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Journal of The Vacuum Society of Japan最新文献

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Expectation to Vacuum Nano-electronics 对真空纳米电子学的期望
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/JVSJ2.60.2
H. Mimura
{"title":"Expectation to Vacuum Nano-electronics","authors":"H. Mimura","doi":"10.3131/JVSJ2.60.2","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/JVSJ2.60.2","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"88785980","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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真空計測における Japan Calibration Service System:計量法に基づく校正事業者登録制度(JCSS)への取り組み,「誤差」から「トレーサビリティー」と「不確かさ」へ 真空测量的Japan Calibration Service System:致力于基于计量法的校正经营者注册制度(JCSS),从“误差”到“可追溯”和“不确定性”
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/jvsj2.60.182
隆英 堀, 秀樹 吉澤, 智成 田中
{"title":"真空計測における Japan Calibration Service System:計量法に基づく校正事業者登録制度(JCSS)への取り組み,「誤差」から「トレーサビリティー」と「不確かさ」へ","authors":"隆英 堀, 秀樹 吉澤, 智成 田中","doi":"10.3131/jvsj2.60.182","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/jvsj2.60.182","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"87410694","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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真空技術者資格認定試験の問題解説(5);真空技術者資格認定試験の問題解説(5);Guidance for the Vacuum Engineer Examination (5) 真空技术者资格认定试験の问题解说(5);真空技术者资格认定试験の问题解说(5);Guidance for the Vacuum Engineer Examination (5)
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/jvsj2.60.279
Kazue Takahashi
{"title":"真空技術者資格認定試験の問題解説(5);真空技術者資格認定試験の問題解説(5);Guidance for the Vacuum Engineer Examination (5)","authors":"Kazue Takahashi","doi":"10.3131/jvsj2.60.279","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/jvsj2.60.279","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"84760650","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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走査トンネル顕微鏡を用いた単層酸化グラフェンのナノスケール観察;走査トンネル顕微鏡を用いた単層酸化グラフェンのナノスケール観察;Nanoscale Observation of a Single Graphene Oxide layer Using Scanning Tunneling Microscopy 利用扫描隧道显微镜对单层氧化石墨烯进行纳米级观察;利用扫描隧道显微镜对单层氧化石墨烯进行纳米级观察;Nanoscale Observation of a Single Graphene Oxide layer Using Scanning Tunneling Microscopy
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/JVSJ2.60.495
S. Katano, Tao Wei, Takumi Sasajima, Y. Uehara
Nano-scale structures of a single graphene oxide (GO) layer deposited on Au(111) covered with the octanethiolate self-assembled monolayer (C8S-SAM) have been investigated by scanning tunneling microscopy (STM). Using a spin-coating method, we found that GO ‰akes are isolated and are dispersed on the C8S-SAM/Au(111) surface whereas these are likely to pile up on the bare Au(111) surface. Furthermore, the C8S-SAM formed on Au(111) enables us to deposit GO keeping the surface clean even if we prepared the sample in the atmosphere. By using the C8S-SAM/Au(111) substrate, we succeeded in observing an STM image of the unreduced GO. The STM image of a single GO layer exhibits the grain-like structure having the range in height from 0.6 to 1.1 nm. The biasdependent STM study indicated that the STM image of GO is stably and reproducibly obtained at the voltage where the density of states of GO exists.
利用扫描隧道显微镜(STM)研究了沉积在金(111)表面的氧化石墨烯(GO)层的纳米级结构,该氧化石墨烯(GO)层被辛烷硫酸酯自组装单层(C8S-SAM)覆盖。利用自旋涂覆方法,我们发现GO‰在C8S-SAM/Au(111)表面是孤立的,分散的,而它们可能堆积在裸露的Au(111)表面。此外,在Au(111)上形成的C8S-SAM使我们能够沉积GO,即使我们在大气中制备样品,也能保持表面清洁。通过使用C8S-SAM/Au(111)衬底,我们成功地观察到了未还原氧化石墨烯的STM图像。单层氧化石墨烯的STM图像显示出高度在0.6 ~ 1.1 nm之间的颗粒状结构。偏倚相关的STM研究表明,在存在氧化石墨烯态密度的电压下,氧化石墨烯的STM图像是稳定且可重复的。
{"title":"走査トンネル顕微鏡を用いた単層酸化グラフェンのナノスケール観察;走査トンネル顕微鏡を用いた単層酸化グラフェンのナノスケール観察;Nanoscale Observation of a Single Graphene Oxide layer Using Scanning Tunneling Microscopy","authors":"S. Katano, Tao Wei, Takumi Sasajima, Y. Uehara","doi":"10.3131/JVSJ2.60.495","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/JVSJ2.60.495","url":null,"abstract":"Nano-scale structures of a single graphene oxide (GO) layer deposited on Au(111) covered with the octanethiolate self-assembled monolayer (C8S-SAM) have been investigated by scanning tunneling microscopy (STM). Using a spin-coating method, we found that GO ‰akes are isolated and are dispersed on the C8S-SAM/Au(111) surface whereas these are likely to pile up on the bare Au(111) surface. Furthermore, the C8S-SAM formed on Au(111) enables us to deposit GO keeping the surface clean even if we prepared the sample in the atmosphere. By using the C8S-SAM/Au(111) substrate, we succeeded in observing an STM image of the unreduced GO. The STM image of a single GO layer exhibits the grain-like structure having the range in height from 0.6 to 1.1 nm. The biasdependent STM study indicated that the STM image of GO is stably and reproducibly obtained at the voltage where the density of states of GO exists.","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"80437556","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Influence of Space Charge on the Relative Sensitivity Coefficient of a Triode Gauge 空间电荷对三极管计相对灵敏度系数的影响
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/jvsj2.60.490
Shigemi Suginuma, M. Hirata, T. Kobata
{"title":"Influence of Space Charge on the Relative Sensitivity Coefficient of a Triode Gauge","authors":"Shigemi Suginuma, M. Hirata, T. Kobata","doi":"10.3131/jvsj2.60.490","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/jvsj2.60.490","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"73223757","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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電子線照射装置の工業利用への展開;電子線照射装置の工業利用への展開;Expansion of Industrial Use of Electron Beam Processing System 电子射线照射设备在工业中的应用;电子射线照射设备在工业中的应用;Industrial Use of Electron Beam Processing System
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/JVSJ2.60.64
Yasuyuki Okumura
電子線照射装置は電子を高真空中で高電圧により加速させ た後,加速電子を大気中に取り出すもので,高電圧技術, ビーム工学技術,そして高真空技術の複合技術で構成される 装置である.この加速電子を物質に当てることで加速電子が もつエネルギーを物質に与え,様々な反応を引き起こす.通 常の化学反応で用いる熱エネルギーと比較してエネルギー利 用率が高く,反応促進剤などの添加剤不要,かつ低温で効果 が得られる.また電子線は放射線の一種であるが,電源の ON/OFF で放射線の発生を制御できるなど,取り扱いが容 易で安全性が高い.そして単位時間あたりの材料に与えるエ ネルギーは,同様の現象を起こすことができるガンマ線と比 較すると桁違いに大きい.そのため連続生産性が高く工業用 途に好適な装置といえる1). 電子線照射技術は放射線劣化の研究からはじまり,1952 年にチャールスビー教授がポリエチレンの電子線架橋を発見 した後,様々な産業分野で利用されることとなった.近年で は電子線照射装置の改良改善が進むとともに,電子線照射に 適した素材が開発されるなど,工業利用,技術開発が活発に 行われている.本稿では電子線照射装置の工業利用や,研究 開発が進められている照射技術の概要や利点,用途を紹介す る.
电子线照射装置是在高真空中用高压使电子加速,然后将加速电子释放到大气中,是一种高压技术。这是一种由光束工程技术和高真空技术的复合技术构成的装置,通过将加速电子照射到物质上,将加速电子所具有的能量赋予物质,从而引起各种反应。与一般化学反应中使用的热能相比,能源利用率高,不需要反应促进剂等添加剂,而且在低温下就能达到效果。另外,电子线是放射线的一种,可开启/关闭电源可控制放射线的产生,操作方便,安全性高。而且单位时间内对材料所施加的能量与能产生同样现象的γ射线比相比较之下相差悬殊。因此可以说是连续生产性高,适合工业用的装置。电子线照射技术始于放射线劣化的研究,1952年查尔斯比教授发现聚乙烯电子线交联后,被广泛应用于各种工业领域。近年来,随着电子线照射装置的不断改进,适合电子线照射的材料不断被开发出来,工业利用和技术开发也在积极进行。本文将介绍电子射线照射装置的工业应用,以及正在研究开发的照射技术的概要、优点和用途。
{"title":"電子線照射装置の工業利用への展開;電子線照射装置の工業利用への展開;Expansion of Industrial Use of Electron Beam Processing System","authors":"Yasuyuki Okumura","doi":"10.3131/JVSJ2.60.64","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/JVSJ2.60.64","url":null,"abstract":"電子線照射装置は電子を高真空中で高電圧により加速させ た後,加速電子を大気中に取り出すもので,高電圧技術, ビーム工学技術,そして高真空技術の複合技術で構成される 装置である.この加速電子を物質に当てることで加速電子が もつエネルギーを物質に与え,様々な反応を引き起こす.通 常の化学反応で用いる熱エネルギーと比較してエネルギー利 用率が高く,反応促進剤などの添加剤不要,かつ低温で効果 が得られる.また電子線は放射線の一種であるが,電源の ON/OFF で放射線の発生を制御できるなど,取り扱いが容 易で安全性が高い.そして単位時間あたりの材料に与えるエ ネルギーは,同様の現象を起こすことができるガンマ線と比 較すると桁違いに大きい.そのため連続生産性が高く工業用 途に好適な装置といえる1). 電子線照射技術は放射線劣化の研究からはじまり,1952 年にチャールスビー教授がポリエチレンの電子線架橋を発見 した後,様々な産業分野で利用されることとなった.近年で は電子線照射装置の改良改善が進むとともに,電子線照射に 適した素材が開発されるなど,工業利用,技術開発が活発に 行われている.本稿では電子線照射装置の工業利用や,研究 開発が進められている照射技術の概要や利点,用途を紹介す る.","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"81195284","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Evacuation Process for a Long Pipe using ‘Horikoshi-Model’ 基于“堀越模型”的长管道疏散过程
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/jvsj2.60.228
O. Okada
水分子は吸着性の分子で,真空装置の排気過程で重要な役 割をすることは,真空技術において良く知られている.その 吸着性の分子の振る舞いを具体的に記述するモデルとして 「堀越モデル」1)があるが,残念ながら良く知られているとは 言えない.それには,いろいろな歴史的な事情が絡んでいる と思うが,ここでは次の点を指摘しておきたい.第一には, 日本における最も著名な真空の教科書は,今でも,熊谷らに よる「真空の物理と応用」2)であるが,この教科書が出版さ れたのは1970年で,堀越はこの本の共著者の一人である が,堀越モデルはまだ提案されていなかったので,記述され ていない.1970年以降,日本の真空教科書は,この教科書 に基づき,その後の真空技術の進歩を付け加える形で記述さ れてきているように見える.私は,堀越モデルは付け加えら れるべきであった,と考えるが,どういうわけか堀越モデル について日本の教科書には殆ど記述されていない.第二に, 「堀越モデル」が日本発のモデルであるためか,あるいは微 妙な解釈の違いのためか,やはり理由は私には良く解らない が,外国の真空の教科書にも,殆ど堀越モデルの記述がない ようである.第三に,堀越モデルは,本人によって,「真空 排気とガス放出」3)に詳しい解説がなされている.しかしな がら,その解説では,簡単のためと思われるが,吸着分子の 付着係数を 1 としている.そのため,分子の振る舞いが現 実離れしており,このモデルが実際の現象に適用できるよう に感じられない.堀越自身が,このモデルを,単に考え方を 説明するためのものでしかなく,現実的なものであると思っ ていなかった可能性がある. 堀越モデルによって,実際の排気が記述できる場合がある ことは,最近になって報告されている4).また,排気におけ る準平衡状態の成立にこのモデルが必要であることは,松田 によって指摘されている5).武安らは排気曲線の解析により 吸着密度分布を導くことができることを報告している6)が, これを理解するためにも堀越モデルは基本的である.堀越モ デルの重要性は増していると思う. ここでは,堀越モデルで,特に滞在時間が長い場合を詳細 に述べ,排気曲線にどのような特徴がなぜ現れるか説明す る.それをもとに,長い配管の排気になぜ長時間必要である かを考察する.またビルドアップにこのモデルを拡張する. これにより,吸着性の分子の真空中の振る舞いの理解に,堀 越モデルが大切であることを述べる.
水分子是吸附性分子,在真空装置排气过程中起着重要作用,这在真空技术中是众所周知的。作为具体描述吸附性分子行为的模型虽然有“堀越模式”1),但遗憾的是并不广为人知。我认为这与各种历史原因有关,在此想指出以下几点。第一,日本最著名的真空教科书,至今仍是熊谷等人的《真空的物理和应用》。这本教科书出版于1970年,堀越是这本书的共同作者之一。但是,堀越模型还没有被提出,所以没有被记述。1970年以后,日本的真空教科书以该教科书为基础,补充了此后真空技术的进步。我认为应该加上堀越模型,但不知为何,日本的教科书几乎没有记述堀越模型。第二,不知是因为“堀越模式”是源自日本的模式,还是因为微妙的解释差异,我不太明白其中的原因,在外国的真空教科书中,似乎也几乎没有堀越模式的记载。第三,堀越模型由本人对“真空排气和气体释放”进行了详细的解说。但是,这种解说可能是为了简单起见,将吸附分子的附着系数定为1因此,分子的行为脱离实际,感觉不到该模型适用于实际现象。堀越自己也有可能认为这个模型仅仅是为了说明想法,而不是现实的东西。根据堀越模型,有时可以描述实际的排气,这是最近的报告4).另外,松田指出该模型对于排气桶准平衡状态的成立是必要的5)。武安等人报告说,通过分析排气曲线可以推导出吸附密度分布。不过,为了理解这一点,堀越模型是基本的。我认为堀越模型的重要性正在增加。在此,我们将详细说明堀越模型在停留时间特别长的情况下,排气曲线为什么会出现什么样的特征。在此基础上,考察为什么长排管的排气需要长时间。另外,将该模型扩展到堆型中。由此,有助于理解吸附性分子在真空中的行为。阐述越模式的重要性。
{"title":"Evacuation Process for a Long Pipe using ‘Horikoshi-Model’","authors":"O. Okada","doi":"10.3131/jvsj2.60.228","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/jvsj2.60.228","url":null,"abstract":"水分子は吸着性の分子で,真空装置の排気過程で重要な役 割をすることは,真空技術において良く知られている.その 吸着性の分子の振る舞いを具体的に記述するモデルとして 「堀越モデル」1)があるが,残念ながら良く知られているとは 言えない.それには,いろいろな歴史的な事情が絡んでいる と思うが,ここでは次の点を指摘しておきたい.第一には, 日本における最も著名な真空の教科書は,今でも,熊谷らに よる「真空の物理と応用」2)であるが,この教科書が出版さ れたのは1970年で,堀越はこの本の共著者の一人である が,堀越モデルはまだ提案されていなかったので,記述され ていない.1970年以降,日本の真空教科書は,この教科書 に基づき,その後の真空技術の進歩を付け加える形で記述さ れてきているように見える.私は,堀越モデルは付け加えら れるべきであった,と考えるが,どういうわけか堀越モデル について日本の教科書には殆ど記述されていない.第二に, 「堀越モデル」が日本発のモデルであるためか,あるいは微 妙な解釈の違いのためか,やはり理由は私には良く解らない が,外国の真空の教科書にも,殆ど堀越モデルの記述がない ようである.第三に,堀越モデルは,本人によって,「真空 排気とガス放出」3)に詳しい解説がなされている.しかしな がら,その解説では,簡単のためと思われるが,吸着分子の 付着係数を 1 としている.そのため,分子の振る舞いが現 実離れしており,このモデルが実際の現象に適用できるよう に感じられない.堀越自身が,このモデルを,単に考え方を 説明するためのものでしかなく,現実的なものであると思っ ていなかった可能性がある. 堀越モデルによって,実際の排気が記述できる場合がある ことは,最近になって報告されている4).また,排気におけ る準平衡状態の成立にこのモデルが必要であることは,松田 によって指摘されている5).武安らは排気曲線の解析により 吸着密度分布を導くことができることを報告している6)が, これを理解するためにも堀越モデルは基本的である.堀越モ デルの重要性は増していると思う. ここでは,堀越モデルで,特に滞在時間が長い場合を詳細 に述べ,排気曲線にどのような特徴がなぜ現れるか説明す る.それをもとに,長い配管の排気になぜ長時間必要である かを考察する.またビルドアップにこのモデルを拡張する. これにより,吸着性の分子の真空中の振る舞いの理解に,堀 越モデルが大切であることを述べる.","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"81252958","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Problem-Solving Exercise for Basic Understanding of Vacuum Science and Technology (1) 真空科学与技术基础知识解题练习(1)
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/jvsj2.60.201
K. Shibata
{"title":"Problem-Solving Exercise for Basic Understanding of Vacuum Science and Technology (1)","authors":"K. Shibata","doi":"10.3131/jvsj2.60.201","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/jvsj2.60.201","url":null,"abstract":"","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"87383390","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Detection System for KeV Proton Beam Scattered from an ESD-surface with Monolayer Pits of Alkali Halide Crystal 碱性卤化物晶体静电放电表面散射KeV质子束的探测系统
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/JVSJ2.60.153
Y. Fukazawa, Ryoki Nakagawa, Y. Susuki
To observe specular oscillations in ion-surface scattering originating from layer-by-layer desorption of an electron stimulated desorbed (ESD) surface, a 15 keV proton beam was impinged on the surface with an angle of incidence less than 1°. We prepared an experimental system to examine the scattering yields of re‰ecting protons by conveniently employing a ‰uorescent screen to view scattering yields (scattering patterns) and a commercial digital camera for yield measurements. Because the present energy of the proton beam was too low to illuminate the screen, a micro-channel plate was inserted in front of the screen. Measurements with electron irradiation show obvious damping specular oscillations; the widths of angular distributions of scattered protons simultaneously oscillated with increasing electron ‰uence. From the measured periods of the oscillations, the ESD rates of thermal desorption from KBr(001) at 1.5 keV electrons irradiation were obtained for sample temperatures.
为了观察由电子刺激解吸(ESD)表面逐层解吸引起的离子表面散射的镜面振荡,将一束15 keV的质子束以小于1°的入射角撞击表面。我们准备了一个实验系统,通过方便地使用荧光屏幕来查看散射产率(散射模式)和商用数码相机来测量产率,来检查反射质子的散射产率。由于目前质子束的能量太低,无法照亮屏幕,所以在屏幕前面插入了一个微通道板。电子辐照测量显示出明显的阻尼镜面振荡;散射质子的角分布宽度随电子浓度的增加而同步振荡。根据测量的振荡周期,得到了样品温度下1.5 keV电子辐照下KBr(001)热脱附的ESD速率。
{"title":"Detection System for KeV Proton Beam Scattered from an ESD-surface with Monolayer Pits of Alkali Halide Crystal","authors":"Y. Fukazawa, Ryoki Nakagawa, Y. Susuki","doi":"10.3131/JVSJ2.60.153","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/JVSJ2.60.153","url":null,"abstract":"To observe specular oscillations in ion-surface scattering originating from layer-by-layer desorption of an electron stimulated desorbed (ESD) surface, a 15 keV proton beam was impinged on the surface with an angle of incidence less than 1°. We prepared an experimental system to examine the scattering yields of re‰ecting protons by conveniently employing a ‰uorescent screen to view scattering yields (scattering patterns) and a commercial digital camera for yield measurements. Because the present energy of the proton beam was too low to illuminate the screen, a micro-channel plate was inserted in front of the screen. Measurements with electron irradiation show obvious damping specular oscillations; the widths of angular distributions of scattered protons simultaneously oscillated with increasing electron ‰uence. From the measured periods of the oscillations, the ESD rates of thermal desorption from KBr(001) at 1.5 keV electrons irradiation were obtained for sample temperatures.","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"87413282","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Characterization of Carbon Thin Films Prepared by High Power Impulse Magnetron Sputtering 高功率脉冲磁控溅射制备碳薄膜的表征
Pub Date : 2017-01-01 DOI: 10.3131/JVSJ2.60.341
Norio Nawachi, K. Itoh, Yosuke Isagi, Yoshiaki Yoshida, K. Okamoto, T. Nakatani
Characterization of Carbon Thin Films Prepared by High Power Impulse Magnetron Sputtering Norio NAWACHI1, Koichi ITOH1, Yosuke ISAGI1, Yoshiaki YOSHIDA2, Keishi OKAMOTO2 and Tatsuyuki NAKATANI3 1West Region Industrial Research Center, Hiroshima Prefectural Technology Research Institute, 2101 Agaminami, Kure-shi, Hiroshima 7370004, Japan 2Toyo Advanced Technologies Co., Ltd., 5338 Ujina-higashi, Minami-ku, Hiroshima-shi, Hiroshima 7348501, Japan 3Research Institute of Technology, Okayama University of Science, 11 Ridai-cho, Kita-ku, Okayama-shi, Okayama 7000005, Japan
表征碳薄膜由高功率脉冲磁控溅射Norio NAWACHI1,伊藤Koichi1,Yosuke ISAGI1,吉田2义明Keishi OKAMOTO2和Tatsuyuki NAKATANI31西部地区工业研究中心,广岛县技术研究所,2101 Agaminami Kure-shi,广岛7370004,日本2丰雄先进技术有限公司有限公司5338 Ujina-higashi, Minami-ku, Hiroshima-shi,广岛7348501,日本3技术研究所,冈山理工学大学,1日本冈山市北区立台町1号7000005
{"title":"Characterization of Carbon Thin Films Prepared by High Power Impulse Magnetron Sputtering","authors":"Norio Nawachi, K. Itoh, Yosuke Isagi, Yoshiaki Yoshida, K. Okamoto, T. Nakatani","doi":"10.3131/JVSJ2.60.341","DOIUrl":"https://doi.org/10.3131/JVSJ2.60.341","url":null,"abstract":"Characterization of Carbon Thin Films Prepared by High Power Impulse Magnetron Sputtering Norio NAWACHI1, Koichi ITOH1, Yosuke ISAGI1, Yoshiaki YOSHIDA2, Keishi OKAMOTO2 and Tatsuyuki NAKATANI3 1West Region Industrial Research Center, Hiroshima Prefectural Technology Research Institute, 2101 Agaminami, Kure-shi, Hiroshima 7370004, Japan 2Toyo Advanced Technologies Co., Ltd., 5338 Ujina-higashi, Minami-ku, Hiroshima-shi, Hiroshima 7348501, Japan 3Research Institute of Technology, Okayama University of Science, 11 Ridai-cho, Kita-ku, Okayama-shi, Okayama 7000005, Japan","PeriodicalId":17344,"journal":{"name":"Journal of The Vacuum Society of Japan","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2017-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"90053893","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
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Journal of The Vacuum Society of Japan
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