Н.А. Лаврентьев, Е. В. Мирофянченко, А. Е. Мирофянченко
В работе, из объёмного кристаллического теллурида висмута, методом жидкостной эксфолиации формировали суспензии нанокристаллов, как в различных дисперсионных средах, так и при различных режимах ультразвуковой обработки. Различными аналитическими методами были измерены средние толщины и латеральные размеры частиц. Кроме этого, полученные рамановские спектры и данные рентгеновской дифрактометрии, показывают различия в строении кристаллической решётки полученных нанокристаллов и объемного материала. Кроме этого, были обнаружены зависимости спектральных характеристик от размера кристаллов.
{"title":"Получение двумерных нанокристаллов Bi2Te3 методом жидкофазной эксфолиации для\u0000использования в датчиках ИК диапазона спектра","authors":"Н.А. Лаврентьев, Е. В. Мирофянченко, А. Е. Мирофянченко","doi":"10.34077/rcsp2021-80","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-80","url":null,"abstract":"В работе, из объёмного кристаллического теллурида висмута, методом жидкостной эксфолиации\u0000формировали суспензии нанокристаллов, как в различных дисперсионных средах, так и при различных\u0000режимах ультразвуковой обработки. Различными аналитическими методами были измерены средние\u0000толщины и латеральные размеры частиц. Кроме этого, полученные рамановские спектры и данные\u0000рентгеновской дифрактометрии, показывают различия в строении кристаллической решётки\u0000полученных нанокристаллов и объемного материала. Кроме этого, были обнаружены зависимости\u0000спектральных характеристик от размера кристаллов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"26 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"123616360","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на охлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин: GaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки, позволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре со стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов фиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом криостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой напряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв равнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм, компенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше исследованных толщин GaAs и кремния.
通过比较已知的方法来定位光敏混合动力车的低温底座。它是在一个板块模型中完成的:可选补偿层(GaAs / In / Si / GaAs)。固定方法:在冷却时可以自由弯曲的装配，硅电路蓝宝石破碎时的固定装置。在比较固定的方式下，厚度的变化使得在冷却冷却器中选择混合安装的最佳结构。研究是用径向对称模型进行的，在这种模型中，冷却电压是由有限元素模拟的。它的直径是10毫米。GaAs和硅的厚度从50 m到700 m不等，补偿层从0 m到700 m不等。蓝宝石层厚度吸收了许多被探索过的GaAs和硅厚度。
{"title":"Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки на\u0000охлаждаемом пьедестале криостата","authors":"П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов","doi":"10.34077/rcsp2021-151","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-151","url":null,"abstract":"Проведено сравнение известных способов фиксации фоточувствительной гибридной сборки на\u0000охлаждаемом пьедестале криостата. Оно осуществлялось на модели сборки, состоящей из пластин:\u0000GaAs / In / Si / GaAs (опциональный компенсационный слой). Способы фиксации: закрепление сборки,\u0000позволяющее свободно изгибаться при охлаждении, жесткое крепление сборки на сапфировом растре\u0000со стороны кремниевой микросхемы. Варьирование толщин в рамках сравниваемых способов\u0000фиксации, позволило выбрать оптимальную конструкцию крепления гибридной сборки в охлаждаемом\u0000криостате. Исследование проводилось с помощью радиально-симметричной модели, в которой\u0000напряжения при охлаждении моделировались методом конечных элементов. Диаметр всех слоёв\u0000равнялся 10 мм. Толщины слоёв GaAs и кремния варьировались от 50 мкм до 700 мкм,\u0000компенсационного слоя GaAs – от 0 мкм до 700 мкм. Толщина слоя сапфира бралась много больше\u0000исследованных толщин GaAs и кремния.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130259976","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Для оценки возможностей корреляционные алгоритмов, с помощью которых производится сопоставление построенного изображения с заданным шаблоном с учетом яркости отдельных формирующих его пикселей, в условиях внеполевой засветки была разработана соответствующая модель стандартного изображения разнородного подстилающего фона с размещенными на нем различными геометрическими фигурами [4], в которой в зависимости от угла падения лазерного излучения на входную апертуру ОЭС и его мощности изменялось количество засвеченных пикселей в формируемом изображении.
{"title":"Влияние лазерной засветки на распознавание объектов оптико-электронными\u0000системами на основе ИК матричных фотоприемных устройств","authors":"Д. С. Конради, М. В. Сахаров, В. Г. Средин","doi":"10.34077/rcsp2021-44","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-44","url":null,"abstract":"Для оценки\u0000возможностей корреляционные алгоритмов, с помощью\u0000которых производится сопоставление построенного изображения с заданным шаблоном с учетом\u0000яркости отдельных формирующих его пикселей, в условиях внеполевой засветки была разработана\u0000соответствующая модель стандартного изображения разнородного подстилающего фона с\u0000размещенными на нем различными геометрическими фигурами [4], в которой в зависимости от угла\u0000падения лазерного излучения на входную апертуру ОЭС и его мощности изменялось количество\u0000засвеченных пикселей в формируемом\u0000изображении.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127816280","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Оптико-электронные системы (ОЭС) находят всё более широкое применения, в том числе в мобильных интеллектуальных системах, где принятие решения по управлению системы возложено на вычислительное устройство. В связи с этим предъявляются новые требования на основные параметры ОЭС. Среди них – разработка новых эффективных программно-аппаратных комплексов с повышенной глубиной обработки информации, существенное снижение массогабаритных параметров и энергопотребления.
{"title":"Направления развития оптико-электронных систем и приборов в Филиале ИФП СО\u0000РАН \"КТИПМ\"","authors":"А В Голицын, А.А. Голицын, А. О. Лебедев","doi":"10.34077/rcsp2021-88","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-88","url":null,"abstract":"Оптико-электронные системы (ОЭС) находят всё более широкое применения, в том числе в\u0000мобильных интеллектуальных системах, где принятие решения по управлению системы возложено на\u0000вычислительное устройство. В связи с этим предъявляются новые требования на основные параметры\u0000ОЭС. Среди них – разработка новых эффективных программно-аппаратных комплексов с повышенной\u0000глубиной обработки информации, существенное снижение массогабаритных параметров и\u0000энергопотребления.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128976741","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Николай Николаевич Михайлов, Сергей Алексеевич Дворецкий, Р. В. Меньшиков
Рассмотрены особенности выращивания сложных гетероструктур на основе твердого раствора CdHgTe и HgCdTe/HgTe квантовых ям (КЯ) на альтернативных подложках из (013) CdTe/ZnTe/GaAs диаметром до 3-х дюймов методом молекулярно-лучевой эпитаксии с in situ эллипсометрическим контролем состава и толщины на сверхвысоковакуумной установке “Обь-М” с модернизированной системой молекулярных источников. Для лазерных структур при последовательно росте выращиваются толстые волноводные слои CdHgTe с составами 0,7-0,95 молярных долей CdTe и толщиной 0.3-10 мкм, в объеме которых встроены квантовые ямы (КЯ) HgCdTe/HgTe/HgCdTe в количестве от 3 до 15 КЯ с такими параметрами: состав в КЯ и барьерах 30 нм составлял менее 0,05 и 0,7-0,95 и толщиной 2.5 - 7,8 нм и 30 нм соответственно. Такие структуры обеспечивают длину волны стимулированного излучения в диапазоне от 3 до 31 мкм.
{"title":"МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых\u0000растворов CdHgTe","authors":"Николай Николаевич Михайлов, Сергей Алексеевич Дворецкий, Р. В. Меньшиков","doi":"10.34077/rcsp2021-45","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-45","url":null,"abstract":"Рассмотрены особенности выращивания сложных гетероструктур на основе твердого раствора\u0000CdHgTe и HgCdTe/HgTe квантовых ям (КЯ) на альтернативных подложках из (013) CdTe/ZnTe/GaAs\u0000диаметром до 3-х дюймов методом молекулярно-лучевой эпитаксии с in situ эллипсометрическим\u0000контролем состава и толщины на сверхвысоковакуумной установке “Обь-М” с модернизированной\u0000системой молекулярных источников. Для лазерных структур при последовательно росте\u0000выращиваются толстые волноводные слои CdHgTe с составами 0,7-0,95 молярных долей CdTe и\u0000толщиной 0.3-10 мкм, в объеме которых встроены квантовые ямы (КЯ) HgCdTe/HgTe/HgCdTe в\u0000количестве от 3 до 15 КЯ с такими параметрами: состав в КЯ и барьерах 30 нм составлял менее 0,05 и\u00000,7-0,95 и толщиной 2.5 - 7,8 нм и 30 нм соответственно. Такие структуры обеспечивают длину волны\u0000стимулированного излучения в диапазоне от 3 до 31 мкм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"12 4","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"113934653","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Ж. В. Смагина, Виктор Александрович Зиновьев, Е. Е. Родякина
В данной работе представлены результаты по самоорганизации пространственно-упорядоченных Ge(Si) КТ в процессе гетероэпиаксиального роста на структурированной поверхности кремния на изоляторе (SOI) и исследованию люминесцентных свойств упорядоченных КТ, встроенных в двумерные фотонные кристаллы (ФК). Для встраивания КТ в ФК использовались два подхода.
{"title":"Структурные и излучательные свойства упорядоченных Ge(Si) квантовых точек,\u0000встроенных в фотонные кристаллы","authors":"Ж. В. Смагина, Виктор Александрович Зиновьев, Е. Е. Родякина","doi":"10.34077/rcsp2021-76","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-76","url":null,"abstract":"В данной работе представлены результаты по самоорганизации\u0000пространственно-упорядоченных Ge(Si) КТ в процессе гетероэпиаксиального роста на\u0000структурированной поверхности кремния на изоляторе (SOI) и исследованию люминесцентных\u0000свойств упорядоченных КТ, встроенных в двумерные фотонные кристаллы (ФК). Для встраивания КТ\u0000в ФК использовались два подхода.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"80 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116022760","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Алексей Валерьевич Марченко, А.Г. Милёхин, Н. Н. Курусь
Двумерные халькогениды переходных металлов являются перспективными материалами для создания быстродействующих компонентов электронной техники и оптоэлектронных приборов. Особый интерес среди данного класса материалов представляет двумерный дисульфид молибдена (MoS2), обладающий уникальными электронными и оптическими свойствами. Так, при уменьшении толщины пленки дисульфида молибдена до нескольких монослоёв происходит изменение его электронной зонной структуры, что проявляется в изменениях спектров комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ). Таким образом, исследование взаимосвязи структурных и оптических свойств MoS2 является актуальной задачей.
{"title":"Эмиссия света двумерными островками дисульфида молибдена","authors":"Алексей Валерьевич Марченко, А.Г. Милёхин, Н. Н. Курусь","doi":"10.34077/rcsp2021-123","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-123","url":null,"abstract":"Двумерные халькогениды переходных металлов являются перспективными материалами для\u0000создания быстродействующих компонентов электронной техники и оптоэлектронных приборов.\u0000Особый интерес среди данного класса материалов представляет двумерный дисульфид молибдена\u0000(MoS2), обладающий уникальными электронными и оптическими свойствами. Так, при уменьшении\u0000толщины пленки дисульфида молибдена до нескольких монослоёв происходит изменение его\u0000электронной зонной структуры, что проявляется в изменениях спектров комбинационного рассеяния\u0000света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ). Таким образом, исследование взаимосвязи структурных и\u0000оптических свойств MoS2 является актуальной задачей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"16 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131646698","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
М.С. Кораблин, Владимир Васильевич Гончаров, А. В. Никонов
В технологии изготовления гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами (QWIP-структур), применяемых для создания матричных фотоприемных устройств среднего и дальнего ИК-диапазона, существенную роль играет прецизионный контроль свойств фоточувствительных материалов [1]. Критически важными контролируемыми характеристиками являются распределение коэффициентов пропускания и отражения структуры по длинам волн излучения. В связи с топологической сложностью QWIP-структур на основе гетеропары AlGaAs/GaAs (количество и наноразмерная толщина эпитаксиальных слоев в активной области) актуальной задачей, стоящей перед разработчиками, является реализация расчётных методов, позволяющих как прогнозировать параметры структур с высокой точностью, так и предоставлять необходимые данные для обеспечения технологического процесса эпитаксиального роста.
{"title":"Расчётная модель оптических характеристик соединения AlGaAs для контроля\u0000параметров QWIP-структур","authors":"М.С. Кораблин, Владимир Васильевич Гончаров, А. В. Никонов","doi":"10.34077/rcsp2021-120","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-120","url":null,"abstract":"В технологии изготовления гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами\u0000(QWIP-структур), применяемых для создания матричных фотоприемных устройств среднего и\u0000дальнего ИК-диапазона, существенную роль играет прецизионный контроль свойств\u0000фоточувствительных материалов [1]. Критически важными контролируемыми характеристиками\u0000являются распределение коэффициентов пропускания и отражения структуры по длинам волн\u0000излучения. В связи с топологической сложностью QWIP-структур на основе гетеропары AlGaAs/GaAs\u0000(количество и наноразмерная толщина эпитаксиальных слоев в активной области) актуальной задачей,\u0000стоящей перед разработчиками, является реализация расчётных методов, позволяющих как\u0000прогнозировать параметры структур с высокой точностью, так и предоставлять необходимые данные\u0000для обеспечения технологического процесса эпитаксиального роста.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116868340","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В Филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» разработана и изготовлена тепловизионная камера (ТПК) на базе отечественного матричного КРТ фотоприемника дальнего ИК-диапазона, с микросканированием. Корпус ТПК выполнен в габаритах французской камеры «Catrine-FC», передняя часть объектива выступает за корпус прибора на 75 мм. Камера позволяет получать качественное изображение высокого разрешения с использованием малоформатной матрицы. Коррекция неоднородности сигнала фотоприемника осуществляется в автоматическом режиме, с использованием встроенных в тракт оптической системы механизмов в комплексе с алгоритмами калибровки по сигналам сцены.
{"title":"Малогабаритная тепловизионная камера с микросканированием на базе отечественного матричного КРТ фотоприемника","authors":"И. И. Кремис, Р. А. Гладков, А. С. Турбин","doi":"10.34077/rcsp2021-46","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-46","url":null,"abstract":"В Филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» разработана и изготовлена тепловизионная камера (ТПК) на\u0000базе отечественного матричного КРТ фотоприемника дальнего ИК-диапазона, с микросканированием.\u0000Корпус ТПК выполнен в габаритах французской камеры «Catrine-FC», передняя часть объектива\u0000выступает за корпус прибора на 75 мм.\u0000Камера позволяет получать качественное изображение высокого разрешения с использованием\u0000малоформатной матрицы. Коррекция неоднородности сигнала фотоприемника осуществляется в\u0000автоматическом режиме, с использованием встроенных в тракт оптической системы механизмов в\u0000комплексе с алгоритмами калибровки по сигналам сцены.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"34 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130694997","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
При изготовлении фотоприемных матриц для улучшения их частотно-контрастной характеристики (ЧКХ) необходимо уменьшить фотоэлектрическую связь между фотоприемными элементами. Поскольку влияние диффузии носителей заряда в CdHgTe (КРТ) увеличивается с уменьшением расстояния между фотодиодами, улучшение ЧКХ достигается за счет физического разделения при помощи травления меза-структуры. В настоящее время меза-структуры создаются с помощью жидкостного травления водным раствором Br+HBr. При таком травлении на поверхности КРТ образуется избыточный теллур, а также появляются другие дефекты, которые влияют на электрофизические свойства фотодетекторов. Для уменьшения влияния этих дефектов перспективным направлением является проведение дополнительных обработок КРТ после травления перед нанесением диэлектрика. Таким образом, целью данной работы является изучение влияния собственного окисла КРТ после жидкостного травления Br+HBr на электрофизические свойства границы раздела КРТ – Al2O3.
{"title":"Пассивация собственным окислом поверхности CdHgTe, подвергнутой жидкостному\u0000травлению","authors":"И. А. Краснова, Д В Горшков, Г. И. Сидоров","doi":"10.34077/rcsp2021-127","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-127","url":null,"abstract":"При изготовлении фотоприемных матриц для улучшения их частотно-контрастной характеристики\u0000(ЧКХ) необходимо уменьшить фотоэлектрическую связь между фотоприемными элементами.\u0000Поскольку влияние диффузии носителей заряда в CdHgTe (КРТ) увеличивается с уменьшением\u0000расстояния между фотодиодами, улучшение ЧКХ достигается за счет физического разделения при\u0000помощи травления меза-структуры. В настоящее время меза-структуры создаются с помощью\u0000жидкостного травления водным раствором Br+HBr. При таком травлении на поверхности КРТ\u0000образуется избыточный теллур, а также появляются другие дефекты, которые влияют на\u0000электрофизические свойства фотодетекторов. Для уменьшения влияния этих дефектов перспективным\u0000направлением является проведение дополнительных обработок КРТ после травления перед\u0000нанесением диэлектрика. Таким образом, целью данной работы является изучение влияния\u0000собственного окисла КРТ после жидкостного травления Br+HBr на электрофизические свойства\u0000границы раздела КРТ – Al2O3.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"29 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124174261","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：