Л. Н. Дворецкая, А. М. Можаров, Валерий Валерьевич Федоров
В данной работе будет продемонстрирован метод создания подложек для селективной эпитаксии с использованием микросферной фотолитографии, позволяющей создавать гексагональные массивы наноструктур на больших площадях. Выбирая диаметр микросферических частиц и задавая дозу экспонирования на этапе фотолитографии по микросферам, появляется возможность контролируемого варьирования диаметра и периода отверстий в маске. Подобные маски могут быть использованы при синтезе различных эпитаксиальных наноструктур, таких как нитевидные нанокристаллы, наноколонки, нанодиски и др. При этом, такой подход к подготовке ростовых подложек позволяет не только обеспечить текстурирование пластин большой площади, но и существенно сократить время экспонирования резиста.
{"title":"Использование микросферной фотолитографии для селективного синтеза\u0000полупроводниковых структур группы A3B5 на Si","authors":"Л. Н. Дворецкая, А. М. Можаров, Валерий Валерьевич Федоров","doi":"10.34077/rcsp2021-83","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-83","url":null,"abstract":"В данной работе будет продемонстрирован метод создания\u0000подложек для селективной эпитаксии с использованием микросферной фотолитографии, позволяющей\u0000создавать гексагональные массивы наноструктур на больших площадях. Выбирая диаметр\u0000микросферических частиц и задавая дозу экспонирования на этапе фотолитографии по микросферам,\u0000появляется возможность контролируемого варьирования диаметра и периода отверстий в маске.\u0000Подобные маски могут быть использованы при синтезе различных эпитаксиальных наноструктур,\u0000таких как нитевидные нанокристаллы, наноколонки, нанодиски и др. При этом, такой подход к\u0000подготовке ростовых подложек позволяет не только обеспечить текстурирование пластин большой\u0000площади, но и существенно сократить время экспонирования резиста.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"121 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115168579","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе представлены результаты [1] численного моделирования модифицированной конструкции оптического сенсора на основе сегментированной периодической решетки оксинитрида кремния (SiON), расположенного над кремниевым волноводом (кремниевой проволоки) в структуре кремний на изоляторе (КНИ). Решетка отделена от волновода тонким окисным слоем, обеспечивающего эффективную туннельную связь их оптических полей. Данная сегментированная решетка работает как вытекающий волновод, который фильтрует входную мощность от широкополосного оптического источника и излучает ее в виде выходящего оптического пучка, содержащего спектральные компоненты в узком диапазоне длин волн, а также обладающих небольшой угловой расходимостью. Угол излучения сильно зависит от показателя преломления окружающей сенсор среды. Это дет возможность проводить считывания данных с данного интегрально-оптического сенсора путем измерения картины дальнего поля в фокальной плоскости объектива, который расположен рядом с сенсорным элементом. Концепция работы данного типа оптического сенсора была проверена прямым численным моделированием с помощью метода конечных разностей во временной области (FDTD) с использованием оптического пакета от Rsoft. Датчик продемонстрировал умеренный собственный предел обнаружения (iLOD) ≈ 0,004 RIU при потенциале увеличения iLOD до 0,001 RIU в случае применении длинных структур порядка 10 мм.
{"title":"Новый тип оптического сенсора в структуре кремний на изоляторе","authors":"Андрей Валерьевич Царев","doi":"10.34077/rcsp2021-63","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-63","url":null,"abstract":"В данной работе представлены результаты [1] численного моделирования модифицированной\u0000конструкции оптического сенсора на основе сегментированной периодической решетки оксинитрида\u0000кремния (SiON), расположенного над кремниевым волноводом (кремниевой проволоки) в структуре\u0000кремний на изоляторе (КНИ). Решетка отделена от волновода тонким окисным слоем,\u0000обеспечивающего эффективную туннельную связь их оптических полей. Данная сегментированная\u0000решетка работает как вытекающий волновод, который фильтрует входную мощность от\u0000широкополосного оптического источника и излучает ее в виде выходящего оптического пучка,\u0000содержащего спектральные компоненты в узком диапазоне длин волн, а также обладающих небольшой\u0000угловой расходимостью. Угол излучения сильно зависит от показателя преломления окружающей\u0000сенсор среды. Это дет возможность проводить считывания данных с данного интегрально-оптического\u0000сенсора путем измерения картины дальнего поля в фокальной плоскости объектива, который\u0000расположен рядом с сенсорным элементом. Концепция работы данного типа оптического сенсора была\u0000проверена прямым численным моделированием с помощью метода конечных разностей во\u0000временной области (FDTD) с использованием оптического пакета от Rsoft. Датчик\u0000продемонстрировал умеренный собственный предел обнаружения (iLOD) ≈ 0,004 RIU при потенциале\u0000увеличения iLOD до 0,001 RIU в случае применении длинных структур порядка 10 мм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"9 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123710021","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Алексей Евгеньевич Климов, В. А. Голяшов, Д В Горшков
ФД ИК диапазона широко используются в системах формирования теплового изображения источника и «сцены». Их важнейшим параметром является не только температурное разрешение, но и допустимая средняя температура «сцены». Очевидно, что чем больше кр, тем меньшая температура «сцены» может регистрироваться. В работе представлены результаты прямых измерений параметров макетов детекторов с большими ф при Т = 4,2 К к излучению АЧТ с ТАЧТ < 80 К в условиях сверхнизкого фонового потока. Подобные условия могут реализовываться, например, при наблюдении за удаленными объектами Солнечной системы. При ТАЧТ = 70 К получено значение температурного разрешения Т < 0,0007 К, соответствующее интегральной обнаружительной способности по этому источнику D* > 1014 смГц0,5Вт-1 . Рассмотрены механизмы фоточувствительности, оценено значение кр и возможность управления ф в PbSnTe:In-фотодетекторах на основе впервые созданных МДП-структур с Al2O3 подзатворным диэлектриком. В качестве иллюстрации на рисунке показано изменение тока канала структуры этого типа под действием освещения в условиях малых потоков фотонов Ф.
{"title":"Чувствительность пленок PbSnTe:In к тепловому излучению низкотемпературных\u0000(вплоть до Т=60К) источников","authors":"Алексей Евгеньевич Климов, В. А. Голяшов, Д В Горшков","doi":"10.34077/rcsp2021-39","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-39","url":null,"abstract":"ФД ИК диапазона широко используются в системах формирования теплового изображения\u0000источника и «сцены». Их важнейшим параметром является не только температурное разрешение, но и\u0000допустимая средняя температура «сцены». Очевидно,\u0000что чем больше кр, тем меньшая температура «сцены»\u0000может регистрироваться. В работе представлены\u0000результаты прямых измерений параметров макетов\u0000детекторов с большими ф при Т = 4,2 К к излучению\u0000АЧТ с ТАЧТ < 80 К в условиях сверхнизкого фонового\u0000потока. Подобные условия могут реализовываться,\u0000например, при наблюдении за удаленными объектами\u0000Солнечной системы. При ТАЧТ = 70 К получено значение\u0000температурного разрешения Т < 0,0007 К,\u0000соответствующее интегральной обнаружительной\u0000способности по этому источнику D* > 1014 смГц0,5Вт-1\u0000.\u0000Рассмотрены механизмы фоточувствительности,\u0000оценено значение кр и возможность управления ф в\u0000PbSnTe:In-фотодетекторах на основе впервые\u0000созданных МДП-структур с Al2O3 подзатворным\u0000диэлектриком. В качестве иллюстрации на рисунке\u0000показано изменение тока канала структуры этого типа\u0000под действием освещения в условиях малых потоков\u0000фотонов Ф.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"116 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115683394","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе исследуется влияние температуры образца при плазмохимическом травлении на процесс релаксация параметров образовавшегося n-слоя и обратной конверсии к исходному p-типу КРТ.
在本报告中，样品温度对等离子化学腐蚀的影响影响了n层参数的调整和对原始p型crt的反向转换。
{"title":"Восстановление p-типа проводимости HgCdTe после плазмохимического травления\u0000при низких температурах","authors":"Д В Горшков, В. С. Варавин, Г. И. Сидоров","doi":"10.34077/rcsp2021-51","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-51","url":null,"abstract":"В данной\u0000работе исследуется влияние температуры образца при плазмохимическом травлении на процесс\u0000релаксация параметров образовавшегося n-слоя и обратной конверсии к исходному p-типу КРТ.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"33 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123356886","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Скорость распространения пульсовой волны (pulse wave velocity – PWV) в артериях является общепризнанным показателем жесткости сосудов, которая, в свою очередь, характеризует состояние кардиоваскулярной системы и служит предвестником развития грозных заболеваний (гипертония и пр.). Обычно, определяя PWV, усредняют порядка 10-20 измеренных значений ввиду разброса показаний, обусловленного, в частности, влиянием легочного дыхания. Однако, вплоть до настоящего времени не было проведено исследований, позволяющих сопоставить фазу амплитудной модуляции PWV с фазой циркуляции воздуха в дыхательных отверстиях. С учетом того, что возможный фазовый сдвиг здесь способен количественно характеризовать функциональную взаимосвязь дыхательной и сердечно-сосудистой систем организма, получение объективной информации о данном параметре является высоко актуальным. В проведенных исследованиях применена оригинальная технология, впервые позволившая подойти к решению сформулированной выше проблемы и получить пилотные результаты.
{"title":"Применение современной ИК термографии для изучения скорости пульсовой волны","authors":"Б. Г. Вайнер","doi":"10.34077/rcsp2021-34","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-34","url":null,"abstract":"Скорость распространения пульсовой волны (pulse wave velocity – PWV) в артериях является\u0000общепризнанным показателем жесткости сосудов, которая, в свою очередь, характеризует состояние\u0000кардиоваскулярной системы и служит предвестником развития грозных заболеваний (гипертония и\u0000пр.). Обычно, определяя PWV, усредняют порядка 10-20 измеренных значений ввиду разброса\u0000показаний, обусловленного, в частности, влиянием легочного дыхания. Однако, вплоть до\u0000настоящего времени не было проведено исследований, позволяющих сопоставить фазу амплитудной\u0000модуляции PWV с фазой циркуляции воздуха в дыхательных отверстиях. С учетом того, что\u0000возможный фазовый сдвиг здесь способен количественно характеризовать функциональную\u0000взаимосвязь дыхательной и сердечно-сосудистой систем организма, получение объективной\u0000информации о данном параметре является\u0000высоко актуальным.\u0000В проведенных исследованиях\u0000применена оригинальная технология,\u0000впервые позволившая подойти к решению\u0000сформулированной выше проблемы и\u0000получить пилотные результаты.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"129699492","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе предлагается объяснение исчезновения фотоотклика для большей энергии квантов ħ1 = 6.74 мэВ, основанное на квазиклассических соображениях о сохранении импульса при ФСТ.
{"title":"Резонансный фотоотклик плавного потенциального барьера","authors":"Д. М. Казанцев, В. А. Ткаченко, В. Л. Альперович","doi":"10.34077/rcsp2021-74","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-74","url":null,"abstract":"В данной работе предлагается объяснение исчезновения фотоотклика для большей энергии квантов ħ1 = 6.74 мэВ, основанное на квазиклассических\u0000соображениях о сохранении импульса при ФСТ.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"324 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124582997","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
О. Э. Камешков, Виталий Владимирович Герасимов, Борис Александрович Князев
В данной работе проводилось сравнение методом численного моделирования сенсорных возможностей одномерных дифракционных и субволновых решеток. Оптимизированная дифракционная решетка представляет перспективный, недорогой и простой в изготовлении ТГц датчик показателя преломления. Мы численно исследовали влияние периода решетки, глубины решетки и показателя преломления на ППР-свойства решетки. Одномерные субволновые металлические прямоугольные решетки исследовались в схеме нарушенного полного внутреннего отражения (конфигурация Отто), которая используется для удовлетворения условий фазового синхронизма. Выполнен параметрический анализ данной сенсорной системы.
{"title":"Численное моделирование сенсоров на основе линейных металлических решеток","authors":"О. Э. Камешков, Виталий Владимирович Герасимов, Борис Александрович Князев","doi":"10.34077/rcsp2021-85","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-85","url":null,"abstract":"В данной работе проводилось сравнение методом численного моделирования сенсорных\u0000возможностей одномерных дифракционных и субволновых решеток. Оптимизированная\u0000дифракционная решетка представляет перспективный, недорогой и простой в изготовлении ТГц\u0000датчик показателя преломления. Мы численно исследовали влияние периода решетки, глубины\u0000решетки и показателя преломления на ППР-свойства решетки. Одномерные субволновые\u0000металлические прямоугольные решетки исследовались в схеме нарушенного полного внутреннего\u0000отражения (конфигурация Отто), которая используется для удовлетворения условий фазового\u0000синхронизма. Выполнен параметрический анализ данной сенсорной системы.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"9 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121249483","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В работе приводятся результаты экспериментальных исследований двумерных фотонных кристаллов (ФК), сформированных на кремниевых структурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). Интерес к таким структурам вызван, прежде всего, их излучательной способностью в диапазоне длин волн 1.2-1.6 мкм и возможностями интегрирования в схемы современной микроэлектроники. В работе рассмотрены особенности процессов взаимодействия излучающей среды (наноносостровков Ge(Si)) с модами ФК, в частности, так называемыми связанными состояниями в континууме (bound states in the continuum - BIC), вносящими преимущественный вклад в усиление люминесцентного отклика наноостровков.
{"title":"Проявления связанных состояний в континууме в люминесцентном отклике\u0000наноостровков Ge(Si) в двумерных фотонных кристаллах","authors":"М. В. Степихова, С. А. Дьяков, А. Н. Яблонский","doi":"10.34077/rcsp2021-81","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-81","url":null,"abstract":"В работе приводятся результаты экспериментальных исследований двумерных фотонных\u0000кристаллов (ФК), сформированных на кремниевых структурах с самоформирующимися\u0000наноостровками Ge(Si). Интерес к таким структурам вызван, прежде всего, их излучательной\u0000способностью в диапазоне длин волн 1.2-1.6 мкм и возможностями интегрирования в схемы\u0000современной микроэлектроники. В работе рассмотрены особенности процессов взаимодействия\u0000излучающей среды (наноносостровков Ge(Si)) с модами ФК, в частности, так называемыми\u0000связанными состояниями в континууме (bound states in the continuum - BIC), вносящими\u0000преимущественный вклад в усиление люминесцентного отклика наноостровков.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"45 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116459668","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
На сегодняшний день машинное зрение является одним из наиболее значимых применений интеллектуальных систем во множестве областей человеческой деятельности [1]. В таких системах анализ окружения выполняется с применением различных сенсоров, среди которых наиболее распространенными являются фотоприёмные устройства (ФПУ). Для достижения высочайшей эффективности в решении поставленных задач, машинному зрению требуется улучшение следующих качественных и количественных характеристик ФПУ: входной динамический диапазон, латентность по выводу сигнала и возможность работы в инфракрасном (ИК) спектре длин волн. Последнее требование особенно важно в сложных и крайне опасных для человека экстремальных условиях.
{"title":"Алгоритм формирования трехмерной сцены инфракрасного диапазона","authors":"А. В. Зверев, Д.Е. Ипатов","doi":"10.34077/rcsp2021-139","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-139","url":null,"abstract":"На сегодняшний день машинное зрение является одним из наиболее значимых применений\u0000интеллектуальных систем во множестве областей человеческой деятельности [1]. В таких системах\u0000анализ окружения выполняется с применением различных сенсоров, среди которых наиболее\u0000распространенными являются фотоприёмные устройства (ФПУ). Для достижения высочайшей\u0000эффективности в решении поставленных задач, машинному зрению требуется улучшение следующих\u0000качественных и количественных характеристик ФПУ: входной динамический диапазон, латентность\u0000по выводу сигнала и возможность работы в инфракрасном (ИК) спектре длин волн. Последнее\u0000требование особенно важно в сложных и крайне опасных для человека экстремальных условиях.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126829906","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Температура подложки при выращивании слоёв кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии является одним из ключевых параметров, который обеспечивает стабильный рост бездефектных эпитаксиальных плёнок с заданными характеристиками. Используемые в мировой практике методы контроля температуры, такие как пирометрия, спектроскопия края поглощения, термопарный либо малоэффективны, либо требуют дополнительной технической адаптации вакуумного оборудования.
{"title":"Эллипсометрическая in situ диагностика температуры в технологии выращивания\u0000слоёв кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии","authors":"В.А. Швец, Д.В. Марин, И. А. Азаров","doi":"10.34077/rcsp2021-90","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-90","url":null,"abstract":"Температура подложки при выращивании слоёв кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в технологии\u0000молекулярно-лучевой эпитаксии является одним из ключевых параметров, который обеспечивает\u0000стабильный рост бездефектных эпитаксиальных плёнок с заданными характеристиками.\u0000Используемые в мировой практике методы контроля температуры, такие как пирометрия,\u0000спектроскопия края поглощения, термопарный либо малоэффективны, либо требуют дополнительной\u0000технической адаптации вакуумного оборудования.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"75 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132721612","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：