В данной работе было установлено влияние отжига различной продолжительности при температурах 300, 350, 400 °C на параметры Ti/InAlAs БШ.
在丹麦工作设置影响不同退火притемператур300,350,时长400°C Ti / InAlAs你参数。
{"title":"Влияние состава слоёв металлизации и отжига в формовочном газе на параметры\u0000барьеров Шоттки на основе In0.52Al0.48As","authors":"И. Ю. Гензе, М.С. Аксенов, Н. А. Валишева","doi":"10.34077/rcsp2021-37","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-37","url":null,"abstract":"В данной работе было установлено влияние отжига различной продолжительности при\u0000температурах 300, 350, 400 °C на параметры Ti/InAlAs БШ.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"20 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127684945","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В ходе работы, нами были созданы и исследованы модуляторы ТГц излучения этих двух типов. Были исследованы пленочные поляризационные фильтры на основе магнитомягких субмикронных частиц сплава 5БДСР или наночастиц Fe, полученных электровзрывом, или импульсной лазерной абляцией. Магнитные частицы осаждались в присутствии постоянного магнитного поля в полимерную матрицу на основе фторопласта Ф-42 или этиленвинилацетата (EVA) [5]. Доля частиц к массе полимерной матрицы варьировалось от единиц до 15%. Спектры пропускания лучших плёнок, полученных на основе EVA, приведены на рисунке сверху справа. Был разработан и протестирован образец жидкостного фильтра, способного неселективно управлять интенсивностью излучения в диапазоне 0,4-1,4 ТГц. Фильтр представляет собой 10 мм кювету с 5% дисперсий частиц 5БДСР в масле 80W-90, помещенную на пути ТГц излучения, внутри скрещенной пары катушек Гельмгольца. Созданный образец фильтра позволяет достигать коэффициента затухания вплоть до 35 дБ, как показано на рисунке слева, что сравнимо с традиционно выпускаемыми фильтрами. Автоматическая система запуска и перемешивания делает работу фильтра повторяемой, даже при многократной смене состояний открыт/закрыт фильтра.
{"title":"Использование магнитных наночастиц в устройствах управления ТГц излучением","authors":"Д. М. Ежов, Е. В. Савельев, Е. Д. Фахрутдинова","doi":"10.34077/rcsp2021-53","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-53","url":null,"abstract":"В ходе работы, нами были созданы и\u0000исследованы модуляторы ТГц излучения этих\u0000двух типов. Были исследованы пленочные\u0000поляризационные фильтры на основе\u0000магнитомягких субмикронных частиц сплава\u00005БДСР или наночастиц Fe, полученных электровзрывом, или импульсной лазерной абляцией.\u0000Магнитные частицы осаждались в присутствии постоянного магнитного поля в полимерную матрицу\u0000на основе фторопласта Ф-42 или этиленвинилацетата (EVA) [5]. Доля частиц к массе полимерной\u0000матрицы варьировалось от единиц до 15%. Спектры пропускания лучших плёнок, полученных на\u0000основе EVA, приведены на рисунке сверху справа.\u0000Был разработан и протестирован\u0000образец жидкостного фильтра, способного\u0000неселективно управлять интенсивностью\u0000излучения в диапазоне 0,4-1,4 ТГц. Фильтр\u0000представляет собой 10 мм кювету с 5%\u0000дисперсий частиц 5БДСР в масле 80W-90,\u0000помещенную на пути ТГц излучения,\u0000внутри скрещенной пары катушек\u0000Гельмгольца. Созданный образец фильтра\u0000позволяет достигать коэффициента\u0000затухания вплоть до 35 дБ, как показано на\u0000рисунке слева, что сравнимо с традиционно\u0000выпускаемыми фильтрами.\u0000Автоматическая система запуска и\u0000перемешивания делает работу фильтра повторяемой, даже при многократной смене состояний\u0000открыт/закрыт фильтра.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"25 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128085304","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Экспериментально и теоретически изучалось сверхтонкое взаимодействие электронов и ядер в непрямозонных КТ (In,Al)As/AlAs первого рода. Особенностью этих непрямозонных КТ является пренебрежимо малое анизотропное обменное взаимодействие электрона в Х долине и дырки в Г долине, что приводит к формированию экситонов, с «чистыми» спиновыми состояниями |±1>, рекомбинирующих с излучением циркулярно-поляризованных фотонов. Для экспериментального определения электрон-ядерного взаимодействия измерялась циркулярная поляризация фотолюминесценции КТ в поперечном (эффект Ханле) и продольном (эффект восстановления циркулярной поляризации PRC) магнитных полях. Фотолюминесценция непрямо-зонных КТ возбуждалась квазирезонансно, через возбужденные состояния электрона, принадлежащие Г долине зоны проводимости циркулярно-поляризованым излучением Ti:Sapphire лазера.
{"title":"Электрон-ядерное взаимодействия в X долине гетероструктур (In,Al)As/AlAs","authors":"Т. С. Шамирзаев, С. М. Кузнецова, К. В. Кавокин","doi":"10.34077/rcsp2021-36","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-36","url":null,"abstract":"Экспериментально и теоретически изучалось сверхтонкое взаимодействие электронов и ядер в\u0000непрямозонных КТ (In,Al)As/AlAs первого рода. Особенностью этих непрямозонных КТ является\u0000пренебрежимо малое анизотропное обменное взаимодействие электрона в Х долине и дырки в Г\u0000долине, что приводит к формированию экситонов, с «чистыми» спиновыми состояниями |±1>,\u0000рекомбинирующих с излучением циркулярно-поляризованных фотонов. Для экспериментального\u0000определения электрон-ядерного взаимодействия измерялась циркулярная поляризация\u0000фотолюминесценции КТ в поперечном (эффект Ханле) и продольном (эффект восстановления\u0000циркулярной поляризации PRC) магнитных полях. Фотолюминесценция непрямо-зонных КТ\u0000возбуждалась квазирезонансно, через возбужденные состояния электрона, принадлежащие Г долине\u0000зоны проводимости циркулярно-поляризованым излучением Ti:Sapphire лазера.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"17 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132661462","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В работе предложен метод исследования ТГц свойств анизотропных материалов без оптической активности, учитывающий чувствительность систем электрооптической регистрации импульсных ТГц спектрометров к поляризации ТГц излучения. Для этого проанализирована зависимость чувствительности системы регистрации на основе кристаллов типа цинковой обманки со срезами (110) и (111) от поляризации терагерцового и зондирующего лазерного излучения. Обнаружено, что одинаковая чувствительность может быть достигнута для двух ортогональных поляризаций терагерцового излучения. Так, для ТГц излучения линейно поляризованного под углами ±45° относительно осей z и (−211) кристаллов-детекторов со срезами (110) и (111), соответственно, достигается одинаковая чувствительность со значением √2 2 от максимальной. Это справедливо для излучения зондирующего лазера, поляризованного под углами 0° или 90°.
{"title":"Поляризационно-чувствительная терагерцовая спектроскопия анизотропных\u0000кристаллов","authors":"Федор Минаков, А. А. Мамрашев, В. Д. Анцыгин","doi":"10.34077/rcsp2021-49","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-49","url":null,"abstract":"В работе предложен метод исследования ТГц свойств анизотропных материалов без оптической\u0000активности, учитывающий чувствительность систем электрооптической регистрации импульсных ТГц\u0000спектрометров к поляризации ТГц излучения. Для этого проанализирована зависимость\u0000чувствительности системы регистрации на основе кристаллов типа цинковой обманки со срезами (110)\u0000и (111) от поляризации терагерцового и зондирующего лазерного излучения. Обнаружено, что\u0000одинаковая чувствительность может быть достигнута для двух ортогональных поляризаций\u0000терагерцового излучения. Так, для ТГц излучения линейно поляризованного под углами ±45°\u0000относительно осей z и (−211) кристаллов-детекторов со срезами (110) и (111), соответственно,\u0000достигается одинаковая чувствительность со значением\u0000√2\u00002\u0000от максимальной. Это справедливо для\u0000излучения зондирующего лазера, поляризованного под углами 0° или 90°.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"29 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"134074619","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе исследовались процессы формирования упорядоченных фаз кремния и возможность синтеза силицена на графеноподобных слоях g-Si3N3 и g-AlN, которые предварительно формировались на поверхности Si(111), по технологии предложенной нами ранее.
这项工作研究了在g-Si3N3和g
{"title":"Процессы формирования упорядоченных двумерных фаз кремния (пористого\u0000силицена) на поверхности g-Si3N3/Si(111)","authors":"В.Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин","doi":"10.34077/rcsp2021-67","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-67","url":null,"abstract":"В данной работе исследовались процессы формирования упорядоченных фаз кремния и\u0000возможность синтеза силицена на графеноподобных слоях g-Si3N3 и g-AlN, которые предварительно\u0000формировались на поверхности Si(111), по технологии предложенной нами ранее.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"13 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131600919","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
С. Н. Подлесный, И. А. Карташов, Владимир Петрович Попов
Квантовые устройства на спинах точечных дефектов широкозонных полупроводниках, например, NV центров и их ансамблях в алмазе привлекательны возможностью работы при комнатных температурах, однако время спиновой релаксации Т2 * зависит от других дефектов и обычно Т2 *<<Т2 – времени когерентной релаксации на узловых атомах азота Ns. Проблемой остается их создание в заданной области, единственным способом которого является имплантация, создающая массу других дефектов. Решить проблему “квантового качества” можно двумя способами. Во-первых, формированием сверхрешеток из узловых атомов азота с регулярными рельефом для их встраивания при росте из газовой фазы, а затем захватом вакансий, сформированных при локальном облучении и нагреве сфокусированным пучком, в соседние c азотом узлы. Во-вторых, внедрением одиночных ионов N+ имплантерами с регистрацией фотонной или электронной эмиссии от вошедшего в мишень иона или заряда на её поверхности, управляющих процессом переноса ионного пучка в новую точку.
{"title":"Ансамбли NV- центров квантового качества в высокочистом алмазе после горячей\u0000имплантации и высокотемпературного отжига под давлением","authors":"С. Н. Подлесный, И. А. Карташов, Владимир Петрович Попов","doi":"10.34077/rcsp2021-73","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-73","url":null,"abstract":"Квантовые устройства на спинах точечных дефектов широкозонных полупроводниках, например,\u0000NV центров и их ансамблях в алмазе привлекательны возможностью работы при комнатных\u0000температурах, однако время спиновой релаксации Т2\u0000*\u0000зависит от других дефектов и обычно Т2\u0000*<<Т2 –\u0000времени когерентной релаксации на узловых атомах азота Ns. Проблемой остается их создание в\u0000заданной области, единственным способом которого является имплантация, создающая массу других\u0000дефектов. Решить проблему “квантового качества” можно двумя способами. Во-первых,\u0000формированием сверхрешеток из узловых атомов азота с регулярными рельефом для их встраивания\u0000при росте из газовой фазы, а затем захватом вакансий, сформированных при локальном облучении\u0000и нагреве сфокусированным пучком, в соседние c азотом узлы. Во-вторых, внедрением одиночных\u0000ионов N+ имплантерами с регистрацией фотонной или электронной эмиссии от вошедшего в мишень\u0000иона или заряда на её поверхности, управляющих процессом переноса ионного пучка в новую точку.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"134 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133408134","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В работе изучен рост многослойных периодических структур и сверхрешеток, включающих упругонапряженные слои GeSiSn с содержанием олова от 0 до 18 %. Установлена кинетическая диаграмма роста слоев GeSiSn с высоким содержанием Sn в диапазоне температур 100 – 300 °C. На основе кинетических диаграмм роста пленок GeSiSn выбиралась область толщин, соответствующая псевдоморфному состоянию. В
{"title":"Структурные и оптические свойства многослойных периодических структур с\u0000псевдоморфными слоями GeSiSn","authors":"В. А. Тимофеев, В И Машанов, А. И. Никифоров","doi":"10.34077/rcsp2021-78","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-78","url":null,"abstract":"В работе изучен рост многослойных периодических структур и сверхрешеток, включающих\u0000упругонапряженные слои GeSiSn с содержанием олова от 0 до 18 %. Установлена кинетическая\u0000диаграмма роста слоев GeSiSn с высоким содержанием Sn в диапазоне температур 100 – 300 °C. На\u0000основе кинетических диаграмм роста пленок GeSiSn выбиралась область толщин, соответствующая\u0000псевдоморфному состоянию. В","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"16 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132805007","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Использование углеродных (С) слоев (однослойного и многослойного графена) для разработки комбинированных с полупроводниками A3B 5 приборов наноэлектроники затруднено из-за отсутствия подходящих методов формирования С-слоев непосредственно на поверхности полупроводниковых структур с сохранением их свойств. В данной работе показана возможность получения углеродных нанослоев непосредственно на поверхности GaAs структур методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Для нанесения С-слоев использован лазер YAG:Nd (длина волны 532 нм). Подложка при выращивании поддерживалась при 500°С, а толщина С-слоя определялась временем испарения и составляла от 4 до 20 нм. По результатам исследований комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии полученные углеродные слои представляют собой сплошную пленку нанокристаллического графита, состоящую из зерен многослойного графена.
{"title":"Арсенид-галлиевые структуры с углеродным покрытием: многофункциональное\u0000применение для приборов оптоэлектроники и бета-вольтаики","authors":"В.П. Лесников, Марина Витальевна Ведь, О.В. Вихрова","doi":"10.34077/rcsp2021-92","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-92","url":null,"abstract":"Использование углеродных (С) слоев (однослойного и многослойного графена) для разработки\u0000комбинированных с полупроводниками A3B\u00005 приборов наноэлектроники затруднено из-за отсутствия\u0000подходящих методов формирования С-слоев непосредственно на поверхности полупроводниковых\u0000структур с сохранением их свойств.\u0000В данной работе показана возможность получения углеродных нанослоев непосредственно на\u0000поверхности GaAs структур методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Для\u0000нанесения С-слоев использован лазер YAG:Nd (длина волны 532 нм). Подложка при выращивании\u0000поддерживалась при 500°С, а толщина С-слоя определялась временем испарения и составляла от 4 до\u000020 нм. По результатам исследований комбинационного рассеяния света и рентгеновской\u0000фотоэлектронной спектроскопии полученные углеродные слои представляют собой сплошную пленку\u0000нанокристаллического графита, состоящую из зерен многослойного графена.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"61 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133837353","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе рассматривается эпитаксиальное выращивание напряженных двумерных слоев германия и твердого раствора германия-кремния различного состава, а также особенности формирования квантовых точек в этих системах. Проводится теоретическое рассмотрение влияния зависимости поверхностных энергий и упругих напряжений от толщины осажденного материала на формирование двумерных слоев и квантовых точек по механизму Странского–Крастанова. Помимо этого, произведено моделирование миграции адатомов и формирования островков методом молекулярной динамики. Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до нескольких монослоев, а также появления двумерных и трехмерных островков. Особое внимание уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту при выращивании 2D-материалов.
{"title":"Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с\u0000учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной","authors":"К. А. Лозовой, В. В. Дирко, А. П. Коханенко","doi":"10.34077/rcsp2021-64","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-64","url":null,"abstract":"В данной работе рассматривается эпитаксиальное выращивание напряженных двумерных слоев\u0000германия и твердого раствора германия-кремния различного состава, а также особенности\u0000формирования квантовых точек в этих системах. Проводится теоретическое рассмотрение влияния\u0000зависимости поверхностных энергий и упругих напряжений от толщины осажденного материала\u0000на формирование двумерных слоев и квантовых точек по механизму Странского–Крастанова. Помимо\u0000этого, произведено моделирование миграции адатомов и формирования островков методом\u0000молекулярной динамики.\u0000Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до\u0000нескольких монослоев, а также появления двумерных и трехмерных островков. Особое внимание\u0000уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения\u0000нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту при выращивании 2D-материалов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"23 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116222796","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
К. С. Журавлев, А. С. Башкатов, Ольга Николаевна Морозова
В настоящее время при росте гетероструктур используются бинарные соединения InSb, InAs, InSb и многокомпонентные твердые растворы InGaAs и InAsSb; активно применяются и разрабатываются низкоразмерные гетероструктуры с нанометровыми барьерами, с квантовыми ямами, квантовыми точками, сверхрешетками и нанопроволоками. Для увеличении связи света с электронные состояниями поглощающего материала, повышения чувствительности ИК ФП широко исследуются возможности наноструктур в качестве просветляющих покрытий, оптических антенн, плазмонных структур и метаматериалов. Твердый раствор In0,53Ga0,47As (Eg = 0,73 эВ), согласованный с InP подложкой, является наиболее подходящим материалом для детекторов спектрального диапазона 1.0–1.7 мкм. ФП на его основе имеют высокую чувствительность, низкий темновой ток и шум. Чувствительность ФП можно максимизировать на желаемой длине волны, создать гетероструктуры с усилением света за счет электронной инжекции или лавинного усиления. Активно развиваются конструкции гетероструктур для малошумящих лавинных ФП. Еще один материал из семейства III – V, который выделяется на фоне других материалов для ИК ФП - InAsSb. Этот тройной раствор, более устойчив по сравнению с HgCdTe, имеет низкий коэффициент самодиффузии, довольно слабую зависимость между шириной запрещенной зоны и составом и малую диэлектрическую проницаемость, обеспечивающую более короткое время диэлектрической релаксации и меньшая емкость. На его основе создаются короткопериодные сверхрешетки второго рода, характеристики которых значительно улучшены в последнее время за счет введения блокирующего слоя с большей шириной запрещенной зоны чем окружающие слои сверхрешетки. Стремление более высоких рабочих температур, более высокой эффективности и более низкой стоимости ИК ФП стимулировали поиск гетероструктур с меньшая квантовой размерностью. Большие надежды возлагались на нуль-мерные структуры. В настоящее время активно исследуются возможности нанопроволок. Рассматривается три типа фотоприемников: фотопроводники, фототранзисторы и гетероструктурные фотодиоды на основе InAs, InGaAs, InPAs и InGaSb нанопроволок. В докладе анализируются достоинства и недостатки продемонстрированных приборов, включая самые многообещающие фотоприемники на основе нанопроволок с лавинным умножением. Кроме того в докладе рассматриваются новые нанотехнологические приемы, позволяющие усилить взаимодействие света с электронной системой гетероструктур.
{"title":"Перспективные гетероструктуры на основе А3В5 полупроводников для\u0000фотоприемников ближнего и среднего ИК диапазонов спектра","authors":"К. С. Журавлев, А. С. Башкатов, Ольга Николаевна Морозова","doi":"10.34077/rcsp2021-32","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-32","url":null,"abstract":"В настоящее время при росте\u0000гетероструктур используются бинарные соединения InSb, InAs, InSb и многокомпонентные твердые\u0000растворы InGaAs и InAsSb; активно применяются и разрабатываются низкоразмерные\u0000гетероструктуры с нанометровыми барьерами, с квантовыми ямами, квантовыми точками,\u0000сверхрешетками и нанопроволоками. Для увеличении связи света с электронные состояниями\u0000поглощающего материала, повышения чувствительности ИК ФП широко исследуются возможности\u0000наноструктур в качестве просветляющих покрытий, оптических антенн, плазмонных структур и\u0000метаматериалов. Твердый раствор In0,53Ga0,47As (Eg = 0,73 эВ), согласованный с InP подложкой,\u0000является наиболее подходящим материалом для детекторов спектрального диапазона 1.0–1.7 мкм. ФП\u0000на его основе имеют высокую чувствительность, низкий темновой ток и шум. Чувствительность ФП\u0000можно максимизировать на желаемой длине волны, создать гетероструктуры с усилением света за счет\u0000электронной инжекции или лавинного усиления. Активно развиваются конструкции гетероструктур\u0000для малошумящих лавинных ФП. Еще один материал из семейства III – V, который выделяется на фоне\u0000других материалов для ИК ФП - InAsSb. Этот тройной раствор, более устойчив по сравнению с\u0000HgCdTe, имеет низкий коэффициент самодиффузии, довольно слабую зависимость между шириной\u0000запрещенной зоны и составом и малую диэлектрическую проницаемость, обеспечивающую более\u0000короткое время диэлектрической релаксации и меньшая емкость. На его основе создаются\u0000короткопериодные сверхрешетки второго рода, характеристики которых значительно улучшены в\u0000последнее время за счет введения блокирующего слоя с большей шириной запрещенной зоны чем\u0000окружающие слои сверхрешетки. Стремление более высоких рабочих температур, более высокой\u0000эффективности и более низкой стоимости ИК ФП стимулировали поиск гетероструктур с меньшая\u0000квантовой размерностью. Большие надежды возлагались на нуль-мерные структуры. В настоящее\u0000время активно исследуются возможности нанопроволок. Рассматривается три типа фотоприемников:\u0000фотопроводники, фототранзисторы и гетероструктурные фотодиоды на основе InAs, InGaAs, InPAs и\u0000InGaSb нанопроволок. В докладе анализируются достоинства и недостатки продемонстрированных\u0000приборов, включая самые многообещающие фотоприемники на основе нанопроволок с лавинным\u0000умножением. Кроме того в докладе рассматриваются новые нанотехнологические приемы,\u0000позволяющие усилить взаимодействие света с электронной системой гетероструктур.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"2 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115424765","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：