В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фототоков в наноструктурах на основе квантовых ям α-Sn/Ge при их возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами, как непосредственно контактным методом, так и регистрацией терагерцового излучения, индуцированного этими фототоками. Данная структура представляет интерес с точки зрения получения нового топологического материала. Исследуемые образцы представляли собой нанометровые слои Ge и α-Sn, синтезированные методом электронно-лучевого осаждения на поверхность подложки кремния с верхним слоем SiO2.
{"title":"Генерация терагерцового излучения токами фотонного увлечения\u0000в квантовых ямах a-Sn/Ge","authors":"В.Н. Трухин, И. А. Мустафин, F. V. Kusmartsev","doi":"10.34077/rcsp2021-69","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-69","url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фототоков в\u0000наноструктурах на основе квантовых ям α-Sn/Ge при их возбуждении фемтосекундными оптическими\u0000импульсами, как непосредственно контактным методом, так и регистрацией терагерцового излучения,\u0000индуцированного этими фототоками. Данная структура представляет интерес с точки зрения\u0000получения нового топологического материала. Исследуемые образцы представляли собой\u0000нанометровые слои Ge и α-Sn, синтезированные методом электронно-лучевого осаждения на\u0000поверхность подложки кремния с верхним слоем SiO2.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"57 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"117351079","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Мы предсказываем существование нового плазменного возбуждения, которое проявляет хиральные свойства в отсутствие внешнего магнитного поля. Это возбуждение, которое мы называем межкраевым плазмоном Берри (МКПБ), локализовано на границе раздела между двумя двумерными электронными системами (ДЭС) с различными аномальными холловскими проводимостями. Важно отметить, что МКПБ – это однонаправленная мода, направление распространения и частота которой поддаются контролю извне, в отличие от прочих современных устройств без магнитного поля. Мы считаем, что МКПБ представляет собой уникальную платформу для регулируемой передачи сигнала с защитой от обратного рассеяния в отсутствие магнитного поля.
{"title":"Межкраевой плазмон Берри как основа регулируемых однонаправленных устройств\u0000без магнитного поля","authors":"Алексей Сергеевич Петров","doi":"10.34077/rcsp2021-82","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-82","url":null,"abstract":"Мы предсказываем существование нового плазменного возбуждения, которое проявляет хиральные\u0000свойства в отсутствие внешнего магнитного поля. Это возбуждение, которое мы называем межкраевым\u0000плазмоном Берри (МКПБ), локализовано на границе раздела между двумя двумерными электронными\u0000системами (ДЭС) с различными аномальными холловскими проводимостями. Важно отметить,\u0000что МКПБ – это однонаправленная мода,\u0000направление распространения и частота\u0000которой поддаются контролю извне, в\u0000отличие от прочих современных устройств\u0000без магнитного поля. Мы считаем, что\u0000МКПБ представляет собой уникальную\u0000платформу для регулируемой передачи\u0000сигнала с защитой от обратного рассеяния\u0000в отсутствие магнитного поля.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"75 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121617276","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Представлены результаты исследований матричных фотоприемных устройств (ФПУ) на основе тройных соединений InGaAs коротковолнового ИК диапазона спектра формата 320х256 элементов с шагом 30 мкм и 640х512 элементов с шагом 15 мкм, работающих в пассивном и активно-импульсном режимах реального времени [1]. Важной функциональной возможностью ФПУ формата 320х256 является функционирование в четырех режимах реального времени: пассивном 2D; активном 2D с заданной глубиной по дальности; активно-импульсном 3D (дальномерном); асинхронном бинарном для обнаружения внешних лазерных излучателей [2].
{"title":"Фотоприемные устройства на основе InGaAs","authors":"Н. Ю. Яковлева, И. Д. Бурлаков, К.О. Болтарь","doi":"10.34077/rcsp2021-145","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-145","url":null,"abstract":"Представлены результаты исследований матричных фотоприемных устройств (ФПУ) на основе\u0000тройных соединений InGaAs коротковолнового ИК диапазона спектра формата 320х256 элементов с\u0000шагом 30 мкм и 640х512 элементов с шагом 15 мкм, работающих в пассивном и активно-импульсном\u0000режимах реального времени [1]. Важной функциональной возможностью ФПУ формата 320х256\u0000является функционирование в четырех режимах реального времени: пассивном 2D; активном 2D с\u0000заданной глубиной по дальности; активно-импульсном 3D (дальномерном); асинхронном бинарном\u0000для обнаружения внешних лазерных излучателей [2].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"144 8","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114047108","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Н. Н. Рубцова, Андрей Андреевич Ковалев, Д. В. Ледовских
В докладе сообщается о корреляции между строением квантовых ям (их состав, толщина барьеров, концентрация дефектов, степень согласованности по параметрам решетки материалов квантовых ям и барьеров и даже особенности технологии переноса слоев квантовых ям на диэлектрический широкополосный отражатель) и основными параметрами оптических затворов (механическая прочность, уровень ненасыщаемых потерь, максимальная глубина насыщения и быстродействие).
{"title":"Свойства квантовых ям и их применение в компактных лазерах ближнего ИК\u0000диапазона","authors":"Н. Н. Рубцова, Андрей Андреевич Ковалев, Д. В. Ледовских","doi":"10.34077/rcsp2021-72","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-72","url":null,"abstract":"В докладе сообщается о корреляции между строением квантовых ям (их состав, толщина барьеров,\u0000концентрация дефектов, степень согласованности по параметрам решетки материалов квантовых ям и\u0000барьеров и даже особенности технологии переноса слоев квантовых ям на диэлектрический\u0000широкополосный отражатель) и основными параметрами оптических затворов (механическая\u0000прочность, уровень ненасыщаемых потерь, максимальная глубина насыщения и быстродействие).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"5 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121083246","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Разработаны и исследованы оптические методы обеспечения предельной эффективности преобразования изображений в мозаичных фотоприемниках (МФП) изображений сверхвысокой размерности инфракрасного (ИК) и терагерцового (ТГц) спектральных диапазонов (Рис.). МФП сверхвысокой размерности создают путем размещения на пластине-носителе (1) стык в стык кристаллов фотоприемных субмодулей (2) меньшего, оптимального для изготовления формата [1-13]. Применение МФП ограничивается "слепыми зонами", обусловленными отсутствием фоточувствительных элементов (ФЧЭ) вдоль областей стыковки (7) кристаллов смежных субмодулей.
{"title":"Оптические методы обеспечения предельной эффективности преобразования\u0000изображений в мозаичных фотоприемниках сверхвысокой размерности","authors":"Анатолий Иванович Козлов","doi":"10.34077/rcsp2021-148","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-148","url":null,"abstract":"Разработаны и исследованы оптические методы\u0000обеспечения предельной эффективности преобразования\u0000изображений в мозаичных фотоприемниках (МФП)\u0000изображений сверхвысокой размерности инфракрасного\u0000(ИК) и терагерцового (ТГц) спектральных диапазонов\u0000(Рис.). МФП сверхвысокой размерности создают путем\u0000размещения на пластине-носителе (1) стык в стык\u0000кристаллов фотоприемных субмодулей (2) меньшего,\u0000оптимального для изготовления формата [1-13].\u0000Применение МФП ограничивается \"слепыми зонами\",\u0000обусловленными отсутствием фоточувствительных\u0000элементов (ФЧЭ) вдоль областей стыковки (7)\u0000кристаллов смежных субмодулей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"22 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121215538","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Александр Васильевич Войцеховский, Сергей Николаевич Несмелов, Станислав Михайлович Дзядух
Униполярные барьерные детекторы (например, в nBn-конфигурации) обеспечивают возможности повышения рабочей температуры инфракрасных детекторов [1] за счет подавления некоторых компонент темнового тока (в частности, поверхностной утечки и генерации в обедненных областях). Наибольшие успехи достигнуты при создании барьерных детекторов на основе материалов III-V c постоянной решетки 6.1 Å (например, на основе систем InAsSb/AlAsSb, InAs/GaSb), из-за того, что при использовании таких материалов можно обеспечить отсутствие потенциального барьера в валентной зоне. Помимо этого, использование барьерной архитектуры в детекторах на основе материалов III-V позволяет увеличить рабочую температуру приборов, поскольку в традиционных детекторах на основе таких материалов доминируют шумы, связанные с генерацией в обедненных областях. При изготовлении барьерных детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), исчезает необходимость использования ионной имплантации, которая снижает качество материала из-за генерации радиационных дефектов.
{"title":"Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe","authors":"Александр Васильевич Войцеховский, Сергей Николаевич Несмелов, Станислав Михайлович Дзядух","doi":"10.34077/rcsp2021-136","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-136","url":null,"abstract":"Униполярные барьерные детекторы (например, в nBn-конфигурации) обеспечивают возможности\u0000повышения рабочей температуры инфракрасных детекторов [1] за счет подавления некоторых\u0000компонент темнового тока (в частности, поверхностной утечки и генерации в обедненных областях).\u0000Наибольшие успехи достигнуты при создании барьерных детекторов на основе материалов III-V c\u0000постоянной решетки 6.1 Å (например, на основе систем InAsSb/AlAsSb, InAs/GaSb), из-за того, что при\u0000использовании таких материалов можно обеспечить отсутствие потенциального барьера в валентной\u0000зоне. Помимо этого, использование барьерной архитектуры в детекторах на основе материалов III-V\u0000позволяет увеличить рабочую температуру приборов, поскольку в традиционных детекторах на основе\u0000таких материалов доминируют шумы, связанные с генерацией в обедненных областях. При\u0000изготовлении барьерных детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой\u0000эпитаксии (МЛЭ), исчезает необходимость использования ионной имплантации, которая снижает\u0000качество материала из-за генерации радиационных дефектов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"51 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115088393","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Виктор Александрович Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин
В настоящее время во всем мире наблюдается повышенный интерес к двумерным материалам на основе кремния и германия [1]. Ожидается, что эти материалы будут иметь электронную структуру с прямой запрещенной зоной, что должно приводить к эффективной люминесценции. Настоящая работа направлена на поиск оптимальных условий для формирования двумерных слоёв Si, встроенных в диэлектрическую матрицу CaF2, а так же на исследование их структурных и оптических свойств. Нами был проведён рост эпитаксиальных структур, содержащих тонкие слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF2. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(111). Исследования морфологии поверхности выращенных структур позволили определить условия роста, благоприятные для формирования двумерных слоёв Si. Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были проведены исследования колебательных спектров созданных структур. В спектрах КРС от структур с одним бислоем Si, встроенным в CaF2, обнаружен узкий пик при 418 см-1 , который обусловлен колебаниями Si-Si связей в плоскости двумерного слоя Si, интеркалированного в CaF2.
{"title":"Оптические и структурные свойства двумерных слоёв кремния, встроенных в\u0000диэлектрическую матрицу фторида кальция","authors":"Виктор Александрович Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин","doi":"10.34077/rcsp2021-95","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-95","url":null,"abstract":"В настоящее время во всем мире наблюдается повышенный интерес к двумерным материалам на\u0000основе кремния и германия [1]. Ожидается, что эти материалы будут иметь электронную структуру с\u0000прямой запрещенной зоной, что должно приводить к эффективной люминесценции. Настоящая работа\u0000направлена на поиск оптимальных условий для формирования двумерных слоёв Si, встроенных в\u0000диэлектрическую матрицу CaF2, а так же на исследование их структурных и оптических свойств. Нами\u0000был проведён рост эпитаксиальных структур, содержащих тонкие слои Si, встроенные в\u0000диэлектрическую матрицу CaF2. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии на\u0000подложках Si(111). Исследования морфологии поверхности выращенных структур позволили\u0000определить условия роста, благоприятные для формирования двумерных слоёв Si. Методом\u0000спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были проведены исследования колебательных\u0000спектров созданных структур. В спектрах КРС от структур с одним бислоем Si, встроенным в CaF2,\u0000обнаружен узкий пик при 418 см-1\u0000, который обусловлен колебаниями Si-Si связей в плоскости\u0000двумерного слоя Si, интеркалированного в CaF2.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"23 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"116406192","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Частотно-контрастная характеристика (ЧКХ) ИК КРТ-фотоприемных матриц убывает с ростом пространственной частоты засветки и обычно проходит через ноль вблизи удвоенной пространственной частоты Найквиста 2fN равной обратному шагу матрицы. Если аппроксимировать фоточувствительность пикселя константой в пределах квадрата со стороной w, меньшей или равной шагу матрицы, и нулем – за пределами этого квадрата, то ЧКХ такой площадки равна sin(fw)/fw (f - пространственная частота) и проходит через первый ноль на частоте f=1/w, равной или большей 2fN. Как видно из рисунка, на частоте 2fN распределение интенсивности синусоидальной волны засветки и соответствующие ему концентрация и ток фотоносителей обладают симметрией относительно границ пикселя, так что нормальная компонента фототока через границы пикселей зануляется.
{"title":"Моделирование методом Монте-Карло поведения частотно-контрастной\u0000характеристики фотоприёмных КРТ-матриц вблизи удвоенной частоты Найквиста","authors":"А. В. Вишняков, В.А. Стучинский","doi":"10.34077/rcsp2021-134","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-134","url":null,"abstract":"Частотно-контрастная характеристика (ЧКХ) ИК КРТ-фотоприемных матриц убывает с ростом\u0000пространственной частоты засветки и обычно проходит через ноль вблизи удвоенной\u0000пространственной частоты Найквиста 2fN равной обратному шагу матрицы. Если аппроксимировать\u0000фоточувствительность пикселя константой в пределах квадрата со стороной w, меньшей или равной\u0000шагу матрицы, и нулем – за пределами этого квадрата, то ЧКХ такой площадки равна sin(fw)/fw (f -\u0000пространственная частота) и проходит через первый ноль на частоте f=1/w, равной или большей 2fN.\u0000Как видно из рисунка, на частоте 2fN распределение интенсивности синусоидальной волны засветки и\u0000соответствующие ему концентрация и ток фотоносителей обладают симметрией относительно границ\u0000пикселя, так что нормальная компонента фототока через границы пикселей зануляется.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"127323705","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
{"title":"Гибридные перовскиты – прорыв в солнечной энергетике","authors":"О. И. Семенова","doi":"10.34077/rcsp2021-60","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-60","url":null,"abstract":"Сделан обзор использования гибридных перовскитов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"17 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126426132","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования фотолюминесценции серий сильнолегированных слоев AlN, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках, концентрация атомов кремния (NSi) составляла 1.11020 см-3 . При измерении ФЛ в диапазоне температур 300-1000 К использовалось возбуждение 4- ой гармоникой импульсного Nd:YLF лазера (λ=263 нм, мощность 1 мВт, длительность импульса 7 нс). При измерении ФЛ в широком диапазоне генерации носителей заряда использовалась возбуждение 4- ой гармоникой стационарного YAG лазера (λ=266 нм), максимальная мощность составляла 65 мВт.
{"title":"Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу\u0000фотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si","authors":"И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д.С. Милахин","doi":"10.34077/rcsp2021-121","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-121","url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования\u0000фотолюминесценции серий сильнолегированных слоев AlN, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках, концентрация атомов кремния (NSi) составляла\u00001.11020 см-3\u0000. При измерении ФЛ в диапазоне температур 300-1000 К использовалось возбуждение 4-\u0000ой гармоникой импульсного Nd:YLF лазера (λ=263 нм, мощность 1 мВт, длительность импульса 7 нс).\u0000При измерении ФЛ в широком диапазоне генерации носителей заряда использовалась возбуждение 4-\u0000ой гармоникой стационарного YAG лазера (λ=266 нм), максимальная мощность составляла 65 мВт.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"131869176","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：