В работе изучен рост многослойных периодических структур и сверхрешеток, включающих упругонапряженные слои GeSiSn с содержанием олова от 0 до 18 %. Установлена кинетическая диаграмма роста слоев GeSiSn с высоким содержанием Sn в диапазоне температур 100 – 300 °C. На основе кинетических диаграмм роста пленок GeSiSn выбиралась область толщин, соответствующая псевдоморфному состоянию. В
{"title":"Структурные и оптические свойства многослойных периодических структур с\u0000псевдоморфными слоями GeSiSn","authors":"В. А. Тимофеев, В И Машанов, А. И. Никифоров","doi":"10.34077/rcsp2021-78","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-78","url":null,"abstract":"В работе изучен рост многослойных периодических структур и сверхрешеток, включающих\u0000упругонапряженные слои GeSiSn с содержанием олова от 0 до 18 %. Установлена кинетическая\u0000диаграмма роста слоев GeSiSn с высоким содержанием Sn в диапазоне температур 100 – 300 °C. На\u0000основе кинетических диаграмм роста пленок GeSiSn выбиралась область толщин, соответствующая\u0000псевдоморфному состоянию. В","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"16 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132805007","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Владимир Степанович Попов, Валерий Павлович Пономаренко, И. П. Абрамов
Описаны конструкции фоторезисторов, фотодиодов и фототранзисторов, в том числе матричного типа, на основе материалов с пониженной размерностью, использующие различные механизмы усиления фотосигнала. Однако, до последнего времени данные работы не выходили за рамки фундаментальных. В последние 2 года произошли принципиальные изменения в этой области, позволяющие говорить о возникновении нового направления фотоэлектроники на основе новых материалов, существенно отличающихся от широко используемых в промышленности как монокристаллических и эпитаксиальных, так и поликристаллических материалов. В течение сравнительно короткого времени на мировом рынке появилось несколько компаний представивших промышленные образцы фотоприемных устройств с использованием коллоидных квантовых точек и двумерных материалов [4- 5] чувствительные в широком спектральном диапазоне от видимого до короткого ИК. По целому ряду ключевых характеристик упомянутые приборы хотя пока и уступают, однако стремительно приближаются к фотоприемникам, выполненным по классической монокристальной или эпитаксиальной технологии, а по таким характеристикам как ширина спектрального диапазона, максимальный формат матрицы ФЧЭ и стоимость уже могут успешно составить конкуренцию. В этой связи в нашей стране особенно актуальными становится как развитие работ фундаментального и поискового характера направленных на исследование новых наноматериалов для фотосенсоров различных спектральных диапазонов, механизмов формирования и усиления фотосигнала, так и проведение прикладных работ направленных на развитие новых направлений конструирования фотоприемных устройств новых типов и внедрение новых материалов и подходов в промышленную технологию фотоэлектроники
{"title":"Фотоэлектроника на основе коллоидных наноматериалов","authors":"Владимир Степанович Попов, Валерий Павлович Пономаренко, И. П. Абрамов","doi":"10.34077/rcsp2021-56","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-56","url":null,"abstract":"Описаны конструкции фоторезисторов, фотодиодов и фототранзисторов, в том числе\u0000матричного типа, на основе материалов с пониженной размерностью, использующие различные\u0000механизмы усиления фотосигнала. Однако, до последнего времени данные работы не выходили за\u0000рамки фундаментальных.\u0000В последние 2 года произошли принципиальные изменения в этой области, позволяющие говорить\u0000о возникновении нового направления фотоэлектроники на основе новых материалов, существенно\u0000отличающихся от широко используемых в промышленности как монокристаллических и\u0000эпитаксиальных, так и поликристаллических материалов. В течение сравнительно короткого времени\u0000на мировом рынке появилось несколько компаний представивших промышленные образцы\u0000фотоприемных устройств с использованием коллоидных квантовых точек и двумерных материалов [4-\u00005] чувствительные в широком спектральном диапазоне от видимого до короткого ИК. По целому ряду\u0000ключевых характеристик упомянутые приборы хотя пока и уступают, однако стремительно\u0000приближаются к фотоприемникам, выполненным по классической монокристальной или\u0000эпитаксиальной технологии, а по таким характеристикам как ширина спектрального диапазона,\u0000максимальный формат матрицы ФЧЭ и стоимость уже могут успешно составить конкуренцию.\u0000В этой связи в нашей стране особенно актуальными становится как развитие работ\u0000фундаментального и поискового характера направленных на исследование новых наноматериалов для\u0000фотосенсоров различных спектральных диапазонов, механизмов формирования и усиления\u0000фотосигнала, так и проведение прикладных работ направленных на развитие новых направлений\u0000конструирования фотоприемных устройств новых типов и внедрение новых материалов и подходов в\u0000промышленную технологию фотоэлектроники","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"66 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128402782","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В работе предложен метод исследования ТГц свойств анизотропных материалов без оптической активности, учитывающий чувствительность систем электрооптической регистрации импульсных ТГц спектрометров к поляризации ТГц излучения. Для этого проанализирована зависимость чувствительности системы регистрации на основе кристаллов типа цинковой обманки со срезами (110) и (111) от поляризации терагерцового и зондирующего лазерного излучения. Обнаружено, что одинаковая чувствительность может быть достигнута для двух ортогональных поляризаций терагерцового излучения. Так, для ТГц излучения линейно поляризованного под углами ±45° относительно осей z и (−211) кристаллов-детекторов со срезами (110) и (111), соответственно, достигается одинаковая чувствительность со значением √2 2 от максимальной. Это справедливо для излучения зондирующего лазера, поляризованного под углами 0° или 90°.
{"title":"Поляризационно-чувствительная терагерцовая спектроскопия анизотропных\u0000кристаллов","authors":"Федор Минаков, А. А. Мамрашев, В. Д. Анцыгин","doi":"10.34077/rcsp2021-49","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-49","url":null,"abstract":"В работе предложен метод исследования ТГц свойств анизотропных материалов без оптической\u0000активности, учитывающий чувствительность систем электрооптической регистрации импульсных ТГц\u0000спектрометров к поляризации ТГц излучения. Для этого проанализирована зависимость\u0000чувствительности системы регистрации на основе кристаллов типа цинковой обманки со срезами (110)\u0000и (111) от поляризации терагерцового и зондирующего лазерного излучения. Обнаружено, что\u0000одинаковая чувствительность может быть достигнута для двух ортогональных поляризаций\u0000терагерцового излучения. Так, для ТГц излучения линейно поляризованного под углами ±45°\u0000относительно осей z и (−211) кристаллов-детекторов со срезами (110) и (111), соответственно,\u0000достигается одинаковая чувствительность со значением\u0000√2\u00002\u0000от максимальной. Это справедливо для\u0000излучения зондирующего лазера, поляризованного под углами 0° или 90°.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"29 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"134074619","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
С. Н. Подлесный, И. А. Карташов, Владимир Петрович Попов
Квантовые устройства на спинах точечных дефектов широкозонных полупроводниках, например, NV центров и их ансамблях в алмазе привлекательны возможностью работы при комнатных температурах, однако время спиновой релаксации Т2 * зависит от других дефектов и обычно Т2 *<<Т2 – времени когерентной релаксации на узловых атомах азота Ns. Проблемой остается их создание в заданной области, единственным способом которого является имплантация, создающая массу других дефектов. Решить проблему “квантового качества” можно двумя способами. Во-первых, формированием сверхрешеток из узловых атомов азота с регулярными рельефом для их встраивания при росте из газовой фазы, а затем захватом вакансий, сформированных при локальном облучении и нагреве сфокусированным пучком, в соседние c азотом узлы. Во-вторых, внедрением одиночных ионов N+ имплантерами с регистрацией фотонной или электронной эмиссии от вошедшего в мишень иона или заряда на её поверхности, управляющих процессом переноса ионного пучка в новую точку.
{"title":"Ансамбли NV- центров квантового качества в высокочистом алмазе после горячей\u0000имплантации и высокотемпературного отжига под давлением","authors":"С. Н. Подлесный, И. А. Карташов, Владимир Петрович Попов","doi":"10.34077/rcsp2021-73","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-73","url":null,"abstract":"Квантовые устройства на спинах точечных дефектов широкозонных полупроводниках, например,\u0000NV центров и их ансамблях в алмазе привлекательны возможностью работы при комнатных\u0000температурах, однако время спиновой релаксации Т2\u0000*\u0000зависит от других дефектов и обычно Т2\u0000*<<Т2 –\u0000времени когерентной релаксации на узловых атомах азота Ns. Проблемой остается их создание в\u0000заданной области, единственным способом которого является имплантация, создающая массу других\u0000дефектов. Решить проблему “квантового качества” можно двумя способами. Во-первых,\u0000формированием сверхрешеток из узловых атомов азота с регулярными рельефом для их встраивания\u0000при росте из газовой фазы, а затем захватом вакансий, сформированных при локальном облучении\u0000и нагреве сфокусированным пучком, в соседние c азотом узлы. Во-вторых, внедрением одиночных\u0000ионов N+ имплантерами с регистрацией фотонной или электронной эмиссии от вошедшего в мишень\u0000иона или заряда на её поверхности, управляющих процессом переноса ионного пучка в новую точку.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"134 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133408134","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе исследовались процессы формирования упорядоченных фаз кремния и возможность синтеза силицена на графеноподобных слоях g-Si3N3 и g-AlN, которые предварительно формировались на поверхности Si(111), по технологии предложенной нами ранее.
这项工作研究了在g-Si3N3和g
{"title":"Процессы формирования упорядоченных двумерных фаз кремния (пористого\u0000силицена) на поверхности g-Si3N3/Si(111)","authors":"В.Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин","doi":"10.34077/rcsp2021-67","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-67","url":null,"abstract":"В данной работе исследовались процессы формирования упорядоченных фаз кремния и\u0000возможность синтеза силицена на графеноподобных слоях g-Si3N3 и g-AlN, которые предварительно\u0000формировались на поверхности Si(111), по технологии предложенной нами ранее.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"13 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131600919","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Использование углеродных (С) слоев (однослойного и многослойного графена) для разработки комбинированных с полупроводниками A3B 5 приборов наноэлектроники затруднено из-за отсутствия подходящих методов формирования С-слоев непосредственно на поверхности полупроводниковых структур с сохранением их свойств. В данной работе показана возможность получения углеродных нанослоев непосредственно на поверхности GaAs структур методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Для нанесения С-слоев использован лазер YAG:Nd (длина волны 532 нм). Подложка при выращивании поддерживалась при 500°С, а толщина С-слоя определялась временем испарения и составляла от 4 до 20 нм. По результатам исследований комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии полученные углеродные слои представляют собой сплошную пленку нанокристаллического графита, состоящую из зерен многослойного графена.
{"title":"Арсенид-галлиевые структуры с углеродным покрытием: многофункциональное\u0000применение для приборов оптоэлектроники и бета-вольтаики","authors":"В.П. Лесников, Марина Витальевна Ведь, О.В. Вихрова","doi":"10.34077/rcsp2021-92","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-92","url":null,"abstract":"Использование углеродных (С) слоев (однослойного и многослойного графена) для разработки\u0000комбинированных с полупроводниками A3B\u00005 приборов наноэлектроники затруднено из-за отсутствия\u0000подходящих методов формирования С-слоев непосредственно на поверхности полупроводниковых\u0000структур с сохранением их свойств.\u0000В данной работе показана возможность получения углеродных нанослоев непосредственно на\u0000поверхности GaAs структур методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Для\u0000нанесения С-слоев использован лазер YAG:Nd (длина волны 532 нм). Подложка при выращивании\u0000поддерживалась при 500°С, а толщина С-слоя определялась временем испарения и составляла от 4 до\u000020 нм. По результатам исследований комбинационного рассеяния света и рентгеновской\u0000фотоэлектронной спектроскопии полученные углеродные слои представляют собой сплошную пленку\u0000нанокристаллического графита, состоящую из зерен многослойного графена.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"61 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"133837353","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
представлены первые результаты измерений отклика КТК на СВЧоблучение структуры с частотой 2.4 ГГц и результаты разработки модели отклика, охватывающей туннельный и многомодовый режимы короткого (100 нм) сужения. Стандартные 4-x терминальные измерения и расчеты кондактанса по этой модели, будучи в хорошем согласии во всем интервале интенсивностей облучения, показали гигантский фотокондактанс КТК (рост кондактанса до двух порядков величины) в туннельном режиме и отрицательный фотокондактанс с понижением кондактанса до двух раз в открытом режиме [3]. Впервые для этих структур измерения проведены в максимально большом диапазоне, начиная от затворного напряжения Vg=0 (невозмущенный ДЭГ) до наиболее обедняющего напряжения, отвечающего кондактансу на 5 порядков ниже кванта 2e 2 /h. Отметим, что при использованных интенсивностях облучения можно пренебречь нагревом ДЭГ. Результат измерений фотокондактанса КТК был качественно одинаковым в случае нескольких образцов с расщепленным и сплошным затвором, формирующих сужения, хотя интервал изменения управляющего затворного напряжения мог меняться в пределах 1 В для разных типов затвора.
{"title":"СВЧ-фотокондактанс квантового точечного контакта","authors":"В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, А. С. Ярошевич","doi":"10.34077/rcsp2021-59","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-59","url":null,"abstract":"представлены первые результаты измерений отклика КТК на СВЧоблучение структуры с частотой 2.4 ГГц и результаты разработки модели отклика, охватывающей\u0000туннельный и многомодовый режимы короткого (100 нм) сужения. Стандартные 4-x терминальные\u0000измерения и расчеты кондактанса по этой модели, будучи в хорошем согласии во всем интервале\u0000интенсивностей облучения, показали гигантский фотокондактанс КТК (рост кондактанса до двух\u0000порядков величины) в туннельном режиме и отрицательный фотокондактанс с понижением\u0000кондактанса до двух раз в открытом режиме [3]. Впервые для этих структур измерения проведены в\u0000максимально большом диапазоне, начиная от затворного напряжения Vg=0 (невозмущенный ДЭГ) до\u0000наиболее обедняющего напряжения, отвечающего кондактансу на 5 порядков ниже кванта 2e\u00002\u0000/h.\u0000Отметим, что при использованных интенсивностях облучения можно пренебречь нагревом ДЭГ.\u0000Результат измерений фотокондактанса КТК был качественно одинаковым в случае нескольких\u0000образцов с расщепленным и сплошным затвором, формирующих сужения, хотя интервал изменения\u0000управляющего затворного напряжения мог меняться в пределах 1 В для разных типов затвора.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"62 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122407841","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Для изучения спиновой динамики спиновую систему, необходимо вывести из равновесия и создать неравновесную заселенность спиновых состояний. Удобным методом для создания неравновесной спиновой заселенности является нерезонансное возбуждение неполяризованным светом расщепленных продольным магнитным полем состояний экситонов. При больших (по сравнению с термической энергией kT) величинах Зеемановского расщепления (Ez) одинаковая заселенность экситонных состояний с различными проекциями спина, обеспечивающаяся при таком возбуждении, соответствует термодинамически неравновесному распределению. С течением времени процессы спиновой релаксации, стремятся привести заселенности экситонных состояний в соответствие с равновесным (больцмановским) распределением. Стремление спиновой системы к равновесию сопровождается появлением циркулярной поляризации фотолюминесценции (ФЛ). Для типичных структур с КТ при условии Ez >> kT максимальная степень поляризации ФЛ определяется отношением времени жизни экситона (tr) к времени спиновой релаксации (ts) и при условии tr >> ts стремится к 100% [1].
{"title":"Динамика рекомбинации и спиновой релаксации экситонов\u0000в гетероструктурах (III,Al)(As,Sb)/AlAs","authors":"Т. С. Шамирзаев, А. К. Бакаров, Д. Р. Яковлев","doi":"10.34077/rcsp2021-119","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-119","url":null,"abstract":"Для изучения спиновой динамики спиновую систему, необходимо вывести из равновесия и создать\u0000неравновесную заселенность спиновых состояний. Удобным методом для создания неравновесной\u0000спиновой заселенности является нерезонансное возбуждение неполяризованным светом\u0000расщепленных продольным магнитным полем состояний экситонов. При больших (по сравнению с\u0000термической энергией kT) величинах Зеемановского расщепления (Ez) одинаковая заселенность\u0000экситонных состояний с различными проекциями спина, обеспечивающаяся при таком возбуждении,\u0000соответствует термодинамически неравновесному распределению. С течением времени процессы\u0000спиновой релаксации, стремятся привести заселенности экситонных состояний в соответствие с\u0000равновесным (больцмановским) распределением. Стремление спиновой системы к равновесию\u0000сопровождается появлением циркулярной поляризации фотолюминесценции (ФЛ). Для типичных\u0000структур с КТ при условии Ez >> kT максимальная степень поляризации ФЛ определяется отношением\u0000времени жизни экситона (tr) к времени спиновой релаксации (ts) и при условии tr >> ts стремится к\u0000100% [1].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"48 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"122975801","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
М.А. Суханов, А. К. Бакаров, Иван Дмитриевич Лошкарев
В данной работе были измерены темновые и фототоки, проведено изучение роста методом молекулярно-лучевой эпитаксии nBn-гетероструктур InSb/In1-xAlxSb на подложках InSb (001), где In1-xAlxSb является широкозонным барьером (B). Ввиду наличия рассогласования между постоянными решетки барьерного слоя и подложки InSb, необходимо определить оптимальную долю алюминия и толщину барьера, при которой слой InAlSb будет псевдоморфным, для этого была выращена серия слоев InAlSb с постоянной x=0.4, 0.3, 0.2 и переменной долей алюминия, в варизонных барьерах доля алюминия изменялась от 0.4 до 0.1 (I) и от 0.35 до 0.15 (II) в процессе роста структуры от поглощающего слоя к контактному. Контроль состояния поверхности в процессе роста проводился методом дифракции быстрых электронов. После роста был проведен анализ выращенных слоев методом рентгеновской дифракции с определением степени релаксации слоя InAlSb.
{"title":"InSb/InAlSb гетероструктуры для ИК фотоприемников с повышенной рабочей\u0000температурой","authors":"М.А. Суханов, А. К. Бакаров, Иван Дмитриевич Лошкарев","doi":"10.34077/rcsp2021-84","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-84","url":null,"abstract":"В данной работе\u0000были измерены темновые и фототоки, проведено изучение роста методом молекулярно-лучевой\u0000эпитаксии nBn-гетероструктур InSb/In1-xAlxSb на подложках InSb (001), где In1-xAlxSb является\u0000широкозонным барьером (B). Ввиду наличия рассогласования между постоянными решетки\u0000барьерного слоя и подложки InSb, необходимо определить оптимальную долю алюминия и толщину\u0000барьера, при которой слой InAlSb будет псевдоморфным, для этого была выращена серия слоев InAlSb\u0000с постоянной x=0.4, 0.3, 0.2 и переменной долей алюминия, в варизонных барьерах доля алюминия\u0000изменялась от 0.4 до 0.1 (I) и от 0.35 до 0.15 (II) в процессе роста структуры от поглощающего слоя к\u0000контактному. Контроль состояния поверхности в процессе роста проводился методом дифракции\u0000быстрых электронов. После роста был проведен анализ\u0000выращенных слоев методом рентгеновской дифракции с\u0000определением степени релаксации слоя InAlSb.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"82 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127760965","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Александр Васильевич Войцеховский, Сергей Николаевич Несмелов, Станислав Михайлович Дзядух
Органо-неорганические системы актуальны из-за перспектив создания на их основе приборов опто- , наноэлектроники и нановольтаики с расширенными функциональными возможностями [1]. Для получения детальной информации о свойствах органо-неорганических систем необходимо проведение комплексных исследований процессов в таких системах, что возможно при использовании различных экспериментальных методик.
{"title":"Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком","authors":"Александр Васильевич Войцеховский, Сергей Николаевич Несмелов, Станислав Михайлович Дзядух","doi":"10.34077/rcsp2021-147","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-147","url":null,"abstract":"Органо-неорганические системы актуальны из-за перспектив создания на их основе приборов опто-\u0000, наноэлектроники и нановольтаики с расширенными функциональными возможностями [1]. Для\u0000получения детальной информации о свойствах органо-неорганических систем необходимо проведение\u0000комплексных исследований процессов в таких системах, что возможно при использовании различных\u0000экспериментальных методик.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128972755","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：