y spectra increase due to the Burstein shift from 0.90 eV to 1.10 eV for indirect and from 2.06 to 2.29 eV for direct transitions. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Die Quantenwirkungsgrade der Photostromgeneration (d. h. Quantenausbeuten, Y) in Abhangigkeit vom Elektrodenpotential (E) und Bestrahlungswellenlange (λ) werden fur polykristallines entartetes Kadmiumoxid (CdO) mit unterschiedlichen Elektronenkonzentrationen (ne) untersucht. Ein Verarmungsgebiet (d. h. Raumladungsschicht) kann sich bilden und ein betrachtlicher Photostrom (iph) (λ < 1200 nm) im CdO/Elektrolyt-System bei geeigneter Anodenvorspannung generiert werden. Die hochste Quantenausbeute (0,8 bei λ × 450 nm) wird in 0,2 M NaSCN bei ne = (1 bis 4) × 1019 cm−3 erhalten. Mit auf (0,9 bis 1,6) × 1020 cm−3 steigender Elektronenkonzentration reduziert sie sich auf 0,1 unter denselben Bedingungen. Hierbei vergrosern sich die CdO-Energielucken, die aus den Y-Spektren bestimmt werden, infolge der Bursteinverschiebung von 0,90 auf 1,10 eV fur indirekte und von 2,06 auf 2,29 eV fur direkte Ubergange.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125211725","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
La repartition des electrons de valence dans ZnSiAs2 et ZnGeAs2 est decrite a l'aide de charges de liaison gaussiennes, centrees sur les axes des liaisions. Les resultats obtenus permettent de retrouver la difference, constatee precedemment lors de l'etude des parametres structuraux, entre la liaison ZnAs et les liaisons SiAs ou GeAs, plus fortement covalentes. En outre, la densite de charge de valence ainsi decrite est tres voisine de celles qui resultent des calculs theoriques de structure de bandes. Gaussian bond charge model is used to describe the valence charge density in ZnSiAs2 and ZnGeAs2. The main feature obtained is the significant difference, already pointed out in the structural parameters study, between the ZnAs bond and the SiAs or GeAs bonds, which are more strongly covalent. Besides, the valence charge density appears to be close to that obtained from band structure calculations.
{"title":"Etude par diffraction de R-X de la densité de charge de valence dans les deux semi-conducteurs tétraédriques ZnSiAs2 et ZnGeAs2","authors":"M. Levalois, G. Allais","doi":"10.1002/PSSA.2211110122","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110122","url":null,"abstract":"La repartition des electrons de valence dans ZnSiAs2 et ZnGeAs2 est decrite a l'aide de charges de liaison gaussiennes, centrees sur les axes des liaisions. Les resultats obtenus permettent de retrouver la difference, constatee precedemment lors de l'etude des parametres structuraux, entre la liaison ZnAs et les liaisons SiAs ou GeAs, plus fortement covalentes. En outre, la densite de charge de valence ainsi decrite est tres voisine de celles qui resultent des calculs theoriques de structure de bandes. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Gaussian bond charge model is used to describe the valence charge density in ZnSiAs2 and ZnGeAs2. The main feature obtained is the significant difference, already pointed out in the structural parameters study, between the ZnAs bond and the SiAs or GeAs bonds, which are more strongly covalent. Besides, the valence charge density appears to be close to that obtained from band structure calculations.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"4 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116880230","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Post-deposition onto electroformed planar metal–insulator–metal diodes (displaying e.g. I–U characteristics with negative differential resistance due to rupturing filamentary current paths) was proved to cause an additional process, similar to basic electroforming, affecting the switching behaviour temporarily only. It cannot patch ruptured filaments. Es wird gezeigt, das eine nachtragliche Beschichtung elektroformierter planarer Metall–Isolator–Metalldioden (die z. B. I–U-Charakteristiken mit negativ differentiellem Widerstand infolge des Reisens fadenformiger Strompfade zeigen) einen zusatzlichen Prozes verursacht, ahnlich der Grundelektroformierung, der das Schaltverhalten nur zeitlich beeinflust. Sie kann gerissene Faden nicht ausbessern.
{"title":"Metal Influence on Switching MIM Diodes","authors":"H. Pagnia, N. Sotnik","doi":"10.1002/PSSA.2211110142","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110142","url":null,"abstract":"Post-deposition onto electroformed planar metal–insulator–metal diodes (displaying e.g. I–U characteristics with negative differential resistance due to rupturing filamentary current paths) was proved to cause an additional process, similar to basic electroforming, affecting the switching behaviour temporarily only. It cannot patch ruptured filaments. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Es wird gezeigt, das eine nachtragliche Beschichtung elektroformierter planarer Metall–Isolator–Metalldioden (die z. B. I–U-Charakteristiken mit negativ differentiellem Widerstand infolge des Reisens fadenformiger Strompfade zeigen) einen zusatzlichen Prozes verursacht, ahnlich der Grundelektroformierung, der das Schaltverhalten nur zeitlich beeinflust. Sie kann gerissene Faden nicht ausbessern.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"57 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123052570","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
V. I. Garasim, D. Zayachuk, R. Ivanchuk, V. B. Lototskii, P. M. Starik, V. Shenderovskii
{"title":"Peculiarities of Physical Properties of Lead and Tin Selenide Solid Solutions","authors":"V. I. Garasim, D. Zayachuk, R. Ivanchuk, V. B. Lototskii, P. M. Starik, V. Shenderovskii","doi":"10.1002/PSSA.2211110162","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110162","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"18 4 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125887311","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Using the internal friction method the effective activation energy E of crystallisation during linear heating is determined for the glassy alloy Ni70.3Fe4.7Si15B10. E values are obtained: from the Kissinger formula 2.49 eV, from the Augis-Bennett formula 2.51 eV. It is shown that this agreement is not accidental. The pre-exponential factor in the Arrhenius law K0 is calculated for four alloys investigated in the literature by the IF method. Values obtained lay in a very wide interval 1014 to 1027 s−1. It is shown that In K0 increases approximately linearly with E. Die effektive Aktivierungsenerigie E der Kristallisation wahrend linearer Erwarmung wird in amorphen Ni70,3Fe4,7Si15B10-Legierungen mit Hilfe der inneren Reibung untersucht. Fur E werden folgende Werte ermittelt: aus der Kissinger-Formel 2,49 eV, aus der Formel von Augis und Bennett 2,51 eV. Es wird gezeigt, das diese Ubereinstimmung nicht zufallig ist. Der praexponentielle Koeffizient K0 des Arrheniusgesetzes wird fur vier Legierungen, die in der Literatur mit der Methode der inneren Reibung untersucht wurden, berechnet. Die erhaltenen Werte liegen in einem sehr breiten Bereich, 1014 bis 1027 s−1. Es wird gezeigt, das ln K0 mit F fast linear ansteigt.
{"title":"Activation Parameters of Linear Heating Crystallisation in Ni70.3Fe4.7Si15B10 Glassy Alloy Determined Using the Internal Friction Method","authors":"M. Kłosek, J. W. Morón, T. Poloczek","doi":"10.1002/PSSA.2211110113","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110113","url":null,"abstract":"Using the internal friction method the effective activation energy E of crystallisation during linear heating is determined for the glassy alloy Ni70.3Fe4.7Si15B10. E values are obtained: from the Kissinger formula 2.49 eV, from the Augis-Bennett formula 2.51 eV. It is shown that this agreement is not accidental. The pre-exponential factor in the Arrhenius law K0 is calculated for four alloys investigated in the literature by the IF method. Values obtained lay in a very wide interval 1014 to 1027 s−1. It is shown that In K0 increases approximately linearly with E. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Die effektive Aktivierungsenerigie E der Kristallisation wahrend linearer Erwarmung wird in amorphen Ni70,3Fe4,7Si15B10-Legierungen mit Hilfe der inneren Reibung untersucht. Fur E werden folgende Werte ermittelt: aus der Kissinger-Formel 2,49 eV, aus der Formel von Augis und Bennett 2,51 eV. Es wird gezeigt, das diese Ubereinstimmung nicht zufallig ist. Der praexponentielle Koeffizient K0 des Arrheniusgesetzes wird fur vier Legierungen, die in der Literatur mit der Methode der inneren Reibung untersucht wurden, berechnet. Die erhaltenen Werte liegen in einem sehr breiten Bereich, 1014 bis 1027 s−1. Es wird gezeigt, das ln K0 mit F fast linear ansteigt.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"17 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125200496","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pure tensile and combined torsion–tension deformation experiments are made using Al–0.72% Si samples of different grain diameters. Plastic instability behaviour is observed in the case of combined torsion–tension deformation. The onset and disappearance of this instability is found to depend on some parameters, as mode of deformation, applied axial tensile stress, working temperature, sample grain diameter, and quenched-in vacancies. Reine Dehnungs- und kombinierte Torsions–Dehnungs-Deformationsexperimente werden an Al–0,72% Si-Proben verschiedenen Korndurchmessers durchgefuhrt. Es wird plastisches Instabilitatsverhalten im Fall der kombinierten Torsions–Dehnungsdeformation beobachtet. Es wird gefunden, das das Einsetzen und Verschwinden dieser Instabilitat von einigen Parametern, wie Deformationsmode, angelegter axialer Tensionsspannung, Arbeitstemperatur, Probenkorndurchmesser und den eingeschreckten Leerstellen abhangt.
{"title":"Plastic Instability during Combined Torsion-Tension Deformation in Al-0.72% Si Alloy","authors":"T. H. Youssef, F. Saadalah, I. K. Bishay","doi":"10.1002/PSSA.2211110114","DOIUrl":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110114","url":null,"abstract":"Pure tensile and combined torsion–tension deformation experiments are made using Al–0.72% Si samples of different grain diameters. Plastic instability behaviour is observed in the case of combined torsion–tension deformation. The onset and disappearance of this instability is found to depend on some parameters, as mode of deformation, applied axial tensile stress, working temperature, sample grain diameter, and quenched-in vacancies. \u0000 \u0000 \u0000 \u0000Reine Dehnungs- und kombinierte Torsions–Dehnungs-Deformationsexperimente werden an Al–0,72% Si-Proben verschiedenen Korndurchmessers durchgefuhrt. Es wird plastisches Instabilitatsverhalten im Fall der kombinierten Torsions–Dehnungsdeformation beobachtet. Es wird gefunden, das das Einsetzen und Verschwinden dieser Instabilitat von einigen Parametern, wie Deformationsmode, angelegter axialer Tensionsspannung, Arbeitstemperatur, Probenkorndurchmesser und den eingeschreckten Leerstellen abhangt.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"86 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123334762","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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