Pub Date : 2022-01-01DOI: 10.21883/ftp.2022.11.54253.9957
А.А. Гуткин, Н. С. Аверкиев
Рассмотрены результаты исследований комплексов вакансия Ga (VGa) --- мелкий донор (атом Te или S, замещающий атом As в ближайшем к вакансии узле решетки) методами фотолюминесценции при резонансном поляризованном возбуждении и пьезоспектроскопии. Анализ экспериментальных данных в классическом дипольном приближении показывает, что симметрия комплексов ниже тригональной и их оптические свойства объясняются в модели моноклинного дефекта, имеющего плоскость симметрии типа 011, в которой лежит исходная тригональная ось и ось оптического диполя. Причиной понижения симметрии исходно тригонального центра являются дисторсии, возникающие из-за эффекта Яна-Теллера. Предложена микроскопическая модель, связывающая особенности поведения оптических свойств комплекса VGaTeAs при одноосных деформациях и изменении температуры с особенностями структуры электронных уровней и изменением зарядового состояния комплекса. Различия в этом поведении, наблюдавшиеся для комплекса VGaSAs, анализируются и возможные причины их появления обсуждаются. Ключевые слова: вакансионные комплексы в GaAs, эффект Яна-Теллера, фотолюминесценция при резонансном возбуждении, пьезоспектроскопия.
{"title":"Комплексы вакансия галлия --- мелкий донор в n-GaAs, легированном элементами VI группы Te или S (О б з о р)","authors":"А.А. Гуткин, Н. С. Аверкиев","doi":"10.21883/ftp.2022.11.54253.9957","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.11.54253.9957","url":null,"abstract":"Рассмотрены результаты исследований комплексов вакансия Ga (VGa) --- мелкий донор (атом Te или S, замещающий атом As в ближайшем к вакансии узле решетки) методами фотолюминесценции при резонансном поляризованном возбуждении и пьезоспектроскопии. Анализ экспериментальных данных в классическом дипольном приближении показывает, что симметрия комплексов ниже тригональной и их оптические свойства объясняются в модели моноклинного дефекта, имеющего плоскость симметрии типа 011, в которой лежит исходная тригональная ось и ось оптического диполя. Причиной понижения симметрии исходно тригонального центра являются дисторсии, возникающие из-за эффекта Яна-Теллера. Предложена микроскопическая модель, связывающая особенности поведения оптических свойств комплекса VGaTeAs при одноосных деформациях и изменении температуры с особенностями структуры электронных уровней и изменением зарядового состояния комплекса. Различия в этом поведении, наблюдавшиеся для комплекса VGaSAs, анализируются и возможные причины их появления обсуждаются. Ключевые слова: вакансионные комплексы в GaAs, эффект Яна-Теллера, фотолюминесценция при резонансном возбуждении, пьезоспектроскопия.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"7 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"82991191","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-01-01DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51960.33
Екатерина Ильинична Суворова, Ф.Ю. Соломкин, Н. А. Архарова, Н. В. Шаренкова, Г. Н. Исаченко
The phase composition, microstructure, and interphase interfaces of the disordered CrSi2-FeSi2 solid solution obtained by spontaneous crystallization (before and after annealing) have been investigated by scanning, transmission electron microscopy, electron diffraction, and X-ray energy dispersive spectrometry. The as-grown samples contained the phases of CrSi2 with the P6422 hexagonal structure and FeSi2 with the P4/mmm tetragonal structure. Annealing of the samples led to the phase transformation of tetragonal FeSi2 into the orthorhombic modification Cmca. Precipitates of cubic iron monosilicide FeSi with space group P213, nano-precipitates of Si and silicon silicide Cr5Si3 with a tetragonal structure I4/mcm were observed inside the FeSi2 grains. Impurities of interstitial Cr atoms with a concentration up to 2.0 at% are found in iron (di)silicides grains in all samples. The structure of the CrSi2 phase remains unchanged after annealing; the concentration of impurity iron atoms is about 0.7 at%. Orientation relationships between the crystal lattices of the phases are established and strains due to the mismatch of the crystal lattices are determined.
{"title":"Микроструктура и фазовый состав сплава дисилицидов железа и хрома","authors":"Екатерина Ильинична Суворова, Ф.Ю. Соломкин, Н. А. Архарова, Н. В. Шаренкова, Г. Н. Исаченко","doi":"10.21883/ftp.2022.02.51960.33","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.02.51960.33","url":null,"abstract":"The phase composition, microstructure, and interphase interfaces of the disordered CrSi2-FeSi2 solid solution obtained by spontaneous crystallization (before and after annealing) have been investigated by scanning, transmission electron microscopy, electron diffraction, and X-ray energy dispersive spectrometry. The as-grown samples contained the phases of CrSi2 with the P6422 hexagonal structure and FeSi2 with the P4/mmm tetragonal structure. Annealing of the samples led to the phase transformation of tetragonal FeSi2 into the orthorhombic modification Cmca. Precipitates of cubic iron monosilicide FeSi with space group P213, nano-precipitates of Si and silicon silicide Cr5Si3 with a tetragonal structure I4/mcm were observed inside the FeSi2 grains. Impurities of interstitial Cr atoms with a concentration up to 2.0 at% are found in iron (di)silicides grains in all samples. The structure of the CrSi2 phase remains unchanged after annealing; the concentration of impurity iron atoms is about 0.7 at%. Orientation relationships between the crystal lattices of the phases are established and strains due to the mismatch of the crystal lattices are determined.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"10 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"72918282","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-01-01DOI: 10.21883/ftp.2022.06.52589.9843
Р.А. Кастро Арата, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, Н. Ю. Анисимова, М. Крбал, А. В. Колобов
The results of the investigations of the polarization properties in thin layers of vitreous Ge28.5 Pb14.0Fe1.0S56.5 are presented. A process of dipole-relaxation polarization was discovered, the activation energy of which turned out to be equal to Ea = (0.97 ± 0.14) eV. It has been determined that charge transfer in the Ge28.5Pb14.0Fe1.0S56.5 hybrid system is a thermally activated process with an activation energy of Ea = (0.54 ± 0.01) eV. The calculation results allow us to conclude that the glass-forming ca- pacity of the (Ge28.5 Pb15.0S56.5)100−x Fex system decreases linearly with an increase in the proportion of metal in the glass structure.
{"title":"Поляризационные процессы в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge-=SUB=-28.5-=/SUB=-Pb-=SUB=-14.0-=/SUB=-Fe-=SUB=-1.0-=/SUB=-S-=SUB=-56.5-=/SUB=-","authors":"Р.А. Кастро Арата, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, Н. Ю. Анисимова, М. Крбал, А. В. Колобов","doi":"10.21883/ftp.2022.06.52589.9843","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.06.52589.9843","url":null,"abstract":"The results of the investigations of the polarization properties in thin layers of vitreous Ge28.5 Pb14.0Fe1.0S56.5 are presented. A process of dipole-relaxation polarization was discovered, the activation energy of which turned out to be equal to Ea = (0.97 ± 0.14) eV. It has been determined that charge transfer in the Ge28.5Pb14.0Fe1.0S56.5 hybrid system is a thermally activated process with an activation energy of Ea = (0.54 ± 0.01) eV. The calculation results allow us to conclude that the glass-forming ca- pacity of the (Ge28.5 Pb15.0S56.5)100−x Fex system decreases linearly with an increase in the proportion of metal in the glass structure.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"280 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"76745354","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-01-01DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51956.29
а.Н. Вейс, Л. Н. Лукьянова, О. А. Усов
При температурах 205 и 300 K исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения α в субмикронных образцах топологического изолятора n-Bi2Te3+ CdBr2, обладающих при высоких значениях коэффициента Зеебека оптимальными термоэлектрическими свойствами при температурах ниже комнатной. Выявлены и проанализированы составляющие спектров оптического поглощения, связанные с межзонными и межподзонными переходами электронов. Установлено, что в теллуриде висмута при понижении температуры оптические переходы электронов на пороге межзонного поглощения остаются прямыми и разрешенными. Оценены величины энергетических зазоров между абсолютными экстремумами зоны проводимости и валентной зоны, а также между основной и дополнительной подзонами зоны проводимости. Показано, что скорости их изменения с температурой противоположны по знаку. Построена энергетическая схема Bi2Te3, отвечающая экспериментальным данным. Ключевые слова: теллурид висмута, топологический изолятор, оптическое поглощение, межзонные и межподзонные переходы, энергетическая зонная схема.
{"title":"Оптическое поглощение, связанное с межзонными и межподзонными переходами электронов в теллуриде висмута","authors":"а.Н. Вейс, Л. Н. Лукьянова, О. А. Усов","doi":"10.21883/ftp.2022.02.51956.29","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.02.51956.29","url":null,"abstract":"При температурах 205 и 300 K исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения α в субмикронных образцах топологического изолятора n-Bi2Te3+ CdBr2, обладающих при высоких значениях коэффициента Зеебека оптимальными термоэлектрическими свойствами при температурах ниже комнатной. Выявлены и проанализированы составляющие спектров оптического поглощения, связанные с межзонными и межподзонными переходами электронов. Установлено, что в теллуриде висмута при понижении температуры оптические переходы электронов на пороге межзонного поглощения остаются прямыми и разрешенными. Оценены величины энергетических зазоров между абсолютными экстремумами зоны проводимости и валентной зоны, а также между основной и дополнительной подзонами зоны проводимости. Показано, что скорости их изменения с температурой противоположны по знаку. Построена энергетическая схема Bi2Te3, отвечающая экспериментальным данным. Ключевые слова: теллурид висмута, топологический изолятор, оптическое поглощение, межзонные и межподзонные переходы, энергетическая зонная схема.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"73 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"76437750","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-01-01DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51951.18
В. М. Грабов, О.Н. Урюпин
Проведено экспериментальное исследование влияния дендритной неоднородности в кристаллах Bi0.88Sb0.12 на транспортные свойства и термоэлектрическую добротность. Обнаружено, что термоэлектрическая добротность дендритных кристаллов Bi0.88Sb0.12, выращенных при скорости перемещения расплавленной зоны 1 см/ч, превышает добротность однородных кристаллов того же состава на величину до 20%. Ключевые слова: висмут, сурьма, дендритная неоднородность, термоэлектрические свойства.
{"title":"Влияние дендритной неоднородности на термоэлектрические свойства кристаллов Bi-=SUB=-0.88-=/SUB=-Sb-=SUB=-0.12-=/SUB=-","authors":"В. М. Грабов, О.Н. Урюпин","doi":"10.21883/ftp.2022.02.51951.18","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.02.51951.18","url":null,"abstract":"Проведено экспериментальное исследование влияния дендритной неоднородности в кристаллах Bi0.88Sb0.12 на транспортные свойства и термоэлектрическую добротность. Обнаружено, что термоэлектрическая добротность дендритных кристаллов Bi0.88Sb0.12, выращенных при скорости перемещения расплавленной зоны 1 см/ч, превышает добротность однородных кристаллов того же состава на величину до 20%. Ключевые слова: висмут, сурьма, дендритная неоднородность, термоэлектрические свойства.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"15 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"87834509","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-01-01DOI: 10.21883/ftp.2022.01.51804.06
И.А. Драбкин, Л.Б. Ершова
It is suggested that thermoelectric coolers designing should not be limited to the extreme modes of their operation. In some cases, it is convenient to use the so called hybrid modes - a combination of the extreme mode of maximum coefficient of performance for large temperature differences and a general cooling mode for small ones. The proposed hybrid mode makes it possible to control the cooling capacity of the module and not to confine this value to that under the extreme operating conditions, the maximum coefficient of performance in particular.
{"title":"Гибридные режимы работы термоэлектрических модулей","authors":"И.А. Драбкин, Л.Б. Ершова","doi":"10.21883/ftp.2022.01.51804.06","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.01.51804.06","url":null,"abstract":"It is suggested that thermoelectric coolers designing should not be limited to the extreme modes of their operation. In some cases, it is convenient to use the so called hybrid modes - a combination of the extreme mode of maximum coefficient of performance for large temperature differences and a general cooling mode for small ones. The proposed hybrid mode makes it possible to control the cooling capacity of the module and not to confine this value to that under the extreme operating conditions, the maximum coefficient of performance in particular.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"13 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"88364586","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-01-01DOI: 10.21883/ftp.2022.05.52353.9801
И. В. Боднарь, В.А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский
Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
{"title":"Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnGeS-=SUB=-4-=/SUB=-","authors":"И. В. Боднарь, В.А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский","doi":"10.21883/ftp.2022.05.52353.9801","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52353.9801","url":null,"abstract":"Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"86 5 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"86497753","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
This paper presents the results of experimental studies of the effect of the Ga ion dose during ion-beam treatment of the Si(111) surface using the focused ion beam technique on the GaAs nanowires epitaxial growth processes. A significant difference is revealed between the parameters of nanowire arrays formed on modified and unmodified areas of the Si substrate in this way. It is shown that changing the Ga ions dose from 0.052 to 10.4 pC/μm^2 during ion-beam treatment makes it possible to form GaAs nanowires arrays with a different set of parameters in a single technological cycle with a high degree of localization. The regularities of the influence of the dose of Ga ions during surface modification on the key characteristics of GaAs nanowires (density, diameter, length, and orientation with respect to the substrate surface) are experimentally established.
{"title":"Исследование влияния дозы ионно-лучевой обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs","authors":"Н.А. Шандыба, Н.Е. Черненко, С.В. Балакирев, Марина Михайловна Еременко, Д.В. Кириченко, Максим Сергеевич Солодовник","doi":"10.21883/ftp.2022.08.53141.27","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.08.53141.27","url":null,"abstract":"This paper presents the results of experimental studies of the effect of the Ga ion dose during ion-beam treatment of the Si(111) surface using the focused ion beam technique on the GaAs nanowires epitaxial growth processes. A significant difference is revealed between the parameters of nanowire arrays formed on modified and unmodified areas of the Si substrate in this way. It is shown that changing the Ga ions dose from 0.052 to 10.4 pC/μm^2 during ion-beam treatment makes it possible to form GaAs nanowires arrays with a different set of parameters in a single technological cycle with a high degree of localization. The regularities of the influence of the dose of Ga ions during surface modification on the key characteristics of GaAs nanowires (density, diameter, length, and orientation with respect to the substrate surface) are experimentally established.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"49 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"86782072","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Pub Date : 2022-01-01DOI: 10.21883/ftp.2022.04.52198.9778
С.А. Хахулин, К. А. Кох, О. С. Комков
Photoreflectance spectra of layered undoped GaSe and GaSxSe1-x crystals present Franz — Keldysh oscillations indicating the near-surface built-in electric field, that can participate in the separation of photoinduced charge carriers in ultrahigh-sensitive photodetectors based on these materials. The measured value of the field strength in GaSxSe1-x turned out to be almost 1.5 times less than in GaSe, that may indicate a smaller number of free charge carriers in the solid solution. The broadening parameter of GaSxSe1-x spectral lines is also significantly lower than in the case of GaSe. This is due to the fact that isovalent atoms, being added into the GaSe, fill Ga vacancies, reducing the number of defects and the concentration of intrinsic charge carriers. The high-field modulation mode observed in the photoreflectance spectrum of GaSxSe1-x doped with an Al donor impurity indicates a relatively small thickness of the depletion region due to the presence of a large number of free electrons.
{"title":"Исследование ван-дер-ваальсовых кристаллов GaSe и GaS-=SUB=-x-=/SUB=-Se-=SUB=-1-x-=/SUB=- методом фотоотражения","authors":"С.А. Хахулин, К. А. Кох, О. С. Комков","doi":"10.21883/ftp.2022.04.52198.9778","DOIUrl":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.04.52198.9778","url":null,"abstract":"Photoreflectance spectra of layered undoped GaSe and GaSxSe1-x crystals present Franz — Keldysh oscillations indicating the near-surface built-in electric field, that can participate in the separation of photoinduced charge carriers in ultrahigh-sensitive photodetectors based on these materials. The measured value of the field strength in GaSxSe1-x turned out to be almost 1.5 times less than in GaSe, that may indicate a smaller number of free charge carriers in the solid solution. The broadening parameter of GaSxSe1-x spectral lines is also significantly lower than in the case of GaSe. This is due to the fact that isovalent atoms, being added into the GaSe, fill Ga vacancies, reducing the number of defects and the concentration of intrinsic charge carriers. The high-field modulation mode observed in the photoreflectance spectrum of GaSxSe1-x doped with an Al donor impurity indicates a relatively small thickness of the depletion region due to the presence of a large number of free electrons.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"89125958","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：