Евгений Александрович Емельянов, М. О. Петрушков, Иван Дмитриевич Лошкарев
В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100) в направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдого раствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекул As2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцы были исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
在这种工作是探索影响支架砷化镓偏离奇点方向边缘(100)[110]0°,1°,2°、3°、5°和7°并入固体溶解GaPxAs1 x。一层固态溶液同时在所有方向的架子上生长。用P2молекулAs2流动和增长速度为1 ms / s, Ts =薄膜厚度500°c - 1μm。生长的标本被高分辨率x射线衍射测定法研究。
{"title":"МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения\u0000на состав пленок","authors":"Евгений Александрович Емельянов, М. О. Петрушков, Иван Дмитриевич Лошкарев","doi":"10.34077/rcsp2021-38","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-38","url":null,"abstract":"В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100)\u0000в направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдого\u0000раствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекул\u0000As2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцы\u0000были исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"28 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116777046","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Большинство химических реакций сопровождается выделением теплоты. При этом, как отражалось в литературе, наблюдаемые температурные изменения способны служить количественным показателем химических процессов [1]. Более того, информация о температуре в ряде случаев является решающей для понимания термодинамики и кинетики реакций [2]. Уникальные технические возможности современной ИК термографии (количественного матричного тепловидения), позволяющие без физического вмешательства в объект исследования проводить температурные измерения с чувствительностью порядка 0.01 C и выше, реализовать временное разрешение порядка 0.01 с и короче, дают основания считать этот метод одним из наиболее подходящих для химических приложений, в том числе, для адсорбции и катализа. Благодаря современной доступности и своим беспрецедентным свойствам тепловизионный метод исследования по сути породил новое экспериментальное направление в изучении разнообразных экзотермических и эндотермических процессов, протекающих в на поверхности твердых тел. Высокая эффективность применения тепловизионного подхода для этой цели была обоснована и продемонстрирована автором настоящего доклада в недавнем обзоре [3].
{"title":"Матричное тепловидение нового поколения в химии и химической физике","authors":"Б. Г. Вайнер","doi":"10.34077/rcsp2021-89","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-89","url":null,"abstract":"Большинство химических реакций сопровождается выделением теплоты. При этом, как отражалось\u0000в литературе, наблюдаемые температурные изменения способны служить количественным\u0000показателем химических процессов [1]. Более того, информация о температуре в ряде случаев является\u0000решающей для понимания термодинамики и кинетики реакций [2].\u0000Уникальные технические возможности современной ИК термографии (количественного\u0000матричного тепловидения), позволяющие без физического вмешательства в объект исследования\u0000проводить температурные измерения с чувствительностью порядка 0.01 C и выше, реализовать\u0000временное разрешение порядка 0.01 с и короче, дают основания считать этот метод одним из наиболее\u0000подходящих для химических приложений, в том числе, для адсорбции и катализа. Благодаря\u0000современной доступности и своим беспрецедентным свойствам тепловизионный метод исследования\u0000по сути породил новое экспериментальное направление в изучении разнообразных экзотермических и\u0000эндотермических процессов, протекающих в на поверхности твердых тел. Высокая эффективность\u0000применения тепловизионного подхода для этой цели была обоснована и продемонстрирована автором\u0000настоящего доклада в недавнем обзоре [3].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"125825171","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Полупрозрачные p-GaAs(Cs,O)-фотокатоды с эффективным отрицательным электронным сродством (ОЭС) применяются в настоящее время в электронно-оптических преобразователях, координатно-чувствительных детекторах, в источниках спин-поляризованных и монохроматических электронов. Каждая из областей практического применения требует оптимизации параметров pGaAs(Cs,O)-фотокатода. Научно-обоснованный подход к такой оптимизации предполагает, что хорошо известны: атомная структура ОЭС-интерфейса, его энергетическая диаграмма и процессы рассеяния, сопровождающие выход фотоэлектронов в вакуум. Наиболее информативный метод изучения энергетической диаграммы и процессов рассеяния основан на анализе энергетических и угловых распределений эмитированных в вакуум фотоэлектронов. С помощью данного метода, ранее, были проанализированы энергетические [1] и угловые [2] распределения термализованных фотоэлектронов. В результате, была предложена модель, в которой предполагалось, что выход в вакуум представляет собой “двухступенчатый процесс” и сопровождается “промежуточным захватом” фотоэлектронов в приповерхностные зоны размерного квантования.
{"title":"Неупругое рассеяние горячих фотоэлектронов при выходе в вакуум из p-GaAs(Cs,O)","authors":"В.В. Бакин, С. А. Рожков, С. Н. Косолобов","doi":"10.34077/rcsp2021-126","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-126","url":null,"abstract":"Полупрозрачные p-GaAs(Cs,O)-фотокатоды с эффективным отрицательным электронным\u0000сродством (ОЭС) применяются в настоящее время в электронно-оптических преобразователях,\u0000координатно-чувствительных детекторах, в источниках спин-поляризованных и монохроматических\u0000электронов. Каждая из областей практического применения требует оптимизации параметров pGaAs(Cs,O)-фотокатода. Научно-обоснованный подход к такой оптимизации предполагает, что\u0000хорошо известны: атомная структура ОЭС-интерфейса, его энергетическая диаграмма и процессы\u0000рассеяния, сопровождающие выход фотоэлектронов в вакуум. Наиболее информативный метод\u0000изучения энергетической диаграммы и процессов рассеяния основан на анализе энергетических и\u0000угловых распределений эмитированных в вакуум фотоэлектронов. С помощью данного метода, ранее,\u0000были проанализированы энергетические [1] и угловые [2] распределения термализованных\u0000фотоэлектронов. В результате, была предложена модель, в которой предполагалось, что выход в\u0000вакуум представляет собой “двухступенчатый процесс” и сопровождается “промежуточным захватом”\u0000фотоэлектронов в приповерхностные зоны размерного квантования.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"67 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124343082","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Поверхности р-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода широко используются для создания фотокатодов с эффективным отрицательным электронным сродством (ОЭС) [1]. Поверхности полупроводников с относительно небольшим (0.2-0.4 эВ) положительным электронным сродством (ПЭС) привлекают внимание в связи с возможностью использования фотонно-усиленной термоэлектронной эмиссии (photon-enhanced thermionic emission, PETE) для повышения эффективности преобразователей солнечной энергии [2]. В [3,4] методом спектроскопии квантового выхода фотоэмиссии изучен переход между состояниями с отрицательным и положительным сродством путем нанесения избыточного цезия или кислорода на оптимально активированную поверхность p-GaAs(Cs,O). Зависимости вероятностей выхода горячих и термализованных электронов от величины сродства, полученные сопоставлением измеренных спектров с расчетом, свидетельствуют о смене механизма эмиссии при переходе от ОЭС к ПЭС [3]. При этом, в области энергий фотонов ħ ниже ширины запрещенной зоны g, проявились ранее не наблюдавшиеся спектральные особенности в виде отчетливого "плеча", а при некоторых условиях – пика, которые не получили ясного объяснения [4]. Данная работа посвящена выяснению возможных причин этих особенностей.
r -GaAs表面具有吸附的铯和氧，被广泛用于产生具有有效负电子亲和力的光电阴极。相对较小的半导体(0.2-0.4 eb)正电子亲和力(photon-增强热电发射，皮特)引起了人们的注意，以提高太阳能转换器的效率(2)。在(3.4)光电发射光谱学中，通过将多余的铯或氧气引入最活跃的p-GaAs表面(Cs,O)，研究了光发射状态之间的转变。热输出和热化电子的概率与测量光谱与计算的相似性有关，这表明排放机制在从欧共体转移到pass(3)时发生了变化。能源领域中,光子ħ宽度禁区g以下,表现出早期观测光谱尤其是看到清晰的“肩膀”,在某些条件下峰没有得到明确的解释[4]。这项工作旨在查明这些特征的可能原因。
{"title":"Пленение излучения и субподзонный пик в спектрах\u0000квантового выхода фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O)","authors":"Д.Е. Протопопов, В. С. Хорошилов, Д. М. Казанцев","doi":"10.34077/rcsp2021-130","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-130","url":null,"abstract":"Поверхности р-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода широко используются для\u0000создания фотокатодов с эффективным отрицательным электронным сродством (ОЭС) [1]. Поверхности\u0000полупроводников с относительно небольшим (0.2-0.4 эВ) положительным электронным сродством\u0000(ПЭС) привлекают внимание в связи с возможностью использования фотонно-усиленной\u0000термоэлектронной эмиссии (photon-enhanced thermionic emission, PETE) для повышения\u0000эффективности преобразователей солнечной энергии [2]. В [3,4] методом спектроскопии квантового\u0000выхода фотоэмиссии изучен переход между состояниями с отрицательным и положительным\u0000сродством путем нанесения избыточного цезия или кислорода на оптимально активированную\u0000поверхность p-GaAs(Cs,O). Зависимости вероятностей выхода горячих и термализованных электронов\u0000от величины сродства, полученные сопоставлением измеренных спектров с расчетом, свидетельствуют\u0000о смене механизма эмиссии при переходе от ОЭС к ПЭС [3]. При этом, в области энергий фотонов ħ\u0000ниже ширины запрещенной зоны g, проявились ранее не наблюдавшиеся спектральные особенности\u0000в виде отчетливого \"плеча\", а при некоторых условиях – пика, которые не получили ясного объяснения\u0000[4]. Данная работа посвящена выяснению возможных причин этих особенностей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130464043","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Дмитрий Владимирович Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский
В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для создания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из нескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем преломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой множественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода с небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя In0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное соединение с оптическим волокном.
{"title":"Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для\u0000электрооптического модулятора Маха-Цендера","authors":"Дмитрий Владимирович Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский","doi":"10.34077/rcsp2021-87","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-87","url":null,"abstract":"В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств\u0000гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для\u0000создания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта\u0000Штарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из\u0000нескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем\u0000преломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой\u0000множественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода\u0000с небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя\u0000In0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное\u0000соединение с оптическим волокном.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"106 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130670050","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе будет представлена новая аналитическая модель для описания работы диода Ганна, учитывающая многодолинную структуру зоны проводимости полупроводника и кинетику перехода между долинами. Будут приведены результаты численного анализа работы диода Ганна на основе GaAs и GaN с использованием представленной модели.
{"title":"Исследование работы диода Ганна в рамках новой многодолинной модели зоны\u0000проводимости","authors":"А. М. Можаров, К.Ю. Шугуров, Г.А. Сапунов","doi":"10.34077/rcsp2021-68","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-68","url":null,"abstract":"В данной работе будет представлена новая\u0000аналитическая модель для описания работы диода\u0000Ганна, учитывающая многодолинную структуру зоны проводимости полупроводника и кинетику\u0000перехода между долинами. Будут приведены результаты численного анализа работы диода Ганна на\u0000основе GaAs и GaN с использованием представленной модели.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"111 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"134032874","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Уменьшение изгиба зон из-за поверхностной фотоэдс лежит в основе работы фотоприемников на барьерах Шоттки и влияет на работу p + -GaAs(Cs,О)-фотокатодов с отрицательным электронным сродством (ОЭС). Ранее фотоэдс на поверхности p-GaAs(Cs,O) изучалась бесконтактным методом фотоотражения на UP+ -структурах с тонким (≈ 100 нм) нелегированным слоем [1] и на образцах с умеренным уровнем легирования p 3×1017 см-3 [2]. При больших концентрациях дырок, определение фотоэдс этим методом затруднено из-за малой величины сигнала фотоотражения.
表面光电电阻降低了该区域的弯曲，影响了p++ GaAs(Cs, o)负电子光电阴极的工作。伤口表面фотоэдсp -砷化镓(Cs, O)在研究非接触式методомфотоотраженUP +结构和薄层(100 nm)нелегирова[1]掺杂样品сумерен一级p3×1017 cm - 3[2]。在大洞的浓度下，由于反射信号的微量，识别光电edd的方法变得困难。
{"title":"Фотоэдс на поверхности сильнолегированного p-GaAs с адсорбированными слоями\u0000цезия и кислорода","authors":"В. С. Хорошилов, Д.Е. Протопопов, Д. М. Казанцев","doi":"10.34077/rcsp2021-133","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-133","url":null,"abstract":"Уменьшение изгиба зон из-за поверхностной фотоэдс лежит в основе работы фотоприемников на\u0000барьерах Шоттки и влияет на работу p\u0000+\u0000-GaAs(Cs,О)-фотокатодов с отрицательным электронным\u0000сродством (ОЭС). Ранее фотоэдс на поверхности p-GaAs(Cs,O) изучалась бесконтактным методом\u0000фотоотражения на UP+\u0000-структурах с тонким (≈ 100 нм) нелегированным слоем [1] и на образцах с\u0000умеренным уровнем легирования p 3×1017 см-3\u0000[2]. При больших концентрациях дырок, определение\u0000фотоэдс этим методом затруднено из-за малой величины сигнала фотоотражения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"86 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133388283","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Знание величин длин диффузии фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в фотоприемных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в разных режимах работы таких матриц важно как для анализа фотоэлектрических процессов в фотоприемных приборных структурах, так и для понимания того, какие факторы и каким образом определяют значения приборных характеристик соответствующих фотоприемных устройств.
{"title":"Полуэмпирическая формула для оценки эффективной длины диффузии\u0000фотогенерированных носителей заряда в фотоприемных КРТ-матрицах с квадратными\u0000диодами в условиях сканирования линейного пятна засветки диодом при\u0000максимальном отборе фототока из абсорбера","authors":"В.А. Стучинский, А. В. Вишняков","doi":"10.34077/rcsp2021-158","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-158","url":null,"abstract":"Знание величин длин диффузии фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в фотоприемных\u0000матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в разных режимах работы таких матриц\u0000важно как для анализа фотоэлектрических процессов в фотоприемных приборных структурах, так и\u0000для понимания того, какие факторы и каким образом определяют значения приборных характеристик\u0000соответствующих фотоприемных устройств.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"22 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114319940","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Виталий Владимирович Герасимов, А.К. Никитин, О. В. Хитров
В данной работе представляются первые экспериментальные результаты по измерению реальной и мнимой частей показателя преломления ППП с помощью плазмонного интерферометра Майкельсона с использованием монохроматического перестраиваемого терагерцового Новосибирского лазера на свободных электронах (ЛСЭ). Это стало возможным благодаря предшествующим экспериментальным исследованиям по генерации и распространению ППП, их отражению плоскими зеркалами, делению с помощью тонких диэлектрических пленок. В качестве образцов использовались полированные стеклянные пластины с непрозрачным золотым напылением, покрытые слоем ZnS толщиной от 90 до 1000 нм. Точность измерения реальной части показателя преломления ППП зависела от толщины диэлектрического покрытия и стабильности работы ЛСЭ, достигая 3∙10-4 RIU.
{"title":"Измерение оптических свойств металл-диэлектрических поверхностей с помощью\u0000терагерцовой поверхностно-плазмонной интерферометрии","authors":"Виталий Владимирович Герасимов, А.К. Никитин, О. В. Хитров","doi":"10.34077/rcsp2021-65","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-65","url":null,"abstract":"В данной работе представляются первые экспериментальные результаты по измерению реальной и\u0000мнимой частей показателя преломления ППП с помощью плазмонного интерферометра Майкельсона\u0000с использованием монохроматического перестраиваемого терагерцового Новосибирского лазера на\u0000свободных электронах (ЛСЭ). Это стало возможным благодаря предшествующим\u0000экспериментальным исследованиям по генерации и распространению ППП, их отражению плоскими\u0000зеркалами, делению с помощью тонких диэлектрических пленок. В качестве образцов использовались\u0000полированные стеклянные пластины с непрозрачным золотым напылением, покрытые слоем ZnS\u0000толщиной от 90 до 1000 нм. Точность измерения реальной части показателя преломления ППП\u0000зависела от толщины диэлектрического покрытия и стабильности работы ЛСЭ, достигая 3∙10-4 RIU.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"124 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116517662","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Квантовые точки (КТ) из полупроводниковых материалов группы А2В6 в настоящее время уже нашли практическое применение в дисплеях, где они используются как в качестве активного светоизлучающего элемента, так и в виде люминофора. Однако, дальнейшее развитие технологии на основе КТ требует повышения значения квантового выхода приборов на их основе. Для получения высокого квантового выхода важнейшим элементом является понимание энергетической структуры КТ, которая определяется материалом и геометрией КТ точки, кристаллической структурой, а также состоянием ее поверхности.
{"title":"Особенности энергетической структуры и оптических свойств квантовых точек\u0000сульфида кадмия, синтезированных с помощью технологии Ленгмюра-Блоджетт","authors":"К.А. Свит, А.А. Зарубанов, К. С. Журавлев","doi":"10.34077/rcsp2021-125","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-125","url":null,"abstract":"Квантовые точки (КТ) из полупроводниковых материалов группы А2В6 в настоящее время уже\u0000нашли практическое применение в дисплеях, где они используются как в качестве активного\u0000светоизлучающего элемента, так и в виде люминофора. Однако, дальнейшее развитие технологии на\u0000основе КТ требует повышения значения квантового выхода приборов на их основе. Для получения\u0000высокого квантового выхода важнейшим элементом является понимание энергетической структуры\u0000КТ, которая определяется материалом и геометрией КТ точки, кристаллической структурой, а также\u0000состоянием ее поверхности.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133427565","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：