Частотно-контрастная характеристика (ЧКХ) ИК КРТ-фотоприемных матриц убывает с ростом пространственной частоты засветки и обычно проходит через ноль вблизи удвоенной пространственной частоты Найквиста 2fN равной обратному шагу матрицы. Если аппроксимировать фоточувствительность пикселя константой в пределах квадрата со стороной w, меньшей или равной шагу матрицы, и нулем – за пределами этого квадрата, то ЧКХ такой площадки равна sin(fw)/fw (f - пространственная частота) и проходит через первый ноль на частоте f=1/w, равной или большей 2fN. Как видно из рисунка, на частоте 2fN распределение интенсивности синусоидальной волны засветки и соответствующие ему концентрация и ток фотоносителей обладают симметрией относительно границ пикселя, так что нормальная компонента фототока через границы пикселей зануляется.
{"title":"Моделирование методом Монте-Карло поведения частотно-контрастной\u0000характеристики фотоприёмных КРТ-матриц вблизи удвоенной частоты Найквиста","authors":"А. В. Вишняков, В.А. Стучинский","doi":"10.34077/rcsp2021-134","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-134","url":null,"abstract":"Частотно-контрастная характеристика (ЧКХ) ИК КРТ-фотоприемных матриц убывает с ростом\u0000пространственной частоты засветки и обычно проходит через ноль вблизи удвоенной\u0000пространственной частоты Найквиста 2fN равной обратному шагу матрицы. Если аппроксимировать\u0000фоточувствительность пикселя константой в пределах квадрата со стороной w, меньшей или равной\u0000шагу матрицы, и нулем – за пределами этого квадрата, то ЧКХ такой площадки равна sin(fw)/fw (f -\u0000пространственная частота) и проходит через первый ноль на частоте f=1/w, равной или большей 2fN.\u0000Как видно из рисунка, на частоте 2fN распределение интенсивности синусоидальной волны засветки и\u0000соответствующие ему концентрация и ток фотоносителей обладают симметрией относительно границ\u0000пикселя, так что нормальная компонента фототока через границы пикселей зануляется.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127323705","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Н. Н. Рубцова, Андрей Андреевич Ковалев, Д. В. Ледовских
В докладе сообщается о корреляции между строением квантовых ям (их состав, толщина барьеров, концентрация дефектов, степень согласованности по параметрам решетки материалов квантовых ям и барьеров и даже особенности технологии переноса слоев квантовых ям на диэлектрический широкополосный отражатель) и основными параметрами оптических затворов (механическая прочность, уровень ненасыщаемых потерь, максимальная глубина насыщения и быстродействие).
{"title":"Свойства квантовых ям и их применение в компактных лазерах ближнего ИК\u0000диапазона","authors":"Н. Н. Рубцова, Андрей Андреевич Ковалев, Д. В. Ледовских","doi":"10.34077/rcsp2021-72","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-72","url":null,"abstract":"В докладе сообщается о корреляции между строением квантовых ям (их состав, толщина барьеров,\u0000концентрация дефектов, степень согласованности по параметрам решетки материалов квантовых ям и\u0000барьеров и даже особенности технологии переноса слоев квантовых ям на диэлектрический\u0000широкополосный отражатель) и основными параметрами оптических затворов (механическая\u0000прочность, уровень ненасыщаемых потерь, максимальная глубина насыщения и быстродействие).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"5 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121083246","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Разработаны и исследованы оптические методы обеспечения предельной эффективности преобразования изображений в мозаичных фотоприемниках (МФП) изображений сверхвысокой размерности инфракрасного (ИК) и терагерцового (ТГц) спектральных диапазонов (Рис.). МФП сверхвысокой размерности создают путем размещения на пластине-носителе (1) стык в стык кристаллов фотоприемных субмодулей (2) меньшего, оптимального для изготовления формата [1-13]. Применение МФП ограничивается "слепыми зонами", обусловленными отсутствием фоточувствительных элементов (ФЧЭ) вдоль областей стыковки (7) кристаллов смежных субмодулей.
{"title":"Оптические методы обеспечения предельной эффективности преобразования\u0000изображений в мозаичных фотоприемниках сверхвысокой размерности","authors":"Анатолий Иванович Козлов","doi":"10.34077/rcsp2021-148","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-148","url":null,"abstract":"Разработаны и исследованы оптические методы\u0000обеспечения предельной эффективности преобразования\u0000изображений в мозаичных фотоприемниках (МФП)\u0000изображений сверхвысокой размерности инфракрасного\u0000(ИК) и терагерцового (ТГц) спектральных диапазонов\u0000(Рис.). МФП сверхвысокой размерности создают путем\u0000размещения на пластине-носителе (1) стык в стык\u0000кристаллов фотоприемных субмодулей (2) меньшего,\u0000оптимального для изготовления формата [1-13].\u0000Применение МФП ограничивается \"слепыми зонами\",\u0000обусловленными отсутствием фоточувствительных\u0000элементов (ФЧЭ) вдоль областей стыковки (7)\u0000кристаллов смежных субмодулей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"22 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121215538","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Виктор Александрович Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин
В настоящее время во всем мире наблюдается повышенный интерес к двумерным материалам на основе кремния и германия [1]. Ожидается, что эти материалы будут иметь электронную структуру с прямой запрещенной зоной, что должно приводить к эффективной люминесценции. Настоящая работа направлена на поиск оптимальных условий для формирования двумерных слоёв Si, встроенных в диэлектрическую матрицу CaF2, а так же на исследование их структурных и оптических свойств. Нами был проведён рост эпитаксиальных структур, содержащих тонкие слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF2. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(111). Исследования морфологии поверхности выращенных структур позволили определить условия роста, благоприятные для формирования двумерных слоёв Si. Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были проведены исследования колебательных спектров созданных структур. В спектрах КРС от структур с одним бислоем Si, встроенным в CaF2, обнаружен узкий пик при 418 см-1 , который обусловлен колебаниями Si-Si связей в плоскости двумерного слоя Si, интеркалированного в CaF2.
{"title":"Оптические и структурные свойства двумерных слоёв кремния, встроенных в\u0000диэлектрическую матрицу фторида кальция","authors":"Виктор Александрович Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин","doi":"10.34077/rcsp2021-95","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-95","url":null,"abstract":"В настоящее время во всем мире наблюдается повышенный интерес к двумерным материалам на\u0000основе кремния и германия [1]. Ожидается, что эти материалы будут иметь электронную структуру с\u0000прямой запрещенной зоной, что должно приводить к эффективной люминесценции. Настоящая работа\u0000направлена на поиск оптимальных условий для формирования двумерных слоёв Si, встроенных в\u0000диэлектрическую матрицу CaF2, а так же на исследование их структурных и оптических свойств. Нами\u0000был проведён рост эпитаксиальных структур, содержащих тонкие слои Si, встроенные в\u0000диэлектрическую матрицу CaF2. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии на\u0000подложках Si(111). Исследования морфологии поверхности выращенных структур позволили\u0000определить условия роста, благоприятные для формирования двумерных слоёв Si. Методом\u0000спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были проведены исследования колебательных\u0000спектров созданных структур. В спектрах КРС от структур с одним бислоем Si, встроенным в CaF2,\u0000обнаружен узкий пик при 418 см-1\u0000, который обусловлен колебаниями Si-Si связей в плоскости\u0000двумерного слоя Si, интеркалированного в CaF2.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"23 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116406192","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
М. В. Степихова, К. В. Барышникова, Михаил Игоревич Петров
В работе обсуждаются резонансные явления, наблюдаемые в спектрах фотолюминесценции (ФЛ) одиночных Ми резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si).
它讨论了光发光光谱(fl)中由硅岛Ge(Si)组成的单个共振器及其链中观察到的共振现象。
{"title":"Резонансы Ми и коллективные явления в спектрах фотолюминесценции одиночных\u0000резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с\u0000наноостровками Ge(Si)","authors":"М. В. Степихова, К. В. Барышникова, Михаил Игоревич Петров","doi":"10.34077/rcsp2021-79","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-79","url":null,"abstract":"В работе обсуждаются резонансные явления, наблюдаемые в спектрах фотолюминесценции (ФЛ)\u0000одиночных Ми резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с\u0000наноостровками Ge(Si).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"167 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116407424","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Александр Васильевич Войцеховский, Сергей Николаевич Несмелов, Станислав Михайлович Дзядух
Униполярные барьерные детекторы (например, в nBn-конфигурации) обеспечивают возможности повышения рабочей температуры инфракрасных детекторов [1] за счет подавления некоторых компонент темнового тока (в частности, поверхностной утечки и генерации в обедненных областях). Наибольшие успехи достигнуты при создании барьерных детекторов на основе материалов III-V c постоянной решетки 6.1 Å (например, на основе систем InAsSb/AlAsSb, InAs/GaSb), из-за того, что при использовании таких материалов можно обеспечить отсутствие потенциального барьера в валентной зоне. Помимо этого, использование барьерной архитектуры в детекторах на основе материалов III-V позволяет увеличить рабочую температуру приборов, поскольку в традиционных детекторах на основе таких материалов доминируют шумы, связанные с генерацией в обедненных областях. При изготовлении барьерных детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), исчезает необходимость использования ионной имплантации, которая снижает качество материала из-за генерации радиационных дефектов.
{"title":"Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe","authors":"Александр Васильевич Войцеховский, Сергей Николаевич Несмелов, Станислав Михайлович Дзядух","doi":"10.34077/rcsp2021-136","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-136","url":null,"abstract":"Униполярные барьерные детекторы (например, в nBn-конфигурации) обеспечивают возможности\u0000повышения рабочей температуры инфракрасных детекторов [1] за счет подавления некоторых\u0000компонент темнового тока (в частности, поверхностной утечки и генерации в обедненных областях).\u0000Наибольшие успехи достигнуты при создании барьерных детекторов на основе материалов III-V c\u0000постоянной решетки 6.1 Å (например, на основе систем InAsSb/AlAsSb, InAs/GaSb), из-за того, что при\u0000использовании таких материалов можно обеспечить отсутствие потенциального барьера в валентной\u0000зоне. Помимо этого, использование барьерной архитектуры в детекторах на основе материалов III-V\u0000позволяет увеличить рабочую температуру приборов, поскольку в традиционных детекторах на основе\u0000таких материалов доминируют шумы, связанные с генерацией в обедненных областях. При\u0000изготовлении барьерных детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой\u0000эпитаксии (МЛЭ), исчезает необходимость использования ионной имплантации, которая снижает\u0000качество материала из-за генерации радиационных дефектов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"51 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115088393","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В. А. Голяшов, Данил Александрович Кустов, В. С. Русецкий
В данной работе обсуждается возможность создания пространственно-чувствительного спиндетектора на основе гибридной структуры - полупроводниковой гетероструктуры, на поверхность которой осажден тонкий ферромагнитный (ФМ) слой, позволяющей регистрировать пространственное распределение и поляризацию возникающей при инжекции в нее поляризованных по спину электронов катодолюминесценции (КЛ). Предлагаемый спиндетектор позволяет измерять три компоненты проекции спина: две компоненты спина в плоскости поверхности, используя тонкий ФМ слой в качестве спин-фильтра, и нормальную к его поверхности компоненту, измеряя циркулярную поляризацию КЛ.
{"title":"Оптический детектор спина свободных электронов с пространственным разрешением\u0000на основе полупроводниковых гетероструктур","authors":"В. А. Голяшов, Данил Александрович Кустов, В. С. Русецкий","doi":"10.34077/rcsp2021-47","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-47","url":null,"abstract":"В данной работе обсуждается возможность создания пространственно-чувствительного спиндетектора на основе гибридной структуры - полупроводниковой гетероструктуры, на поверхность\u0000которой осажден тонкий ферромагнитный (ФМ) слой,\u0000позволяющей регистрировать пространственное\u0000распределение и поляризацию возникающей при инжекции в\u0000нее поляризованных по спину электронов\u0000катодолюминесценции (КЛ). Предлагаемый спиндетектор позволяет измерять три компоненты проекции\u0000спина: две компоненты спина в плоскости поверхности,\u0000используя тонкий ФМ слой в качестве спин-фильтра, и\u0000нормальную к его поверхности компоненту, измеряя\u0000циркулярную поляризацию КЛ.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"153 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115096603","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Экспериментальные работы в области изучения эффективности оптоэлектронных элементов часто опережаются теоретическими исследованиями. Взаимодействие ЭМ волн с диэлектрическими частицами субволнового размера не имеет простой интерпретации для описания спектров отражения и пропускания. Единственным простым оценочным соотношением является формула m=nd, где m – длина волны магнитного дипольного резонанса, n – показатель преломления материала частицы и d – диаметр частицы. Была показано, что эта формула с высокой точностью выполняется для сферических частиц в среде воздуха. Для расчётов более сложных случаев могут быть использованы коммерческие программные пакеты.
{"title":"Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge на\u0000подложках Si","authors":"А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-26","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-26","url":null,"abstract":"Экспериментальные работы в области изучения эффективности оптоэлектронных элементов часто опережаются теоретическими исследованиями.\u0000Взаимодействие ЭМ волн с диэлектрическими частицами субволнового размера не имеет простой\u0000интерпретации для описания спектров отражения и пропускания. Единственным простым оценочным\u0000соотношением является формула m=nd, где m – длина волны магнитного дипольного резонанса, n –\u0000показатель преломления материала частицы и d – диаметр частицы. Была показано, что эта формула с\u0000высокой точностью выполняется для сферических частиц в среде воздуха. Для расчётов более сложных\u0000случаев могут быть использованы коммерческие программные пакеты.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130333926","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фототоков в наноструктурах на основе квантовых ям α-Sn/Ge при их возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами, как непосредственно контактным методом, так и регистрацией терагерцового излучения, индуцированного этими фототоками. Данная структура представляет интерес с точки зрения получения нового топологического материала. Исследуемые образцы представляли собой нанометровые слои Ge и α-Sn, синтезированные методом электронно-лучевого осаждения на поверхность подложки кремния с верхним слоем SiO2.
{"title":"Генерация терагерцового излучения токами фотонного увлечения\u0000в квантовых ямах a-Sn/Ge","authors":"В.Н. Трухин, И. А. Мустафин, F. V. Kusmartsev","doi":"10.34077/rcsp2021-69","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-69","url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фототоков в\u0000наноструктурах на основе квантовых ям α-Sn/Ge при их возбуждении фемтосекундными оптическими\u0000импульсами, как непосредственно контактным методом, так и регистрацией терагерцового излучения,\u0000индуцированного этими фототоками. Данная структура представляет интерес с точки зрения\u0000получения нового топологического материала. Исследуемые образцы представляли собой\u0000нанометровые слои Ge и α-Sn, синтезированные методом электронно-лучевого осаждения на\u0000поверхность подложки кремния с верхним слоем SiO2.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"57 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"117351079","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Мы предсказываем существование нового плазменного возбуждения, которое проявляет хиральные свойства в отсутствие внешнего магнитного поля. Это возбуждение, которое мы называем межкраевым плазмоном Берри (МКПБ), локализовано на границе раздела между двумя двумерными электронными системами (ДЭС) с различными аномальными холловскими проводимостями. Важно отметить, что МКПБ – это однонаправленная мода, направление распространения и частота которой поддаются контролю извне, в отличие от прочих современных устройств без магнитного поля. Мы считаем, что МКПБ представляет собой уникальную платформу для регулируемой передачи сигнала с защитой от обратного рассеяния в отсутствие магнитного поля.
{"title":"Межкраевой плазмон Берри как основа регулируемых однонаправленных устройств\u0000без магнитного поля","authors":"Алексей Сергеевич Петров","doi":"10.34077/rcsp2021-82","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-82","url":null,"abstract":"Мы предсказываем существование нового плазменного возбуждения, которое проявляет хиральные\u0000свойства в отсутствие внешнего магнитного поля. Это возбуждение, которое мы называем межкраевым\u0000плазмоном Берри (МКПБ), локализовано на границе раздела между двумя двумерными электронными\u0000системами (ДЭС) с различными аномальными холловскими проводимостями. Важно отметить,\u0000что МКПБ – это однонаправленная мода,\u0000направление распространения и частота\u0000которой поддаются контролю извне, в\u0000отличие от прочих современных устройств\u0000без магнитного поля. Мы считаем, что\u0000МКПБ представляет собой уникальную\u0000платформу для регулируемой передачи\u0000сигнала с защитой от обратного рассеяния\u0000в отсутствие магнитного поля.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"75 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121617276","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：