{"title":"Гибридные перовскиты – прорыв в солнечной энергетике","authors":"О. И. Семенова","doi":"10.34077/rcsp2021-60","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-60","url":null,"abstract":"Сделан обзор использования гибридных перовскитов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"17 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126426132","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе кристаллическая структура и форма КТ CdS, полученных методом ЛенгмюраБлоджетт, изучались методами просвечивающей электронной микроскопии, спектроскопии тонкой структуры расширенного поглощения рентгеновских лучей (EXAFS) и ультрафиолетовой спектроскопии. Для определения преобладающих дефектов поверхности использовались методы рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и стационарной фотолюминесцентной спектроскопии (ФЛ).
{"title":"Кристаллическая структура и преобладающие дефекты в квантовых точках CdS,\u0000сформированных методом Ленгмюра-Блоджетт","authors":"К.А. Свит, К. А. Зарубанов, Т. А. Дуда","doi":"10.34077/rcsp2021-62","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-62","url":null,"abstract":"В данной работе кристаллическая структура и форма КТ CdS, полученных методом ЛенгмюраБлоджетт, изучались методами просвечивающей электронной микроскопии, спектроскопии тонкой\u0000структуры расширенного поглощения рентгеновских лучей (EXAFS) и ультрафиолетовой\u0000спектроскопии. Для определения\u0000преобладающих дефектов поверхности\u0000использовались методы рентгеновской\u0000фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и\u0000стационарной фотолюминесцентной\u0000спектроскопии (ФЛ).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"70 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132627174","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фотолюминесценции серий сильнолегированных слоев AlN, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках, концентрация атомов кремния (NSi) составляла 1.11020 см-3 . При измерении ФЛ в диапазоне температур 300-1000 К использовалось возбуждение 4- ой гармоникой импульсного Nd:YLF лазера (λ=263 нм, мощность 1 мВт, длительность импульса 7 нс). При измерении ФЛ в широком диапазоне генерации носителей заряда использовалась возбуждение 4- ой гармоникой стационарного YAG лазера (λ=266 нм), максимальная мощность составляла 65 мВт.
{"title":"Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу\u0000фотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si","authors":"И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д.С. Милахин","doi":"10.34077/rcsp2021-121","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-121","url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования\u0000фотолюминесценции серий сильнолегированных слоев AlN, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках, концентрация атомов кремния (NSi) составляла\u00001.11020 см-3\u0000. При измерении ФЛ в диапазоне температур 300-1000 К использовалось возбуждение 4-\u0000ой гармоникой импульсного Nd:YLF лазера (λ=263 нм, мощность 1 мВт, длительность импульса 7 нс).\u0000При измерении ФЛ в широком диапазоне генерации носителей заряда использовалась возбуждение 4-\u0000ой гармоникой стационарного YAG лазера (λ=266 нм), максимальная мощность составляла 65 мВт.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131869176","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В настоящей работе предложен метод определения ЧКХ ИК- объектива, в котором используется матричный ИК- фотоприемник совместно с помещенным на него напыленным на кремниевую подложку металлическим экраном с протравленными узкими апертурными щелями, ширина которых меньше ширины пятна Эйри. В этом случае пространственное разрешение апертурированного фотоприемника определяется шириной щелей.
{"title":"Определение частотно-контрастной характеристики ИК объективов","authors":"В. В. Васильев, А. В. Вишняков, Г. И. Сидоров","doi":"10.34077/rcsp2021-54","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-54","url":null,"abstract":"В настоящей работе предложен метод определения ЧКХ ИК- объектива, в котором\u0000используется матричный ИК- фотоприемник совместно с помещенным на него напыленным\u0000на кремниевую подложку металлическим экраном с протравленными узкими апертурными\u0000щелями, ширина которых меньше ширины пятна Эйри. В этом случае пространственное\u0000разрешение апертурированного фотоприемника определяется шириной щелей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"3 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132354307","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В свете комплекса мер, принимаемых правительством РФ для обеспечения стратегической стабильности в целом и локализации значимых для государства наукоемких производств на территории страны, вопросам импортозамещения уделяется все большее внимание на всех уровнях принятия решений. В связи с этим, большинство предприятий военно-промышленного комплекса активно переориентируются на потребление новых отечественных разработок. На примере ряда перспективных оптико-электронных систем авиационного и морского базирования, разрабатываемых и производимых АО «НПК ПЕЛЕНГАТОР», изложен опыт применения серийно выпускаемых и вновь разработанных компонентов и комплектующих отечественного производства. Рассмотрен ряд проблемных вопросов, возникающих при работе с отечественными электронными, оптическими и оптико-электронными компонентами на всех этапах их жизненного цикла. Вынесен на обсуждение перечень перспективных направлений развития, востребованных в рассматриваемой области применения.
{"title":"Опыт и перспективы перехода оптико-электронного приборостроения на\u0000отечественную элементную базу","authors":"Е. В. Гаврилов, Д. В. Брунев, В. М. Тимофеев","doi":"10.34077/rcsp2021-24","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-24","url":null,"abstract":"В свете комплекса мер, принимаемых правительством РФ для обеспечения стратегической\u0000стабильности в целом и локализации значимых для государства наукоемких производств на\u0000территории страны, вопросам импортозамещения уделяется все большее внимание на всех уровнях\u0000принятия решений. В связи с этим, большинство предприятий военно-промышленного комплекса\u0000активно переориентируются на потребление новых отечественных разработок.\u0000На примере ряда перспективных оптико-электронных систем авиационного и морского\u0000базирования, разрабатываемых и производимых АО «НПК ПЕЛЕНГАТОР», изложен опыт\u0000применения серийно выпускаемых и вновь разработанных компонентов и комплектующих\u0000отечественного производства.\u0000Рассмотрен ряд проблемных вопросов, возникающих при работе с отечественными электронными,\u0000оптическими и оптико-электронными компонентами на всех этапах их жизненного цикла. Вынесен на\u0000обсуждение перечень перспективных направлений развития, востребованных в рассматриваемой\u0000области применения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"17 10","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133169808","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
М. В. Дорохин, Марина Витальевна Ведь, П. Б. Демина
ранее нами были сформированы гетероструктуры InGaAs/GaAs/дельта, в которых дельта-слой Mn выполняет функции ферромагнитного слоя, а близкорасположенная (2-12 нм) к нему квантовая яма InGaAs/GaAs локализует носители заряда. При намагничивании дельта-слоя носители в квантовой яме ориентируются по спину вследствие взаимодействия с ионами Mn. Спиновая поляризация носителей изучается путём измерения циркулярной поляризации фотолюминесценции (ФЛ), возбуждаемой при облучении структуры лазером. В настоящей работе рассмотрен режим облучения структуры последовательно двумя циркулярно-поляризованными импульсами Tiсапфирового лазера с разным знаком поляризации. Длина волны лазера составляла 890 нм, что близко по величине к длине волны ФЛ квантовой ямы InGaAs, таким образом было реализовано резонансное возбуждение носителей в квантовой яме.
{"title":"Циркулярно-поляризованная фотолюминесценция в наноструктурах InGaAs/GaAs,\u0000дельта-легированных Mn","authors":"М. В. Дорохин, Марина Витальевна Ведь, П. Б. Демина","doi":"10.34077/rcsp2021-42","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-42","url":null,"abstract":"ранее нами были сформированы гетероструктуры InGaAs/GaAs/дельта, в\u0000которых дельта-слой Mn выполняет функции ферромагнитного слоя, а близкорасположенная (2-12 нм)\u0000к нему квантовая яма InGaAs/GaAs локализует носители заряда. При намагничивании дельта-слоя\u0000носители в квантовой яме ориентируются по спину вследствие взаимодействия с ионами Mn. Спиновая\u0000поляризация носителей изучается путём измерения циркулярной поляризации фотолюминесценции\u0000(ФЛ), возбуждаемой при облучении структуры лазером. В настоящей работе рассмотрен режим\u0000облучения структуры последовательно двумя циркулярно-поляризованными импульсами Tiсапфирового лазера с разным знаком поляризации. Длина волны лазера составляла 890 нм, что близко\u0000по величине к длине волны ФЛ квантовой ямы InGaAs, таким образом было реализовано резонансное\u0000возбуждение носителей в квантовой яме.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"87 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133319033","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В работе представлены результаты Монте-Карло моделирования ленгмюровского испарения подложек арсенида галлия. Анализировалось влияние ориентации поверхности подложек на характеристики неравновесных высокотемпературных отжигов. Рассматривались сингулярные и вицинальные поверхности GaAs(111)A и GaAs(111)В с разными углами разориентации. Моделирование осуществлялось в температурном диапазоне 700 – 1000 K, включающем температуры конгруэнтного испарения Тс подложек с разным углом отклонения.
{"title":"Влияние ориентации поверхности на характеристики высокотемпературных отжигов\u0000подложек арсенида галлия","authors":"Н. Л. Шварц, А.А. Спирина","doi":"10.34077/rcsp2021-71","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-71","url":null,"abstract":"В работе представлены результаты Монте-Карло моделирования ленгмюровского\u0000испарения подложек арсенида галлия. Анализировалось влияние ориентации поверхности\u0000подложек на характеристики неравновесных высокотемпературных отжигов.\u0000Рассматривались сингулярные и вицинальные поверхности GaAs(111)A и GaAs(111)В с\u0000разными углами разориентации. Моделирование осуществлялось в температурном диапазоне\u0000700 – 1000 K, включающем температуры конгруэнтного испарения Тс подложек с разным\u0000углом отклонения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"140 6 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"129049701","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Материалы с квадратичной оптической нелинейностью на основе донорно-акцепторных хромофоров обладают большим потенциалом применения в оптико-электронных модуляторах [1-3]. Для проявления нелинейно-оптических свойств ацентрическия несимметричная ориентация хромофоров в полимерной матрице наводится внешним электрическим полем в ходе полинга. Для достижения высоких значений нелинейного отклика необходимо обеспечить высокую концетрацию хромофоров в полимерной матрице. Дендронизованные структуры синтезированных Д-А красителей позволяют достичь высоких концентраций хромофоров в полимере.
{"title":"Органические нелинейно-оптические материалы на основе дендронизованных\u0000полифтортрифенилпиразолин-дицианоизофороновых хромофоров","authors":"В. В. Шелковников, С.Л. Микерин, А.Э. Симанчук","doi":"10.34077/rcsp2021-124","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-124","url":null,"abstract":"Материалы с квадратичной оптической нелинейностью на основе донорно-акцепторных\u0000хромофоров обладают большим потенциалом применения в оптико-электронных модуляторах [1-3].\u0000Для проявления нелинейно-оптических свойств ацентрическия несимметричная ориентация\u0000хромофоров в полимерной матрице наводится внешним электрическим полем в ходе полинга. Для\u0000достижения высоких значений нелинейного отклика необходимо обеспечить высокую концетрацию\u0000хромофоров в полимерной матрице. Дендронизованные структуры синтезированных Д-А красителей\u0000позволяют достичь высоких концентраций хромофоров в полимере.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"77 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122112975","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе представлены теоретические и экспериментальные результаты по исследованию характеристик разработанных тонкопленочных широкополосных ТГц поляризаторов на основе одномерных металлических решеток, полученных фотолитографическим способом. Проведен анализ конструкции поляризаторов с использованием полноволнового электромагнитного моделирования в сочетании с полуаналитической моделью. Исследование показало, что одномерные сетки с наименьшим технологически доступным шагом сетки и 50%-м металлическим заполнением на тонкой подложке с низким показателем преломления и малым тангенсом угла потерь рекомендуются для практической реализации.
{"title":"Высокоэффективные поляризаторы с металлической решеткой на несущих\u0000полимерных пленках для широкополосной терагерцовой спектроскопии","authors":"С. А. Кузнецов, А. В. Гельфанд, А. А. Мамрашев","doi":"10.34077/rcsp2021-43","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-43","url":null,"abstract":"В данной работе представлены теоретические и экспериментальные результаты по исследованию\u0000характеристик разработанных тонкопленочных широкополосных ТГц поляризаторов на основе\u0000одномерных металлических решеток, полученных фотолитографическим способом. Проведен анализ\u0000конструкции поляризаторов с использованием полноволнового электромагнитного моделирования в\u0000сочетании с полуаналитической моделью. Исследование показало, что одномерные сетки с\u0000наименьшим технологически доступным шагом сетки и 50%-м металлическим заполнением на тонкой\u0000подложке с низким показателем преломления и малым тангенсом угла потерь рекомендуются для\u0000практической реализации.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"90 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124154617","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе разработан технологический процесс интеграции источников однофотонного излучения в резонансную систему ННК из фосфида галлия. Проанализированы оптические свойства изготовленной структуры и получены спектры ФЛ и КРС. Зависимость скорости спонтанного излучения исследовалась для системы НА, совмещенных с одиночными ННК GaP, а также для НА, осажденных на стеклянную подложку, в качестве референсного образца. Данные показали увеличение скорости спонтанного излучения при интегрировании наноалмазов с GaP ННК.
{"title":"Исследование однофотонной излучающей системы на основе NV-центров в\u0000наноалмазах, интегрированных с ННК GaP","authors":"А. С. Голтаев, А. М. Можаров, В. В. Ярошенко","doi":"10.34077/rcsp2021-57","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-57","url":null,"abstract":"В данной работе разработан\u0000технологический процесс интеграции\u0000источников однофотонного излучения в\u0000резонансную систему ННК из фосфида галлия.\u0000Проанализированы оптические свойства\u0000изготовленной структуры и получены спектры\u0000ФЛ и КРС. Зависимость скорости спонтанного\u0000излучения исследовалась для системы НА,\u0000совмещенных с одиночными ННК GaP, а также для НА, осажденных на стеклянную подложку, в\u0000качестве референсного образца. Данные показали увеличение скорости спонтанного излучения при\u0000интегрировании наноалмазов с GaP ННК.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"357 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122801705","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：