首页 > 最新文献

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献

英文 中文
Применение теплой апертурной диафрагмы в охлаждаемых малоформатныхматричных фотоприёмниках 低格式低格式光电接收器中热顶点隔膜的应用
П.П. Добровольский, И. И. Кремис, С. В. Хрящев
Численным моделированием и экспериментально исследованы конструкции теплой(неохлаждаемой) апертурной диафрагмы в газонаполненном криостате с матричным фотоприёмником(МФ), чувствительным в инфракрасном спектральном диапазоне. Показано, что при применениивыбранной конструкции теплой апертурной диафрагмы, матричный фотоприёмник форматом 384х288пикселей охлаждается жидким азотом до рабочих температур (85 К) за время менее чем 40 сек., адроссельным микроохладителем -за 15 сек. с сохранением стандартной чувствительностифотоприёмников на основе структур кадмий-ртуть-теллур (КРТ).
数值模拟和实验研究了气体低温下的热(无冰)顶膜结构,基质光电接收器(mf)在红外光谱范围内敏感。在使用热顶点隔膜时,一个384x288psi矩阵光电接收器在不到40秒的时间内被液氮冷却到工作温度(85 k)。强子微冷却剂,15秒。具有标准敏感光电接收器,基于镉-汞-特鲁尔结构(crt)。
{"title":"Применение теплой апертурной диафрагмы в охлаждаемых малоформатных\u0000матричных фотоприёмниках","authors":"П.П. Добровольский, И. И. Кремис, С. В. Хрящев","doi":"10.34077/rcsp2021-153","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-153","url":null,"abstract":"Численным моделированием и экспериментально исследованы конструкции теплой\u0000(неохлаждаемой) апертурной диафрагмы в газонаполненном криостате с матричным фотоприёмником\u0000(МФ), чувствительным в инфракрасном спектральном диапазоне. Показано, что при применении\u0000выбранной конструкции теплой апертурной диафрагмы, матричный фотоприёмник форматом 384х288\u0000пикселей охлаждается жидким азотом до рабочих температур (85 К) за время менее чем 40 сек., а\u0000дроссельным микроохладителем -за 15 сек. с сохранением стандартной чувствительности\u0000фотоприёмников на основе структур кадмий-ртуть-теллур (КРТ).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"156 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133303868","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Фазообразование и время жизни неравновесных носителей заряда вмультикристаллическом кремнии на основе UMG-Si 在UMG-Si基础上,非平衡电荷载体的相位形成和寿命
Р. В. Пресняков, С. М. Пещерова, Н. Г. Чуешова
Фазообразование и время жизни неравновесных носителей заряда вмультикристаллическом кремнии на основе UMG-Si
在UMG-Si基础上,非平衡电荷载体的相位形成和寿命
{"title":"Фазообразование и время жизни неравновесных носителей заряда в\u0000мультикристаллическом кремнии на основе UMG-Si","authors":"Р. В. Пресняков, С. М. Пещерова, Н. Г. Чуешова","doi":"10.34077/rcsp2021-77","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-77","url":null,"abstract":"Фазообразование и время жизни неравновесных носителей заряда в\u0000мультикристаллическом кремнии на основе UMG-Si","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"56 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115408902","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Замена туннельных переходов в структурах на основе InP на каналы проводимости. 从InP到传导通道,改变结构中的隧道通道。
А.Е. Маричев, В.С. Эполетов, Александр Сергеевич Власов
В настоящее время, наиболее эффективные фотоэлементы изготавливаются на основе каскадныхгетероструктур. В таких приборах фотоактивные p−n-переходы, работающие в разных спектральныхдиапазонах, соединяются последовательно туннельными переходами с предельно высокими уровнямилегирования [1,2]. При достаточно высокой плотности излучения, генерируемый фототок можетпревысить пиковый ток туннельных переходов, что ведет к увеличению сопротивления всей структурыи падению эффективности работы прибора [3].
目前,最有效的光电元件是基于级联异质结构制造的。在这些仪器中,在不同光谱范围内工作的光电p - n跃迁通过连续隧道通道连接到最高水平(1.2)。在足够高的辐射密度下,光电产生的电流可能会超过隧道通道的峰值,导致整个结构的阻力增加,效率下降(3)。
{"title":"Замена туннельных переходов в структурах на основе InP на каналы проводимости.","authors":"А.Е. Маричев, В.С. Эполетов, Александр Сергеевич Власов","doi":"10.34077/rcsp2021-122","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-122","url":null,"abstract":"В настоящее время, наиболее эффективные фотоэлементы изготавливаются на основе каскадных\u0000гетероструктур. В таких приборах фотоактивные p−n-переходы, работающие в разных спектральных\u0000диапазонах, соединяются последовательно туннельными переходами с предельно высокими уровнями\u0000легирования [1,2]. При достаточно высокой плотности излучения, генерируемый фототок может\u0000превысить пиковый ток туннельных переходов, что ведет к увеличению сопротивления всей структуры\u0000и падению эффективности работы прибора [3].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"123 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114598695","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Эллипсометрия субмиллиметрового диапазона в задачах диагностики композиционныхматериалов 复合材料诊断问题亚毫米范围椭圆
Виктор Николаевич Федоринин, С. А. Кузнецов, А. В. Гельфанд
В настоящей работе рассматривается техника эллипсометрии с использованием субмиллиметровыхволн для диагностики оптически непрозрачных композиционных материалов. Объемная структуракомпозиционного материала рассматривается как гетерогенная среда, которая характеризуетсякомплексной диэлектрической функцией. В рамках однослойной физической модели рассматриваетсявозможность регистрации расслоения в многослойной пленочной структуре композиционногоматериала, изготовленного на основе препрег Torayca T800.
在本文中,使用亚毫米波诊断光学不透明复合材料的椭圆计量技术正在被讨论。广泛的结构复合材料被认为是具有复杂电介质功能的异质介质环境。单层物理模型考虑了基于Torayca T800的多层胶片结构的剥离。
{"title":"Эллипсометрия субмиллиметрового диапазона в задачах диагностики композиционных\u0000материалов","authors":"Виктор Николаевич Федоринин, С. А. Кузнецов, А. В. Гельфанд","doi":"10.34077/rcsp2021-50","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-50","url":null,"abstract":"В настоящей работе рассматривается техника эллипсометрии с использованием субмиллиметровых\u0000волн для диагностики оптически непрозрачных композиционных материалов. Объемная структура\u0000композиционного материала рассматривается как гетерогенная среда, которая характеризуется\u0000комплексной диэлектрической функцией. В рамках однослойной физической модели рассматривается\u0000возможность регистрации расслоения в многослойной пленочной структуре композиционного\u0000материала, изготовленного на основе препрег Torayca T800.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"105 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"117310560","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Краевые фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах 二维晶体边缘光电效应
Сергей Анатольевич Тарасенко
В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования краевыхфотогальванических эффектов в двумерных кристаллах. Продемонстрировано, что возбуждениедвумерной структуры электромагнитным излучением приводит к генерации направленногоэлектрического тока вдоль геометрической границы структуры; полярность тока зависит отполяризации излучения. Обсуждаются механизмы генерации краевого фототока для различныхспектральных диапазонов, соответствующих как межзонным, так и внутризонным оптическимпереходам в структурах на основе графена и других двумерных дираковских материалах. Показанавозможность многократного усиления фотоотклика в системах с латеральной сверхструктурой.Обсуждаются также эффекты генерации фототоков в киральных и спиральных краевых каналахдвумерных топологических изоляторов.Разработанная теория хорошо описывает зависимости фототока от поляризации излучения имагнитного поля, наблюдаемые на графеновых системах, и показывает, что краевой фотогальванический эффект может доминировать в фотоэлектрическом отклике микроструктур.
报告显示了对二维晶体基质光电效应的理论和实验研究的结果。证据表明,电磁辐射激发的二维结构会沿着结构的几何边界产生定向电流;电流的极性取决于辐射的极化。讨论的是根据石墨烯和其他二维狄拉克材料,不同光谱范围内和内部光学跃迁的边缘电流生成机制。它显示了在具有外侧超结构的系统中多次增强光响应的可能性。还讨论了光电在基拉和螺旋边缘两极拓扑绝缘体中的作用。开发的理论很好地描述了在石墨烯系统中观察到的光电电流与磁场极化的关系,并表明边缘光电效应可以支配光电微结构的反应。
{"title":"Краевые фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах","authors":"Сергей Анатольевич Тарасенко","doi":"10.34077/rcsp2021-30","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-30","url":null,"abstract":"В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования краевых\u0000фотогальванических эффектов в двумерных кристаллах. Продемонстрировано, что возбуждение\u0000двумерной структуры электромагнитным излучением приводит к генерации направленного\u0000электрического тока вдоль геометрической границы структуры; полярность тока зависит от\u0000поляризации излучения. Обсуждаются механизмы генерации краевого фототока для различных\u0000спектральных диапазонов, соответствующих как межзонным, так и внутризонным оптическим\u0000переходам в структурах на основе графена и других двумерных дираковских материалах. Показана\u0000возможность многократного усиления фотоотклика в системах с латеральной сверхструктурой.\u0000Обсуждаются также эффекты генерации фототоков в киральных и спиральных краевых каналах\u0000двумерных топологических изоляторов.\u0000Разработанная теория хорошо описывает зависимости фототока от поляризации излучения и\u0000магнитного поля, наблюдаемые на графеновых системах, и показывает, что краевой фотогальванический эффект может доминировать в фотоэлектрическом отклике микроструктур.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"55 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116298355","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Высокоскоростной фотоприемный модуль на основе InAlAs/InGaAs/InP pin-диода счастично обедненным слоем для оптоволоконных систем передачи данных 高速光电接收模块基于InAlAs/InGaAs/InP pin-二极管光纤传输系统部分贫化层
К. С. Журавлев, И.Б. Чистохин, Н. А. Валишева
Задачи передачи аналоговых СВЧ-сигналов по волоконным линиям требуют использованиявысокоскоростных фотоприемников с эквивалентной чувствительностью 5–10 А/Вт и выше и низкимнапряжением питания. В работе рассматриваются конструкция и характеристики фотоприемногомодуля для оптоволоконных систем передачи данных и СВЧ-сигналов, выполненного на основескоростного pin-фотодиода и трансимпедансного усилителя для диапазонов частот до 2,5–10 ГГц.
纤维线模拟微波信号的任务要求使用高速光电接收器,相当于5 - 10 a / vt和更高和更低的功率。它描述了光纤数据传输系统和微波信号的光电接收模块的设计和特性,其基础是pin光电二极管和传输放大器,频率高达2.5 - 10 ghz。
{"title":"Высокоскоростной фотоприемный модуль на основе InAlAs/InGaAs/InP pin-диода с\u0000частично обедненным слоем для оптоволоконных систем передачи данных","authors":"К. С. Журавлев, И.Б. Чистохин, Н. А. Валишева","doi":"10.34077/rcsp2021-138","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-138","url":null,"abstract":"Задачи передачи аналоговых СВЧ-сигналов по волоконным линиям требуют использования\u0000высокоскоростных фотоприемников с эквивалентной чувствительностью 5–10 А/Вт и выше и низким\u0000напряжением питания. В работе рассматриваются конструкция и характеристики фотоприемного\u0000модуля для оптоволоконных систем передачи данных и СВЧ-сигналов, выполненного на основе\u0000скоростного pin-фотодиода и трансимпедансного усилителя для диапазонов частот до 2,5–10 ГГц.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128341798","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Нелокальная киральная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основетопологической фазы Hg1-xCdxTe Hg1-xCdxTe基线异质传导性
А. В. Галеева, Александр Сергеевич Казаков, А.И. Артамкин
Представлены результаты по нелокальной терагерцовой фотопроводимости в толстыхэпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инвертированным энергетическим спектром (x <~ 0.16).В работе прямо продемонстрировано существование нелокальной компоненты терагерцовогофотоответа в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdхTe в магнитном поле. Знак нелокальногофотоответа зависит от положения потенциального зонда и направления магнитного поля, чтоуказывает на киральность индуцированного неравновесного транспорта. Наблюдаемые нетривиальныеособенности фототранспорта можно интерпретировать как проявление образования концевогохирального краевого проводящего канала в топологической фазе сплавов Hg1-xCdхTe. Мы обсуждаемрезультаты в терминах качественной модели, которая учитывает сосуществование объемноготранспортного и граничного проводящих каналов.
在Hg1-xCdxTe厚外延胶片中,Hg1-xCdxTe具有反向能量谱(x <~ 0.16)的非局部畸变光电导结果。在工作中,在磁场中Hg1- xcdhte厚外延胶片中明显显示了terag公爵反应的非局部成分。非局部光电反应的标志取决于潜在探测器的位置和磁场的方向,这表明诱导不平衡运输的稳定性。观察到的非基本特征可以解释为Hg1- xcdhte拓展阶段Hg1- xdhte导电通道的形成。我们用一种高质量的模型来讨论结果,它考虑到物体多运输和边界通路的共存。
{"title":"Нелокальная киральная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе\u0000топологической фазы Hg1-xCdxTe","authors":"А. В. Галеева, Александр Сергеевич Казаков, А.И. Артамкин","doi":"10.34077/rcsp2021-31","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-31","url":null,"abstract":"Представлены результаты по нелокальной терагерцовой фотопроводимости в толстых\u0000эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инвертированным энергетическим спектром (x <~ 0.16).\u0000В работе прямо продемонстрировано существование нелокальной компоненты терагерцового\u0000фотоответа в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdхTe в магнитном поле. Знак нелокального\u0000фотоответа зависит от положения потенциального зонда и направления магнитного поля, что\u0000указывает на киральность индуцированного неравновесного транспорта. Наблюдаемые нетривиальные\u0000особенности фототранспорта можно интерпретировать как проявление образования концевого\u0000хирального краевого проводящего канала в топологической фазе сплавов Hg1-xCdхTe. Мы обсуждаем\u0000результаты в терминах качественной модели, которая учитывает сосуществование объемного\u0000транспортного и граничного проводящих каналов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"23 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128645915","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
ИК поглощение света на оптических фононах наноструктур AlN с нанометровымпространственным разрешением 纳米空间分辨率AlN光学声纳吸收光
К. В. Аникин, И.А. Милёхин, А.Г. Милёхин
Сообщается об исследовании фононного спектра одиночных наноструктур AlN с помощью ИКспектроскопии с пространственным разрешением в несколько десятков нанометров.В работе исследовались два типа образцов: (1)- вертикально стоящие гексагональные наноколонныAlN с латеральным размером около 300 нм и высотой 25 нм, сформированные методом аммиачноймолекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности слоя AlN на кремниевой подложке, (ось сперпендикулярна плоскости образа) и (2)- наноколонны AlN диаметром около 200 нм. и длиной донескольких нанометров, лежащие на поверхности золота (ось с направлена вдоль поверхностиобразца), полученные эпитаксией из газовой фазы.
据报道,AlN通过x谱学进行了一项对单纳米纳米单声道光谱的研究。研究了两种类型的样本:(1)-垂直立式六柱纳米管,约300纳米纳米和25纳米纳米,由硅基座上的氨分子束束束形成(2纳米柱直径约200纳米)。在黄金表面(c轴沿着表面样品指向)的多纳米长,由气体阶段的外延引起。
{"title":"ИК поглощение света на оптических фононах наноструктур AlN с нанометровым\u0000пространственным разрешением","authors":"К. В. Аникин, И.А. Милёхин, А.Г. Милёхин","doi":"10.34077/rcsp2021-160","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-160","url":null,"abstract":"Сообщается об исследовании фононного спектра одиночных наноструктур AlN с помощью ИК\u0000спектроскопии с пространственным разрешением в несколько десятков нанометров.\u0000В работе исследовались два типа образцов: (1)- вертикально стоящие гексагональные наноколонны\u0000AlN с латеральным размером около 300 нм и высотой 25 нм, сформированные методом аммиачной\u0000молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности слоя AlN на кремниевой подложке, (ось с\u0000перпендикулярна плоскости образа) и (2)- наноколонны AlN диаметром около 200 нм. и длиной до\u0000нескольких нанометров, лежащие на поверхности золота (ось с направлена вдоль поверхности\u0000образца), полученные эпитаксией из газовой фазы.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131010044","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Фотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа
Д. Ю. Протасов, Виталий Александрович Кузнецов, В. Я. Костюченко
Кадмий-ртуть-теллур (КРТ) является основным материалом для создания матричныхфотоприёмных устройств (МФПУ) ИК диапазона [1,2]. Теоретические расчеты показывают, чтоМФПУ в виде диодов с базой n-типа имеют лучше параметры, чем с базой p-типа. Параметры такихМФПУ во многом определяются рекомбинационно-диффузионными процессами, а именнозначениями равновесной концентрации и подвижности основных (электронов) и неосновных (дырок)носителей, их временем жизни в объёме материала, скоростями поверхностной рекомбинации на двухповерхностях плёнки [3].
镉-汞-碲是红外波段(1.2)基质光电接收设备的主要材料。理论计算表明,具有n型基座的mpu具有比p型基座更好的参数。takhmppu的参数在很大程度上是由基数(电子)和非基数(空穴)的平衡浓度和运动值决定的,它们的生命周期、胶片两层表面的表面重组速度(3)。
{"title":"Фотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа","authors":"Д. Ю. Протасов, Виталий Александрович Кузнецов, В. Я. Костюченко","doi":"10.34077/rcsp2021-129","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-129","url":null,"abstract":"Кадмий-ртуть-теллур (КРТ) является основным материалом для создания матричных\u0000фотоприёмных устройств (МФПУ) ИК диапазона [1,2]. Теоретические расчеты показывают, что\u0000МФПУ в виде диодов с базой n-типа имеют лучше параметры, чем с базой p-типа. Параметры таких\u0000МФПУ во многом определяются рекомбинационно-диффузионными процессами, а именно\u0000значениями равновесной концентрации и подвижности основных (электронов) и неосновных (дырок)\u0000носителей, их временем жизни в объёме материала, скоростями поверхностной рекомбинации на двух\u0000поверхностях плёнки [3].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"88 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124958137","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Квантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазныхнаноструктурах 钻石手NV中心组中的量子物理场传感器
С. Н. Подлесный, И. А. Карташов, С. М. Тарков
Предел обнаружения квантовых сенсоров на спинах пар азот-вакансия (NV) и их ансамблях в алмазепропорционален времени дефазировки спинов Т2* и обратно пропорционален корню их концентрации.Однако Т2* зависит от спинов других дефектов и обычно Т2*<Т2 – времени спиновой релаксации на NVцентрах. Причем экспериментально выполняется соотношение T2* << T2 при теоретической величинеT2/T2*  16 за счет неспаренного электрона доноров Ns0. Важнейшей задачей является увеличениеплотности NV центров при сохранении длительного времени спиновой когерентности [2]. Оно зависиткак от качества специально разработанных синтетических кристаллов “квантового класса”, так и отформирования ансамблей и гибкости метода химического осаждения из паровой фазы с помощьюплазмы (CVD). Проблемой остается создание ансамблей в заданной области с контролем числа NVцентров. Задача формирования ансамблейквантового класса была решена в ИФП, ИГМ иИТФ СО РАН.
量子传感器检测的范围(NV)和它们的钻石组与t2自旋的时间相称,与它们浓度的根成反比。然而,t2依赖于其他缺陷的自旋,通常是t2 / < t2: nvc上的自旋放松时间。而实验性T2 *比例< < T2运行理论上величинеT2 / T2 *16неспарен电子供体Ns0为代价。最重要的任务是增加NV中心的密度,同时保持长时间的自旋相干。它依赖于专门设计的量子类合成晶体的质量,以及从蒸汽阶段(CVD)中分离出化学沉积的组合和灵活性。问题仍然是在指定的区域建立一个小组来控制nv中心的数量。乐队量子类的形成任务已经在ipp中解决。
{"title":"Квантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазных\u0000наноструктурах","authors":"С. Н. Подлесный, И. А. Карташов, С. М. Тарков","doi":"10.34077/rcsp2021-35","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-35","url":null,"abstract":"Предел обнаружения квантовых сенсоров на спинах пар азот-вакансия (NV) и их ансамблях в алмазе\u0000пропорционален времени дефазировки спинов Т2\u0000* и обратно пропорционален корню их концентрации.\u0000Однако Т2\u0000* зависит от спинов других дефектов и обычно Т2\u0000*<Т2 – времени спиновой релаксации на NV\u0000центрах. Причем экспериментально выполняется соотношение T2\u0000* << T2 при теоретической величине\u0000T2/T2\u0000*  16 за счет неспаренного электрона доноров Ns\u00000. Важнейшей задачей является увеличение\u0000плотности NV центров при сохранении длительного времени спиновой когерентности [2]. Оно зависит\u0000как от качества специально разработанных синтетических кристаллов “квантового класса”, так и от\u0000формирования ансамблей и гибкости метода химического осаждения из паровой фазы с помощью\u0000плазмы (CVD). Проблемой остается создание ансамблей в заданной области с контролем числа NV\u0000центров. Задача формирования ансамблей\u0000квантового класса была решена в ИФП, ИГМ и\u0000ИТФ СО РАН.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"35 12","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"113973467","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
期刊
ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ
全部 Acc. Chem. Res. ACS Applied Bio Materials ACS Appl. Electron. Mater. ACS Appl. Energy Mater. ACS Appl. Mater. Interfaces ACS Appl. Nano Mater. ACS Appl. Polym. Mater. ACS BIOMATER-SCI ENG ACS Catal. ACS Cent. Sci. ACS Chem. Biol. ACS Chemical Health & Safety ACS Chem. Neurosci. ACS Comb. Sci. ACS Earth Space Chem. ACS Energy Lett. ACS Infect. Dis. ACS Macro Lett. ACS Mater. Lett. ACS Med. Chem. Lett. ACS Nano ACS Omega ACS Photonics ACS Sens. ACS Sustainable Chem. Eng. ACS Synth. Biol. Anal. Chem. BIOCHEMISTRY-US Bioconjugate Chem. BIOMACROMOLECULES Chem. Res. Toxicol. Chem. Rev. Chem. Mater. CRYST GROWTH DES ENERG FUEL Environ. Sci. Technol. Environ. Sci. Technol. Lett. Eur. J. Inorg. Chem. IND ENG CHEM RES Inorg. Chem. J. Agric. Food. Chem. J. Chem. Eng. Data J. Chem. Educ. J. Chem. Inf. Model. J. Chem. Theory Comput. J. Med. Chem. J. Nat. Prod. J PROTEOME RES J. Am. Chem. Soc. LANGMUIR MACROMOLECULES Mol. Pharmaceutics Nano Lett. Org. Lett. ORG PROCESS RES DEV ORGANOMETALLICS J. Org. Chem. J. Phys. Chem. J. Phys. Chem. A J. Phys. Chem. B J. Phys. Chem. C J. Phys. Chem. Lett. Analyst Anal. Methods Biomater. Sci. Catal. Sci. Technol. Chem. Commun. Chem. Soc. Rev. CHEM EDUC RES PRACT CRYSTENGCOMM Dalton Trans. Energy Environ. Sci. ENVIRON SCI-NANO ENVIRON SCI-PROC IMP ENVIRON SCI-WAT RES Faraday Discuss. Food Funct. Green Chem. Inorg. Chem. Front. Integr. Biol. J. Anal. At. Spectrom. J. Mater. Chem. A J. Mater. Chem. B J. Mater. Chem. C Lab Chip Mater. Chem. Front. Mater. Horiz. MEDCHEMCOMM Metallomics Mol. Biosyst. Mol. Syst. Des. Eng. Nanoscale Nanoscale Horiz. Nat. Prod. Rep. New J. Chem. Org. Biomol. Chem. Org. Chem. Front. PHOTOCH PHOTOBIO SCI PCCP Polym. Chem.
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1