Численным моделированием и экспериментально исследованы конструкции теплой (неохлаждаемой) апертурной диафрагмы в газонаполненном криостате с матричным фотоприёмником (МФ), чувствительным в инфракрасном спектральном диапазоне. Показано, что при применении выбранной конструкции теплой апертурной диафрагмы, матричный фотоприёмник форматом 384х288 пикселей охлаждается жидким азотом до рабочих температур (85 К) за время менее чем 40 сек., а дроссельным микроохладителем -за 15 сек. с сохранением стандартной чувствительности фотоприёмников на основе структур кадмий-ртуть-теллур (КРТ).
{"title":"Применение теплой апертурной диафрагмы в охлаждаемых малоформатных\u0000матричных фотоприёмниках","authors":"П.П. Добровольский, И. И. Кремис, С. В. Хрящев","doi":"10.34077/rcsp2021-153","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-153","url":null,"abstract":"Численным моделированием и экспериментально исследованы конструкции теплой\u0000(неохлаждаемой) апертурной диафрагмы в газонаполненном криостате с матричным фотоприёмником\u0000(МФ), чувствительным в инфракрасном спектральном диапазоне. Показано, что при применении\u0000выбранной конструкции теплой апертурной диафрагмы, матричный фотоприёмник форматом 384х288\u0000пикселей охлаждается жидким азотом до рабочих температур (85 К) за время менее чем 40 сек., а\u0000дроссельным микроохладителем -за 15 сек. с сохранением стандартной чувствительности\u0000фотоприёмников на основе структур кадмий-ртуть-теллур (КРТ).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"156 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133303868","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Фазообразование и время жизни неравновесных носителей заряда в мультикристаллическом кремнии на основе UMG-Si
在UMG-Si基础上，非平衡电荷载体的相位形成和寿命
{"title":"Фазообразование и время жизни неравновесных носителей заряда в\u0000мультикристаллическом кремнии на основе UMG-Si","authors":"Р. В. Пресняков, С. М. Пещерова, Н. Г. Чуешова","doi":"10.34077/rcsp2021-77","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-77","url":null,"abstract":"Фазообразование и время жизни неравновесных носителей заряда в\u0000мультикристаллическом кремнии на основе UMG-Si","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"56 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115408902","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
А.Е. Маричев, В.С. Эполетов, Александр Сергеевич Власов
В настоящее время, наиболее эффективные фотоэлементы изготавливаются на основе каскадных гетероструктур. В таких приборах фотоактивные p−n-переходы, работающие в разных спектральных диапазонах, соединяются последовательно туннельными переходами с предельно высокими уровнями легирования [1,2]. При достаточно высокой плотности излучения, генерируемый фототок может превысить пиковый ток туннельных переходов, что ведет к увеличению сопротивления всей структуры и падению эффективности работы прибора [3].
{"title":"Замена туннельных переходов в структурах на основе InP на каналы проводимости.","authors":"А.Е. Маричев, В.С. Эполетов, Александр Сергеевич Власов","doi":"10.34077/rcsp2021-122","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-122","url":null,"abstract":"В настоящее время, наиболее эффективные фотоэлементы изготавливаются на основе каскадных\u0000гетероструктур. В таких приборах фотоактивные p−n-переходы, работающие в разных спектральных\u0000диапазонах, соединяются последовательно туннельными переходами с предельно высокими уровнями\u0000легирования [1,2]. При достаточно высокой плотности излучения, генерируемый фототок может\u0000превысить пиковый ток туннельных переходов, что ведет к увеличению сопротивления всей структуры\u0000и падению эффективности работы прибора [3].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"123 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114598695","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Виктор Николаевич Федоринин, С. А. Кузнецов, А. В. Гельфанд
В настоящей работе рассматривается техника эллипсометрии с использованием субмиллиметровых волн для диагностики оптически непрозрачных композиционных материалов. Объемная структура композиционного материала рассматривается как гетерогенная среда, которая характеризуется комплексной диэлектрической функцией. В рамках однослойной физической модели рассматривается возможность регистрации расслоения в многослойной пленочной структуре композиционного материала, изготовленного на основе препрег Torayca T800.
{"title":"Эллипсометрия субмиллиметрового диапазона в задачах диагностики композиционных\u0000материалов","authors":"Виктор Николаевич Федоринин, С. А. Кузнецов, А. В. Гельфанд","doi":"10.34077/rcsp2021-50","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-50","url":null,"abstract":"В настоящей работе рассматривается техника эллипсометрии с использованием субмиллиметровых\u0000волн для диагностики оптически непрозрачных композиционных материалов. Объемная структура\u0000композиционного материала рассматривается как гетерогенная среда, которая характеризуется\u0000комплексной диэлектрической функцией. В рамках однослойной физической модели рассматривается\u0000возможность регистрации расслоения в многослойной пленочной структуре композиционного\u0000материала, изготовленного на основе препрег Torayca T800.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"105 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"117310560","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования краевых фотогальванических эффектов в двумерных кристаллах. Продемонстрировано, что возбуждение двумерной структуры электромагнитным излучением приводит к генерации направленного электрического тока вдоль геометрической границы структуры; полярность тока зависит от поляризации излучения. Обсуждаются механизмы генерации краевого фототока для различных спектральных диапазонов, соответствующих как межзонным, так и внутризонным оптическим переходам в структурах на основе графена и других двумерных дираковских материалах. Показана возможность многократного усиления фотоотклика в системах с латеральной сверхструктурой. Обсуждаются также эффекты генерации фототоков в киральных и спиральных краевых каналах двумерных топологических изоляторов. Разработанная теория хорошо описывает зависимости фототока от поляризации излучения и магнитного поля, наблюдаемые на графеновых системах, и показывает, что краевой фотогальванический эффект может доминировать в фотоэлектрическом отклике микроструктур.
{"title":"Краевые фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах","authors":"Сергей Анатольевич Тарасенко","doi":"10.34077/rcsp2021-30","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-30","url":null,"abstract":"В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования краевых\u0000фотогальванических эффектов в двумерных кристаллах. Продемонстрировано, что возбуждение\u0000двумерной структуры электромагнитным излучением приводит к генерации направленного\u0000электрического тока вдоль геометрической границы структуры; полярность тока зависит от\u0000поляризации излучения. Обсуждаются механизмы генерации краевого фототока для различных\u0000спектральных диапазонов, соответствующих как межзонным, так и внутризонным оптическим\u0000переходам в структурах на основе графена и других двумерных дираковских материалах. Показана\u0000возможность многократного усиления фотоотклика в системах с латеральной сверхструктурой.\u0000Обсуждаются также эффекты генерации фототоков в киральных и спиральных краевых каналах\u0000двумерных топологических изоляторов.\u0000Разработанная теория хорошо описывает зависимости фототока от поляризации излучения и\u0000магнитного поля, наблюдаемые на графеновых системах, и показывает, что краевой фотогальванический эффект может доминировать в фотоэлектрическом отклике микроструктур.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"55 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116298355","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Задачи передачи аналоговых СВЧ-сигналов по волоконным линиям требуют использования высокоскоростных фотоприемников с эквивалентной чувствительностью 5–10 А/Вт и выше и низким напряжением питания. В работе рассматриваются конструкция и характеристики фотоприемного модуля для оптоволоконных систем передачи данных и СВЧ-сигналов, выполненного на основе скоростного pin-фотодиода и трансимпедансного усилителя для диапазонов частот до 2,5–10 ГГц.
纤维线模拟微波信号的任务要求使用高速光电接收器，相当于5 - 10 a / vt和更高和更低的功率。它描述了光纤数据传输系统和微波信号的光电接收模块的设计和特性，其基础是pin光电二极管和传输放大器，频率高达2.5 - 10 ghz。
{"title":"Высокоскоростной фотоприемный модуль на основе InAlAs/InGaAs/InP pin-диода с\u0000частично обедненным слоем для оптоволоконных систем передачи данных","authors":"К. С. Журавлев, И.Б. Чистохин, Н. А. Валишева","doi":"10.34077/rcsp2021-138","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-138","url":null,"abstract":"Задачи передачи аналоговых СВЧ-сигналов по волоконным линиям требуют использования\u0000высокоскоростных фотоприемников с эквивалентной чувствительностью 5–10 А/Вт и выше и низким\u0000напряжением питания. В работе рассматриваются конструкция и характеристики фотоприемного\u0000модуля для оптоволоконных систем передачи данных и СВЧ-сигналов, выполненного на основе\u0000скоростного pin-фотодиода и трансимпедансного усилителя для диапазонов частот до 2,5–10 ГГц.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128341798","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
А. В. Галеева, Александр Сергеевич Казаков, А.И. Артамкин
Представлены результаты по нелокальной терагерцовой фотопроводимости в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инвертированным энергетическим спектром (x <~ 0.16). В работе прямо продемонстрировано существование нелокальной компоненты терагерцового фотоответа в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdхTe в магнитном поле. Знак нелокального фотоответа зависит от положения потенциального зонда и направления магнитного поля, что указывает на киральность индуцированного неравновесного транспорта. Наблюдаемые нетривиальные особенности фототранспорта можно интерпретировать как проявление образования концевого хирального краевого проводящего канала в топологической фазе сплавов Hg1-xCdхTe. Мы обсуждаем результаты в терминах качественной модели, которая учитывает сосуществование объемного транспортного и граничного проводящих каналов.
{"title":"Нелокальная киральная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе\u0000топологической фазы Hg1-xCdxTe","authors":"А. В. Галеева, Александр Сергеевич Казаков, А.И. Артамкин","doi":"10.34077/rcsp2021-31","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-31","url":null,"abstract":"Представлены результаты по нелокальной терагерцовой фотопроводимости в толстых\u0000эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инвертированным энергетическим спектром (x <~ 0.16).\u0000В работе прямо продемонстрировано существование нелокальной компоненты терагерцового\u0000фотоответа в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdхTe в магнитном поле. Знак нелокального\u0000фотоответа зависит от положения потенциального зонда и направления магнитного поля, что\u0000указывает на киральность индуцированного неравновесного транспорта. Наблюдаемые нетривиальные\u0000особенности фототранспорта можно интерпретировать как проявление образования концевого\u0000хирального краевого проводящего канала в топологической фазе сплавов Hg1-xCdхTe. Мы обсуждаем\u0000результаты в терминах качественной модели, которая учитывает сосуществование объемного\u0000транспортного и граничного проводящих каналов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"23 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128645915","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Сообщается об исследовании фононного спектра одиночных наноструктур AlN с помощью ИК спектроскопии с пространственным разрешением в несколько десятков нанометров. В работе исследовались два типа образцов: (1)- вертикально стоящие гексагональные наноколонны AlN с латеральным размером около 300 нм и высотой 25 нм, сформированные методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности слоя AlN на кремниевой подложке, (ось с перпендикулярна плоскости образа) и (2)- наноколонны AlN диаметром около 200 нм. и длиной до нескольких нанометров, лежащие на поверхности золота (ось с направлена вдоль поверхности образца), полученные эпитаксией из газовой фазы.
{"title":"ИК поглощение света на оптических фононах наноструктур AlN с нанометровым\u0000пространственным разрешением","authors":"К. В. Аникин, И.А. Милёхин, А.Г. Милёхин","doi":"10.34077/rcsp2021-160","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-160","url":null,"abstract":"Сообщается об исследовании фононного спектра одиночных наноструктур AlN с помощью ИК\u0000спектроскопии с пространственным разрешением в несколько десятков нанометров.\u0000В работе исследовались два типа образцов: (1)- вертикально стоящие гексагональные наноколонны\u0000AlN с латеральным размером около 300 нм и высотой 25 нм, сформированные методом аммиачной\u0000молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности слоя AlN на кремниевой подложке, (ось с\u0000перпендикулярна плоскости образа) и (2)- наноколонны AlN диаметром около 200 нм. и длиной до\u0000нескольких нанометров, лежащие на поверхности золота (ось с направлена вдоль поверхности\u0000образца), полученные эпитаксией из газовой фазы.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131010044","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Д. Ю. Протасов, Виталий Александрович Кузнецов, В. Я. Костюченко
Кадмий-ртуть-теллур (КРТ) является основным материалом для создания матричных фотоприёмных устройств (МФПУ) ИК диапазона [1,2]. Теоретические расчеты показывают, что МФПУ в виде диодов с базой n-типа имеют лучше параметры, чем с базой p-типа. Параметры таких МФПУ во многом определяются рекомбинационно-диффузионными процессами, а именно значениями равновесной концентрации и подвижности основных (электронов) и неосновных (дырок) носителей, их временем жизни в объёме материала, скоростями поверхностной рекомбинации на двух поверхностях плёнки [3].
{"title":"Фотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа","authors":"Д. Ю. Протасов, Виталий Александрович Кузнецов, В. Я. Костюченко","doi":"10.34077/rcsp2021-129","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-129","url":null,"abstract":"Кадмий-ртуть-теллур (КРТ) является основным материалом для создания матричных\u0000фотоприёмных устройств (МФПУ) ИК диапазона [1,2]. Теоретические расчеты показывают, что\u0000МФПУ в виде диодов с базой n-типа имеют лучше параметры, чем с базой p-типа. Параметры таких\u0000МФПУ во многом определяются рекомбинационно-диффузионными процессами, а именно\u0000значениями равновесной концентрации и подвижности основных (электронов) и неосновных (дырок)\u0000носителей, их временем жизни в объёме материала, скоростями поверхностной рекомбинации на двух\u0000поверхностях плёнки [3].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"88 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124958137","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Предел обнаружения квантовых сенсоров на спинах пар азот-вакансия (NV) и их ансамблях в алмазе пропорционален времени дефазировки спинов Т2 * и обратно пропорционален корню их концентрации. Однако Т2 * зависит от спинов других дефектов и обычно Т2 *<Т2 – времени спиновой релаксации на NV центрах. Причем экспериментально выполняется соотношение T2 * << T2 при теоретической величине T2/T2 * 16 за счет неспаренного электрона доноров Ns 0. Важнейшей задачей является увеличение плотности NV центров при сохранении длительного времени спиновой когерентности [2]. Оно зависит как от качества специально разработанных синтетических кристаллов “квантового класса”, так и от формирования ансамблей и гибкости метода химического осаждения из паровой фазы с помощью плазмы (CVD). Проблемой остается создание ансамблей в заданной области с контролем числа NV центров. Задача формирования ансамблей квантового класса была решена в ИФП, ИГМ и ИТФ СО РАН.
{"title":"Квантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазных\u0000наноструктурах","authors":"С. Н. Подлесный, И. А. Карташов, С. М. Тарков","doi":"10.34077/rcsp2021-35","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-35","url":null,"abstract":"Предел обнаружения квантовых сенсоров на спинах пар азот-вакансия (NV) и их ансамблях в алмазе\u0000пропорционален времени дефазировки спинов Т2\u0000* и обратно пропорционален корню их концентрации.\u0000Однако Т2\u0000* зависит от спинов других дефектов и обычно Т2\u0000*<Т2 – времени спиновой релаксации на NV\u0000центрах. Причем экспериментально выполняется соотношение T2\u0000* << T2 при теоретической величине\u0000T2/T2\u0000* 16 за счет неспаренного электрона доноров Ns\u00000. Важнейшей задачей является увеличение\u0000плотности NV центров при сохранении длительного времени спиновой когерентности [2]. Оно зависит\u0000как от качества специально разработанных синтетических кристаллов “квантового класса”, так и от\u0000формирования ансамблей и гибкости метода химического осаждения из паровой фазы с помощью\u0000плазмы (CVD). Проблемой остается создание ансамблей в заданной области с контролем числа NV\u0000центров. Задача формирования ансамблей\u0000квантового класса была решена в ИФП, ИГМ и\u0000ИТФ СО РАН.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"35 12","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"113973467","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：