В данной работе кристаллическая структура и форма КТ CdS, полученных методом ЛенгмюраБлоджетт, изучались методами просвечивающей электронной микроскопии, спектроскопии тонкой структуры расширенного поглощения рентгеновских лучей (EXAFS) и ультрафиолетовой спектроскопии. Для определения преобладающих дефектов поверхности использовались методы рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и стационарной фотолюминесцентной спектроскопии (ФЛ).
{"title":"Кристаллическая структура и преобладающие дефекты в квантовых точках CdS,\u0000сформированных методом Ленгмюра-Блоджетт","authors":"К.А. Свит, К. А. Зарубанов, Т. А. Дуда","doi":"10.34077/rcsp2021-62","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-62","url":null,"abstract":"В данной работе кристаллическая структура и форма КТ CdS, полученных методом ЛенгмюраБлоджетт, изучались методами просвечивающей электронной микроскопии, спектроскопии тонкой\u0000структуры расширенного поглощения рентгеновских лучей (EXAFS) и ультрафиолетовой\u0000спектроскопии. Для определения\u0000преобладающих дефектов поверхности\u0000использовались методы рентгеновской\u0000фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и\u0000стационарной фотолюминесцентной\u0000спектроскопии (ФЛ).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"70 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132627174","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
М. В. Дорохин, Марина Витальевна Ведь, П. Б. Демина
ранее нами были сформированы гетероструктуры InGaAs/GaAs/дельта, в которых дельта-слой Mn выполняет функции ферромагнитного слоя, а близкорасположенная (2-12 нм) к нему квантовая яма InGaAs/GaAs локализует носители заряда. При намагничивании дельта-слоя носители в квантовой яме ориентируются по спину вследствие взаимодействия с ионами Mn. Спиновая поляризация носителей изучается путём измерения циркулярной поляризации фотолюминесценции (ФЛ), возбуждаемой при облучении структуры лазером. В настоящей работе рассмотрен режим облучения структуры последовательно двумя циркулярно-поляризованными импульсами Tiсапфирового лазера с разным знаком поляризации. Длина волны лазера составляла 890 нм, что близко по величине к длине волны ФЛ квантовой ямы InGaAs, таким образом было реализовано резонансное возбуждение носителей в квантовой яме.
{"title":"Циркулярно-поляризованная фотолюминесценция в наноструктурах InGaAs/GaAs,\u0000дельта-легированных Mn","authors":"М. В. Дорохин, Марина Витальевна Ведь, П. Б. Демина","doi":"10.34077/rcsp2021-42","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-42","url":null,"abstract":"ранее нами были сформированы гетероструктуры InGaAs/GaAs/дельта, в\u0000которых дельта-слой Mn выполняет функции ферромагнитного слоя, а близкорасположенная (2-12 нм)\u0000к нему квантовая яма InGaAs/GaAs локализует носители заряда. При намагничивании дельта-слоя\u0000носители в квантовой яме ориентируются по спину вследствие взаимодействия с ионами Mn. Спиновая\u0000поляризация носителей изучается путём измерения циркулярной поляризации фотолюминесценции\u0000(ФЛ), возбуждаемой при облучении структуры лазером. В настоящей работе рассмотрен режим\u0000облучения структуры последовательно двумя циркулярно-поляризованными импульсами Tiсапфирового лазера с разным знаком поляризации. Длина волны лазера составляла 890 нм, что близко\u0000по величине к длине волны ФЛ квантовой ямы InGaAs, таким образом было реализовано резонансное\u0000возбуждение носителей в квантовой яме.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"87 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133319033","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В свете комплекса мер, принимаемых правительством РФ для обеспечения стратегической стабильности в целом и локализации значимых для государства наукоемких производств на территории страны, вопросам импортозамещения уделяется все большее внимание на всех уровнях принятия решений. В связи с этим, большинство предприятий военно-промышленного комплекса активно переориентируются на потребление новых отечественных разработок. На примере ряда перспективных оптико-электронных систем авиационного и морского базирования, разрабатываемых и производимых АО «НПК ПЕЛЕНГАТОР», изложен опыт применения серийно выпускаемых и вновь разработанных компонентов и комплектующих отечественного производства. Рассмотрен ряд проблемных вопросов, возникающих при работе с отечественными электронными, оптическими и оптико-электронными компонентами на всех этапах их жизненного цикла. Вынесен на обсуждение перечень перспективных направлений развития, востребованных в рассматриваемой области применения.
{"title":"Опыт и перспективы перехода оптико-электронного приборостроения на\u0000отечественную элементную базу","authors":"Е. В. Гаврилов, Д. В. Брунев, В. М. Тимофеев","doi":"10.34077/rcsp2021-24","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-24","url":null,"abstract":"В свете комплекса мер, принимаемых правительством РФ для обеспечения стратегической\u0000стабильности в целом и локализации значимых для государства наукоемких производств на\u0000территории страны, вопросам импортозамещения уделяется все большее внимание на всех уровнях\u0000принятия решений. В связи с этим, большинство предприятий военно-промышленного комплекса\u0000активно переориентируются на потребление новых отечественных разработок.\u0000На примере ряда перспективных оптико-электронных систем авиационного и морского\u0000базирования, разрабатываемых и производимых АО «НПК ПЕЛЕНГАТОР», изложен опыт\u0000применения серийно выпускаемых и вновь разработанных компонентов и комплектующих\u0000отечественного производства.\u0000Рассмотрен ряд проблемных вопросов, возникающих при работе с отечественными электронными,\u0000оптическими и оптико-электронными компонентами на всех этапах их жизненного цикла. Вынесен на\u0000обсуждение перечень перспективных направлений развития, востребованных в рассматриваемой\u0000области применения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"17 10","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133169808","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Экспериментальные работы в области изучения эффективности оптоэлектронных элементов часто опережаются теоретическими исследованиями. Взаимодействие ЭМ волн с диэлектрическими частицами субволнового размера не имеет простой интерпретации для описания спектров отражения и пропускания. Единственным простым оценочным соотношением является формула m=nd, где m – длина волны магнитного дипольного резонанса, n – показатель преломления материала частицы и d – диаметр частицы. Была показано, что эта формула с высокой точностью выполняется для сферических частиц в среде воздуха. Для расчётов более сложных случаев могут быть использованы коммерческие программные пакеты.
{"title":"Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge на\u0000подложках Si","authors":"А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-26","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-26","url":null,"abstract":"Экспериментальные работы в области изучения эффективности оптоэлектронных элементов часто опережаются теоретическими исследованиями.\u0000Взаимодействие ЭМ волн с диэлектрическими частицами субволнового размера не имеет простой\u0000интерпретации для описания спектров отражения и пропускания. Единственным простым оценочным\u0000соотношением является формула m=nd, где m – длина волны магнитного дипольного резонанса, n –\u0000показатель преломления материала частицы и d – диаметр частицы. Была показано, что эта формула с\u0000высокой точностью выполняется для сферических частиц в среде воздуха. Для расчётов более сложных\u0000случаев могут быть использованы коммерческие программные пакеты.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130333926","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В настоящей работе предложен метод определения ЧКХ ИК- объектива, в котором используется матричный ИК- фотоприемник совместно с помещенным на него напыленным на кремниевую подложку металлическим экраном с протравленными узкими апертурными щелями, ширина которых меньше ширины пятна Эйри. В этом случае пространственное разрешение апертурированного фотоприемника определяется шириной щелей.
{"title":"Определение частотно-контрастной характеристики ИК объективов","authors":"В. В. Васильев, А. В. Вишняков, Г. И. Сидоров","doi":"10.34077/rcsp2021-54","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-54","url":null,"abstract":"В настоящей работе предложен метод определения ЧКХ ИК- объектива, в котором\u0000используется матричный ИК- фотоприемник совместно с помещенным на него напыленным\u0000на кремниевую подложку металлическим экраном с протравленными узкими апертурными\u0000щелями, ширина которых меньше ширины пятна Эйри. В этом случае пространственное\u0000разрешение апертурированного фотоприемника определяется шириной щелей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"3 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132354307","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
М. В. Степихова, К. В. Барышникова, Михаил Игоревич Петров
В работе обсуждаются резонансные явления, наблюдаемые в спектрах фотолюминесценции (ФЛ) одиночных Ми резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si).
它讨论了光发光光谱(fl)中由硅岛Ge(Si)组成的单个共振器及其链中观察到的共振现象。
{"title":"Резонансы Ми и коллективные явления в спектрах фотолюминесценции одиночных\u0000резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с\u0000наноостровками Ge(Si)","authors":"М. В. Степихова, К. В. Барышникова, Михаил Игоревич Петров","doi":"10.34077/rcsp2021-79","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-79","url":null,"abstract":"В работе обсуждаются резонансные явления, наблюдаемые в спектрах фотолюминесценции (ФЛ)\u0000одиночных Ми резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с\u0000наноостровками Ge(Si).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"167 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116407424","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В. А. Голяшов, Данил Александрович Кустов, В. С. Русецкий
В данной работе обсуждается возможность создания пространственно-чувствительного спиндетектора на основе гибридной структуры - полупроводниковой гетероструктуры, на поверхность которой осажден тонкий ферромагнитный (ФМ) слой, позволяющей регистрировать пространственное распределение и поляризацию возникающей при инжекции в нее поляризованных по спину электронов катодолюминесценции (КЛ). Предлагаемый спиндетектор позволяет измерять три компоненты проекции спина: две компоненты спина в плоскости поверхности, используя тонкий ФМ слой в качестве спин-фильтра, и нормальную к его поверхности компоненту, измеряя циркулярную поляризацию КЛ.
{"title":"Оптический детектор спина свободных электронов с пространственным разрешением\u0000на основе полупроводниковых гетероструктур","authors":"В. А. Голяшов, Данил Александрович Кустов, В. С. Русецкий","doi":"10.34077/rcsp2021-47","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-47","url":null,"abstract":"В данной работе обсуждается возможность создания пространственно-чувствительного спиндетектора на основе гибридной структуры - полупроводниковой гетероструктуры, на поверхность\u0000которой осажден тонкий ферромагнитный (ФМ) слой,\u0000позволяющей регистрировать пространственное\u0000распределение и поляризацию возникающей при инжекции в\u0000нее поляризованных по спину электронов\u0000катодолюминесценции (КЛ). Предлагаемый спиндетектор позволяет измерять три компоненты проекции\u0000спина: две компоненты спина в плоскости поверхности,\u0000используя тонкий ФМ слой в качестве спин-фильтра, и\u0000нормальную к его поверхности компоненту, измеряя\u0000циркулярную поляризацию КЛ.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"153 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115096603","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Показано, что специальное пространственное профилирование потока излучения открывает возможность. регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников (от больше, чем дает ПКН, уменьшения до увеличения сопротивления образцов).
{"title":"О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников\u0000специальным пространственным профилированием потока излучения","authors":"В А Холоднов","doi":"10.34077/rcsp2021-58","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-58","url":null,"abstract":"Показано, что специальное пространственное профилирование потока излучения открывает возможность.\u0000регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников (от больше, чем дает ПКН, уменьшения до\u0000увеличения сопротивления образцов).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"30 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114277985","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Материалы с квадратичной оптической нелинейностью на основе донорно-акцепторных хромофоров обладают большим потенциалом применения в оптико-электронных модуляторах [1-3]. Для проявления нелинейно-оптических свойств ацентрическия несимметричная ориентация хромофоров в полимерной матрице наводится внешним электрическим полем в ходе полинга. Для достижения высоких значений нелинейного отклика необходимо обеспечить высокую концетрацию хромофоров в полимерной матрице. Дендронизованные структуры синтезированных Д-А красителей позволяют достичь высоких концентраций хромофоров в полимере.
{"title":"Органические нелинейно-оптические материалы на основе дендронизованных\u0000полифтортрифенилпиразолин-дицианоизофороновых хромофоров","authors":"В. В. Шелковников, С.Л. Микерин, А.Э. Симанчук","doi":"10.34077/rcsp2021-124","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-124","url":null,"abstract":"Материалы с квадратичной оптической нелинейностью на основе донорно-акцепторных\u0000хромофоров обладают большим потенциалом применения в оптико-электронных модуляторах [1-3].\u0000Для проявления нелинейно-оптических свойств ацентрическия несимметричная ориентация\u0000хромофоров в полимерной матрице наводится внешним электрическим полем в ходе полинга. Для\u0000достижения высоких значений нелинейного отклика необходимо обеспечить высокую концетрацию\u0000хромофоров в полимерной матрице. Дендронизованные структуры синтезированных Д-А красителей\u0000позволяют достичь высоких концентраций хромофоров в полимере.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"77 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122112975","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Вера Васильевна Аникеева, К. Н. Болдырев, О. И. Семенова
Гибридные металлорганические перовскиты (МОП) относятся к классу полупроводниковых материалов, применяемых при создании оптоэлектронных устройств. В однокомпонентных солнечных элементах на основе МОП в апреле 2021 года была достигнута 25,6% эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую [1]. Рекордные показатели однокомпонентных солнечных элементов на основе МОП обусловлены такими свойствами как большая длина диффузии и высокая подвижность носителей заряда, а также широкая полоса поглощения в спектре солнечного излучения [2]. Исследование особенностей электрон-фононного взаимодействия позволяет прояснить природу и высокие значения многих характеристик гибридных перовскитов.
{"title":"Исследование спектров поглощения и отражения высокого разрешения в терагерцовом\u0000и дальнем инфракрасном диапазоне монокристаллов гибридных металлоорганических\u0000перовскитов","authors":"Вера Васильевна Аникеева, К. Н. Болдырев, О. И. Семенова","doi":"10.34077/rcsp2021-91","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-91","url":null,"abstract":"Гибридные металлорганические перовскиты (МОП) относятся к классу полупроводниковых\u0000материалов, применяемых при создании оптоэлектронных устройств. В однокомпонентных солнечных\u0000элементах на основе МОП в апреле 2021 года была достигнута 25,6% эффективность преобразования\u0000солнечной энергии в электрическую [1]. Рекордные показатели однокомпонентных солнечных\u0000элементов на основе МОП обусловлены такими свойствами как большая длина диффузии и высокая\u0000подвижность носителей заряда, а также широкая полоса поглощения в спектре солнечного излучения\u0000[2]. Исследование особенностей электрон-фононного взаимодействия позволяет прояснить природу и\u0000высокие значения многих характеристик гибридных перовскитов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"47 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124131477","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：