ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ最新文献

{"title":"Влияние состава слоёв металлизации и отжига в формовочном газе на параметры\u0000барьеров Шоттки на основе In0.52Al0.48As","authors":"И. Ю. Гензе, М.С. Аксенов, Н. А. Валишева","doi":"10.34077/rcsp2021-37","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-37","url":null,"abstract":"В данной работе было установлено влияние отжига различной продолжительности при\u0000температурах 300, 350, 400 °C на параметры Ti/InAlAs БШ.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"20 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127684945","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Использование магнитных наночастиц в устройствах управления ТГц излучением","authors":"Д. М. Ежов, Е. В. Савельев, Е. Д. Фахрутдинова","doi":"10.34077/rcsp2021-53","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-53","url":null,"abstract":"В ходе работы, нами были созданы и\u0000исследованы модуляторы ТГц излучения этих\u0000двух типов. Были исследованы пленочные\u0000поляризационные фильтры на основе\u0000магнитомягких субмикронных частиц сплава\u00005БДСР или наночастиц Fe, полученных электровзрывом, или импульсной лазерной абляцией.\u0000Магнитные частицы осаждались в присутствии постоянного магнитного поля в полимерную матрицу\u0000на основе фторопласта Ф-42 или этиленвинилацетата (EVA) [5]. Доля частиц к массе полимерной\u0000матрицы варьировалось от единиц до 15%. Спектры пропускания лучших плёнок, полученных на\u0000основе EVA, приведены на рисунке сверху справа.\u0000Был разработан и протестирован\u0000образец жидкостного фильтра, способного\u0000неселективно управлять интенсивностью\u0000излучения в диапазоне 0,4-1,4 ТГц. Фильтр\u0000представляет собой 10 мм кювету с 5%\u0000дисперсий частиц 5БДСР в масле 80W-90,\u0000помещенную на пути ТГц излучения,\u0000внутри скрещенной пары катушек\u0000Гельмгольца. Созданный образец фильтра\u0000позволяет достигать коэффициента\u0000затухания вплоть до 35 дБ, как показано на\u0000рисунке слева, что сравнимо с традиционно\u0000выпускаемыми фильтрами.\u0000Автоматическая система запуска и\u0000перемешивания делает работу фильтра повторяемой, даже при многократной смене состояний\u0000открыт/закрыт фильтра.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"25 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128085304","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Электрон-ядерное взаимодействия в X долине гетероструктур (In,Al)As/AlAs","authors":"Т. С. Шамирзаев, С. М. Кузнецова, К. В. Кавокин","doi":"10.34077/rcsp2021-36","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-36","url":null,"abstract":"Экспериментально и теоретически изучалось сверхтонкое взаимодействие электронов и ядер в\u0000непрямозонных КТ (In,Al)As/AlAs первого рода. Особенностью этих непрямозонных КТ является\u0000пренебрежимо малое анизотропное обменное взаимодействие электрона в Х долине и дырки в Г\u0000долине, что приводит к формированию экситонов, с «чистыми» спиновыми состояниями |±1>,\u0000рекомбинирующих с излучением циркулярно-поляризованных фотонов. Для экспериментального\u0000определения электрон-ядерного взаимодействия измерялась циркулярная поляризация\u0000фотолюминесценции КТ в поперечном (эффект Ханле) и продольном (эффект восстановления\u0000циркулярной поляризации PRC) магнитных полях. Фотолюминесценция непрямо-зонных КТ\u0000возбуждалась квазирезонансно, через возбужденные состояния электрона, принадлежащие Г долине\u0000зоны проводимости циркулярно-поляризованым излучением Ti:Sapphire лазера.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"17 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132661462","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Перспективы коллоидной оптоэлектроники","authors":"С. В. Гапоненко","doi":"10.34077/rcsp2021-22","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-22","url":null,"abstract":"В современной оптоэлектронике доминирует эпитаксиальный рост планарных\u0000полупроводниковых кристаллов и наноструктур в сочетании с фотолитографией. Этот принцип\u0000используется при производстве светодиодов, полупроводниковых лазеров, солнечных элементов и\u0000фотодетекторов типа ПЗС-матриц в видео- и фотокамерах. В то же время коллоидные наноструктуры,\u0000получаемые без применения эпитаксии и вакуумного осаждения, проявляют квантовые размерные\u0000эффекты, позволяющие изменять их оптические свойства, которые можно использовать в различных\u0000оптоэлектронных устройствах. Коллоидный синтез нанокристаллов полупроводников («квантовые\u0000точrи» и нанопластинки), металлов (наноплазмоника) и диэлектриков, структур «ядро-оболочка», а\u0000также плотных ансамблей нанокристаллов позволяет создавать различные устройства, при\u0000изготовлении которых вакуумное напыление используется только для создания контактов, а\u0000эпитаксиальный рост не используется вовсе. Ниже перечислены основные элементы оптоэлектроники\u0000и состояние их реализации на основе коллоидных технологий:\u0000- оптические фильтры (уже применяются);\u0000- лазерные затворы для получения нано- и пикосекундных импульсов в твердотельных лазерах\u0000(реализованы для целого ряда лазеров);\u0000- люминофоры, включая биометки, преобразователи спектра для белых светодиодов,\u0000спектральные конверторы лазерного излучения (начато применение в телевизорах и\u0000компьютерных дисплеях, в дисплеях ай-падов и мобильных телефонов);\u0000- светодиоды (продемонстрирована принципиальная возможность);\u0000- лазеры с оптической накачкой (продемонстрирована принципиальная возможность);\u0000- электрооптические модуляторы (на стадии лабораторных исследований);\u0000- солнечные элементы (на стадии лабораторных исследований).\u0000- фототранзисторы (на стадии лабораторных исследований).\u0000Анализ состояния исследований в этой области позволяет говорить о рождении новой\u0000технологической платформы в оптоэлектронике, которая сможет в отдельных приложениях\u0000замещать традиционные эпитаксиальные технологии.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"16 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114721960","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с\u0000учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной","authors":"К. А. Лозовой, В. В. Дирко, А. П. Коханенко","doi":"10.34077/rcsp2021-64","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-64","url":null,"abstract":"В данной работе рассматривается эпитаксиальное выращивание напряженных двумерных слоев\u0000германия и твердого раствора германия-кремния различного состава, а также особенности\u0000формирования квантовых точек в этих системах. Проводится теоретическое рассмотрение влияния\u0000зависимости поверхностных энергий и упругих напряжений от толщины осажденного материала\u0000на формирование двумерных слоев и квантовых точек по механизму Странского–Крастанова. Помимо\u0000этого, произведено моделирование миграции адатомов и формирования островков методом\u0000молекулярной динамики.\u0000Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до\u0000нескольких монослоев, а также появления двумерных и трехмерных островков. Особое внимание\u0000уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения\u0000нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту при выращивании 2D-материалов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"23 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116222796","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Перспективные гетероструктуры на основе А3В5 полупроводников для\u0000фотоприемников ближнего и среднего ИК диапазонов спектра","authors":"К. С. Журавлев, А. С. Башкатов, Ольга Николаевна Морозова","doi":"10.34077/rcsp2021-32","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-32","url":null,"abstract":"В настоящее время при росте\u0000гетероструктур используются бинарные соединения InSb, InAs, InSb и многокомпонентные твердые\u0000растворы InGaAs и InAsSb; активно применяются и разрабатываются низкоразмерные\u0000гетероструктуры с нанометровыми барьерами, с квантовыми ямами, квантовыми точками,\u0000сверхрешетками и нанопроволоками. Для увеличении связи света с электронные состояниями\u0000поглощающего материала, повышения чувствительности ИК ФП широко исследуются возможности\u0000наноструктур в качестве просветляющих покрытий, оптических антенн, плазмонных структур и\u0000метаматериалов. Твердый раствор In0,53Ga0,47As (Eg = 0,73 эВ), согласованный с InP подложкой,\u0000является наиболее подходящим материалом для детекторов спектрального диапазона 1.0–1.7 мкм. ФП\u0000на его основе имеют высокую чувствительность, низкий темновой ток и шум. Чувствительность ФП\u0000можно максимизировать на желаемой длине волны, создать гетероструктуры с усилением света за счет\u0000электронной инжекции или лавинного усиления. Активно развиваются конструкции гетероструктур\u0000для малошумящих лавинных ФП. Еще один материал из семейства III – V, который выделяется на фоне\u0000других материалов для ИК ФП - InAsSb. Этот тройной раствор, более устойчив по сравнению с\u0000HgCdTe, имеет низкий коэффициент самодиффузии, довольно слабую зависимость между шириной\u0000запрещенной зоны и составом и малую диэлектрическую проницаемость, обеспечивающую более\u0000короткое время диэлектрической релаксации и меньшая емкость. На его основе создаются\u0000короткопериодные сверхрешетки второго рода, характеристики которых значительно улучшены в\u0000последнее время за счет введения блокирующего слоя с большей шириной запрещенной зоны чем\u0000окружающие слои сверхрешетки. Стремление более высоких рабочих температур, более высокой\u0000эффективности и более низкой стоимости ИК ФП стимулировали поиск гетероструктур с меньшая\u0000квантовой размерностью. Большие надежды возлагались на нуль-мерные структуры. В настоящее\u0000время активно исследуются возможности нанопроволок. Рассматривается три типа фотоприемников:\u0000фотопроводники, фототранзисторы и гетероструктурные фотодиоды на основе InAs, InGaAs, InPAs и\u0000InGaSb нанопроволок. В докладе анализируются достоинства и недостатки продемонстрированных\u0000приборов, включая самые многообещающие фотоприемники на основе нанопроволок с лавинным\u0000умножением. Кроме того в докладе рассматриваются новые нанотехнологические приемы,\u0000позволяющие усилить взаимодействие света с электронной системой гетероструктур.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"2 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115424765","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Исследование температурной зависимости границ спектральной характеристики\u0000чувствительности фотомодулей на основе КРТ","authors":"В.С. Ковшов, Антон Викторович Никонов, К.О. Болтарь","doi":"10.34077/rcsp2021-141","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-141","url":null,"abstract":"Повышение требований к тактико-техническим характеристикам оптико-электронных систем ИКдиапазона, наблюдаемое в последнее десятилетие, является катализатором для непрерывного\u0000совершенствования и оптимизации технологии изготовления современных фотоприемных устройств.\u0000Особые требования предъявляются в первую очередь к полупроводниковым материалам и\u0000соединениям на их основе, используемым для изготовления фоточувствительных элементов.\u0000Фотомодули на основе гетероэпитаксиальных структур тройных соединений кадмий-ртуть-теллур\u0000(КРТ) стабильно занимают широкую область рынка изделий фотоэлектроники [1, 2]. Вместе с тем,\u0000перед разработчиками стоит вопрос совершенствования технологии изготовления таких фотомодулей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123140406","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Стимулированное излучение в диапазоне 10-31 мкм в гетероструктурах с квантовыми\u0000ямами HgTe / CdHgTe с диэлектрическим и «фононным» волноводами","authors":"С. В. Морозов","doi":"10.34077/rcsp2021-29","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-29","url":null,"abstract":"В данной работе в волноводных гетероструктурах с\u0000HgTe/HgCdTe КЯ, выращенных методом МПЭ на\u0000полуизолирующей GaAs (013) подложке с ZnTe и CdTe\u0000буферами, было получено стимулированное излучение (СИ) при импульсной оптической накачке на\u0000длинах волн вплоть до 25 мкм. В области меньших длин волн λ ~ 10 мкм пороговая интенсивность\u0000накачки составляла всего 120 Вт/см2\u0000(λexc ~ 2 мкм), и СИ было получено даже при непрерывной накачке\u0000(λexc ~ 0.9 мкм). В рамках работы рассчитана пороговая энергия оже-рекомбинации для серии КЯ\u0000HgTe/CdxHg1-xTe с одинаковой Eg ~ 70 мэВ (соответствует λ ~ 18 мкм), но различной толщиной КЯ и\u0000долей Cd в барьерах. Продемонстрирована немонотонная зависимость пороговой энергии ожерекомбинации от доли Cd в барьерах, имеющая максимум при xCd = 0.5 – 0.7. Показано, что применение\u0000узких КЯ HgTe/CdHgTe с оптимальным составом барьеров позволяет подавить оже-рекомбинацию и\u0000продвинуться по длине волны СИ в диапазон λ > 25 мкм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"2 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130010992","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Новая концепция пировидикона на основе пироэлектрического\u0000электронно−оптического преобразователя диапазона 1-12 мкм","authors":"О. Е. Терещенко, Сергей Владимирович Иванов, Н. А. Половников","doi":"10.34077/rcsp2021-33","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-33","url":null,"abstract":"Основная цель работы − реализация концепции создания неохлаждаемых тепловизионных\u0000приборов с высоким пространственным разрешением, формирующих тепловое изображение в\u0000диапазоне длин волн 1-14 мкм, на основе пироэлектрических пленок Sr1-xBaxNb2O6 (SBN) с\u0000использованием внутреннего усиления.\u0000В работе представлена концепция пировидикона, представляющих собой пирикон со сплошной\u0000мишенью из пироэлектрика Sr1-xBaxNb2O6, интегрированной в вакуумный фотодиод с\u0000мультищелочным фотокатодом. В отличие от стандартного пировидикона роль катода выполняет\u0000мультищелочной катод, а сканирование электронным пучком осуществляется разверткой лазерного\u0000луча. Изменение температуры, вызванное инфракрасным изображением, создает соответствующее\u0000распределение потенциала, которое считывается сканирующим электронным лучом. К преимуществу\u0000пирикона можно отнести отсутствие мультиплексора, роль которого выполняет считывающий\u0000электронный пучок. Недостатком – отсутствие внутреннего усиления пироэлектрического сигнала.\u0000Одним из решений преодоления отмеченного недостатка является создание пироэлектрического\u0000электронно − оптического преобразователя (ПЭОП) [1].\u0000Нами предложен ПЭОП с пиромишенью на основе пленки SBN со сквозными отверстиями для\u0000прохождения электронного потока, который модулируется в соответствии с распределением\u0000потенциала на поверхности мишени, возникающим при проецировании на мишень теплового\u0000излучения. В работе изучены пироэлектрические и оптические свойства пленок SBN:La толщиной 0.5-\u00002.5 мкм, выращенные методом высокочастотного вакуумного осаждения на поверхность тонких\u0000металлических фольг и кремния. Изучен состав, структура и морфология полученных пленок SBN.\u0000Полученные величины пирокоэффициента γ варьировались в диапазоне 6.1-81.5 нКл/(см2К) в\u0000зависимости от температуры роста и толщины пленок. Изучен фазовый переход.\u0000Собран первый прототип ПЭОП на основе ЭОП-2\u0000+\u0000, в котором изучены фотоэмиссионные свойства\u0000и проведены измерения энергетического распределения фотоэлектронов, проходящих сквозь\u0000пиромишень.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130246717","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}

{"title":"Особенности моделирования интегрально-оптических элементов для радиофотоники","authors":"Андрей Валерьевич Царев, Р.М. Тазиев","doi":"10.34077/rcsp2021-86","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-86","url":null,"abstract":"В работе обсуждаются результаты численного моделирования волноводных электрооптических\u0000модуляторов, использующих различные физические эффекты. Это модуляторы на электрооптических\u0000полимерах с возможностью снижения до 2.5 раз управляющего напряжения за счет применения\u0000замедляющих диэлектрических полосок, кремниевых модуляторов с вертикальным p-n переходом\u0000с низким управляющим напряжением, модуляторов на основе квантово-размерного эффекта\u0000Штарка в свехрешетках на основе двухслойных волноводов на основе фосфида индия с возможностью\u0000эффективного согласования излучения с оптическим волокном. Основные выводы\u0000проиллюстрированы методами численного моделирования с использование оптического пакета от\u0000Rsoft.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130898488","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}